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[发明专利]半导体器件以及使用标准化载体形成嵌入式晶片级芯片尺寸封装的方法-CN201310671468.9有效
发明人：韩丙濬;沈一权;林耀剑;P.C.马里穆图 -专利权人：新科金朋有限公司
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件以及使用标准化载体形成嵌入式晶片级芯片尺寸封装的方法。一种半导体器件包括标准化载体。半导体晶片包括多个半导体管芯和基底半导体材料。通过基底半导体材料的第一部分单切半导体晶片以分离半导体管芯。将半导体管芯设置在标准化载体上。标准化载体的尺寸与半导体管芯的尺寸无关。将密封剂沉积在标准化载体上且在半导体管芯周围。在半导体管芯上形成互连结构，同时使得密封剂没有互连结构。通过密封剂单切半导体器件。密封剂保持设置在半导体管芯的侧面上。可替换地，通过基底半导体的第二部分且通过密封剂来单切半导体器件以从半导体管芯的侧面去除基底半导体的第二部分和密封剂。
半导体器件以及使用标准化载体形成嵌入式晶片芯片尺寸封装方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201110100061.1有效
发明人：浦野裕一 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2011-04-13 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：根据本发明的半导体装置的制造方法包括以下步骤：在半导体晶片(20)的背面上形成背面电极(4)，半导体晶片(20)由于在半导体晶片(20)的背面上形成的背面电极(4)弯曲成朝正面侧凸出；对半导体晶片(20)的背面进行等离子体处理，用于去除附着在半导体晶片(20)的背面上的沉积物；沿着半导体晶片(20)的翘曲向半导体晶片(20)的背面粘贴可去除胶带(23)，用于在粘贴步骤后，维持半导体晶片(20)的弯曲成朝正面侧凸出的弯曲状态；进行无电极镀覆以在半导体晶片(20)的正面上形成镀膜(26)；从半导体晶片(20)剥离可去除胶带(23)；从半导体晶片(20)切出半导体芯片；通过用焊料进行焊接来安装该半导体芯片，以制造半导体装置。根据本发明的半导体装置的制造方法便于防止背面电极上产生外观异常，提高半导体装置的可靠性，并且制造无缺陷产品成品率较高的半导体装置。
半导体装置制造方法

[发明专利]用于半导体器件的限定外延区域以及制造具有限定外延区域的半导体器件的方法-CN201480076471.9有效
发明人： S·S·廖;M·L·哈藤多夫;T·加尼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-03-27 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：描述了用于半导体器件的限定外延区域以及制造具有限定外延区域的半导体器件的方法。例如，一种半导体结构，包括多个平行的半导体鳍部，该多个平行的半导体鳍部被布置在半导体衬底上方并与半导体衬底连续。隔离结构被布置在半导体衬底上方并与多个平行的半导体鳍部中的每个半导体鳍部的下部部分相邻。多个平行的半导体鳍部中的每个半导体鳍部的上部部分突出超过隔离结构的最高表面。外延源极区和漏极区被布置在多个平行的半导体鳍部中的每个半导体鳍部中并与半导体鳍部的上部部分中的沟道区相邻。外延源极区和漏极区不在隔离结构上方横向地延伸。该半导体结构还包括一个或多个栅极电极，每个栅极电极被布置在多个平行的半导体鳍部中的一个或多个半导体鳍部的沟道区上方。
用于半导体器件限定外延区域以及制造具有方法

[发明专利]半导体装置-CN201710383242.7有效
发明人：玉城朋宏 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2017-05-26 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种寄生晶体管不易动作的半导体装置。实施方式的半导体装置具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第1电极、第2导电型的第4半导体区域、第1导电型的第5半导体区域、栅极电极、第2导电型的第6半导体区域第2半导体区域及第3半导体区域设置于第1半导体区域之下。第3半导体区域的第2导电型的载流子浓度低于第2半导体区域的第2导电型的载流子浓度。栅极电极与第4半导体区域对向。第6半导体区域设置于第1半导体区域之上，且位于第3半导体区域之上。第2电极介隔第1绝缘层而与第6半导体区域对向。第3电极与第2电极电连接。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201310722167.4无效
发明人：末代知子;小仓常雄;押野雄一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-12-24 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置包括第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第一导电型的第二半导体区域、第二导电型的第三半导体区域、第二导电型的第四半导体区域、第二电极以及第一中间金属膜。第一半导体区域设在第一电极之上，具有第一杂质浓度。第二半导体区域设在第一半导体区域之上，具有比第一杂质浓度高的第二杂质浓度。第三半导体区域及第四半导体区域设在第二半导体区域之上。第三半导体区域具有第三杂质浓度。第四半导体区域具有比第三杂质浓度低的第四杂质浓度。第二电极设在第三半导体区域及第四半导体区域之上，与第三半导体区域欧姆接触。第一中间金属膜设在第二电极与第四半导体区域之间，与第四半导体区域进行肖特基接合。
半导体装置

[发明专利]功率用半导体元件-CN201310375789.4无效
发明人：中村和敏;小仓常雄;二宫英彰 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-08-26 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供具备第1～第4半导体层及第1～第5电极的功率用半导体元件。第1电极具有第一面和第二面。第1半导体层设在第一面侧。第2半导体层设在第1半导体层之上，与第1半导体层相比杂质浓度高。第3半导体层设在第2半导体层之上。第4半导体层设在第3半导体层之上。第2电极与第4半导体层电连接。第3电极隔着绝缘膜设于第2及第3半导体层，上端位于第3半导体层，沿第1、第2半导体层的层叠方向延伸。第4电极隔着绝缘膜设于第2及第3半导体层，上端位于第3半导体层，沿层叠方向延伸，与第3电极并列。第5电极隔着绝缘膜而设在第3、第4电极之间，上端位于第3半导体层，沿第1、第2半导体层的层叠方向延伸，与第2电极电连接。
功率半导体元件

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200980105302.2有效
发明人：舛冈富士雄;中村广记;工藤智彦;新井绅太郎 -专利权人：日本优尼山帝斯电子株式会社
申请日： 2009-02-16 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的半导体器件的制造方法包括下列步骤：于平面状半导体层上形成柱状的第1导电型半导体层；于平面状半导体层形成第2导电型半导体层；于第1导电型半导体层周围形成栅极绝缘膜及由金属和非晶硅或多晶硅的积层构造所构成的栅极电极；于栅极上部和第1导电型半导体层上部侧壁将第2和第1绝缘膜形成侧墙状；于栅极侧壁将第2和第1绝缘膜形成侧墙状；于第1导电型半导体层上部形成第2导电型半导体层；于平面状半导体层的第2导电型半导体层、第1导电型半导体层上部的第2导电型半导体层及栅极形成金属与半导体的化合物；于平面状半导体层的第2导电型半导体层上及第1导电型半导体层上部的第2导电型半导体层上形成接触部。
半导体器件制造方法

[发明专利]一种热量控制装置-CN202210783784.4在审
发明人：谭子涛;曾广锋;高涛 -专利权人：东莞先导先进科技有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：本申请公开了一种热量控制装置，该装置包括第一半导体设备、第二半导体设备、第一电极及第二电极；第一半导体设备由第一N型半导体、第一P型半导体及第一金属导体组成；第二半导体设备由第二N型半导体、第二P型半导体及第二金属导体组成；第一金属导体的一端上对称分布有，第一N型半导体及第一P型半导体；每一第二金属导体的一端上对称分布有，第二N型半导体及第二P型半导体；第一N型半导体背离第一金属导体的一端与第二N型半导体背离第二金属导体的一端结合；第一P型半导体背离第一金属导体的一端与第二P型半导体背离第二金属导体的一端结合；第一电极及第二电极用于连通电源。
一种热量控制装置

[发明专利]半导体装置-CN201310722059.7在审
发明人：小仓常雄;中村和敏 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-12-24 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具备：第一导电型的第一半导体区域，设在第一电极的一部分之上，与第一电极欧姆接触；第一导电型的第二半导体区域，设在第一电极的上述一部分以外的部分上，与第一半导体区域及第一电极接触，其杂质浓度比第一半导体区域的杂质浓度低；第二导电型的第一半导体层，设在第一半导体区域上以及第二半导体区域上；第二导电型的第二半导体层，设在第一半导体层上；第一导电型的第三半导体区域，设在第二半导体层上；第二导电型的第四半导体区域，设在第三半导体区域的一部分之上；第二电极，经由绝缘膜与第二半导体层、第三半导体区域以及第四半导体区域相接；以及第三电极，设在第三半导体区域之上以及第四半导体区域之上。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201510100815.1在审
发明人：镰田周次 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-03-06 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：半导体装置包括：半导体衬底，具有第一面、及第二面；第一半导体层，设置在半导体衬底的第一面侧；第二半导体层，设置在第一半导体层的第二面侧；第三半导体层，设置在第二半导体层的第二面侧；栅极层，设置在半导体衬底内部，在第一方向延伸，在第二方向上并列配置，第一面侧的端部比第三半导体层靠近第一面侧；第一半导体区域，设置在第一栅极层与第二栅极层之间的第三半导体层；栅极绝缘膜，设置在第一栅极层与第二半导体层、第三半导体层、及第一半导体区域之间，与除第一半导体区域外的区域之间的膜厚是厚于与第一半导体区域之间的膜厚；发射电极，电连接第一半导体区域；及集电极，电连接第一半导体层。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201810851975.3在审
发明人：浅原英敏;田中明广 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2018-07-30 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供能够降低导通电阻的半导体装置。半导体装置具备：半导体层，具有第一面和第二面；第一半导体区域；第一导电型的第二半导体区域，位于第一半导体区域与第一面之间，杂质浓度比第一半导体区域低；第二导电型的第三半导体区域及第四半导体区域，位于第二半导体区域与第一面之间；第一导电型的第五半导体区域，位于第三半导体区域与第一面之间；第一导电型的第六半导体区域，位于第四半导体区域与第一面之间；第一导电型的第七半导体区域，设于第三半导体区域与第四半导体区域之间，位于第一半导体区域与第一面之间，杂质浓度比第二半导体区域的第一导电型杂质浓度高；第一栅极电极；第二栅极电极和第一栅极绝缘膜；以及第二栅极绝缘膜。
半导体区域导电型半导体装置栅极绝缘膜栅极电极浓度比导电型杂质半导体层导通电阻第二面

[发明专利]半导体装置-CN201910716710.7在审
发明人：加藤浩朗;西胁达也;大麻浩平;西口俊史 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具备包括第1导电型的第1半导体层的半导体部、设置于半导体部上的第1电极、配置于在半导体部设置的沟槽的内部的控制电极、以及设置于半导体部上并与控制电极电连接的第2电极。控制电极具有：半导体部与第1电极之间的第1部分、半导体部与第2电极之间的第2部分及与第1及第2部分相连的第3部分。半导体部还包括第2导电型的第2半导体层、第1导电型的第3半导体层、及第2导电型的第4半导体层。第2半导体层设置于第1半导体层上，第3半导体层选择性地设置于第2半导体层与第1电极之间。第4半导体层选择性地设置于第2半导体层上，沿着第3部分及第2部分延伸，包含比第2半导体层高浓度的第2导电型杂质。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202110226708.9在审
发明人：诹访刚史;末代知子;岩鍜治阳子;系数裕子 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具备：第一电极；第二电极；第一导电型的第一半导体层；第二导电型的第二半导体层；第一导电型的第三半导体层；第二导电型的第四半导体层；第二导电型的第五半导体层；第一及第二控制电极。第一半导体层设置于第一电极与第二电极之间。第二半导体层设置于第一半导体层与第二电极之间。第三半导体层选择性地设置于第二半导体层与第二电极之间。第四半导体层设置于第一半导体层与第一电极之间。在沿着第一半导体层与第二半导体层之间的边界排列的第一及第二控制电极之间第五半导体层包含：第一部分，设置于第一半导体层中；及第二部分，设置于第一半导体层与第二半导体层之间。
半导体装置

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202110912104.X在审
发明人：陈柏安 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构包括基板、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第三氮化物半导体层、第四氮化物半导体层、第五氮化物半导体层以及第六氮化物半导体层。第一氮化物半导体层以及第二氮化物半导体层堆叠于基板上。第三氮化物半导体层以及第四氮化物半导体层设置于第二氮化物半导体层之上且位于源极电极以及漏极电极之间，并具有第一P型掺杂。第五氮化物半导体层设置于第四氮化物半导体层之上，且具有高于第四氮化物半导体层的带隙。第六氮化物半导体层设置于第五氮化物半导体层之上且耦接至漏极电极，具有第二P型掺杂。本发明实施例提供的半导体结构，能有效的降低生产成本以及生产时间。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202210846354.2在审
发明人：田中克久;河野洋志 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：根据一实施方式，半导体装置具备第一电极、第一半导体区域、栅极电极、第二导电型的第二半导体区域、第二导电型的第三半导体区域、第一导电型的第四半导体区域、第一导电型的第五半导体区域以及第二电极。第一半导体区域包含第一导电型的第一区域。栅极电极设于第一半导体区域之上。第二半导体区域在与从第一电极朝向第一半导体区域的第一方向垂直的第二方向上，与栅极电极相对。第三半导体区域在第一方向上设于第一半导体区域与第二半导体区域之间。第三半导体区域的下部的宽度比第三半导体区域的上部的宽度长。第四半导体区域设于第三半导体区域与栅极电极之间，具有比第一区域高的第一导电型的杂质浓度。第五半导体区域设于第二半导体区域之上。
半导体装置