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[发明专利]半导体装置封装和其制造方法-CN201910570266.2在审
发明人：曾吉生;赖律名;蔡育轩;陈殷豪;吴欣霖;余三贵 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置封装，其包括：半导体装置；在所述半导体装置上的非半导体衬底；以及第一连接元件，其从所述半导体装置延伸到所述非半导体衬底，且将所述半导体装置电连接到所述非半导体衬底。还提供一种用于制造半导体装置封装的方法。
半导体装置非半导体衬底封装连接元件电连接延伸制造

[发明专利]晶闸管及其制造方法-CN202280006881.0在审
发明人：远藤可菜枝;井上征;柴田行裕 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明的晶闸管具有：第一P型半导体层11；第一N型半导体层12，其配置为与第一P型半导体层接触；第二P型半导体层13，其配置为与所述第一N型半导体层接触；第二N型半导体层14，其配置为与所述第二P型半导体层接触；第三P型半导体层15a，其配置为与所述第二P型半导体层接触，且杂质浓度比所述第二P型半导体层高；栅极电极G；阴极电极K；以及第四P型半导体层15b，其分别与所述第二P型半导体层以及所述第二N型半导体层接触，且杂质浓度比所述第二P型半导体层高，所述第三P型半导体层与所述第四P型半导体层通过所述第二P型半导体层而分离，所述第三P型半导体层与所述第二N型半导体层通过所述第二P型半导体层而分离。
晶闸管及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202210936095.2在审
发明人：佐藤久美子 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置具备半导体部、第一绝缘膜和第二绝缘膜。半导体部设于第一绝缘膜上。第二绝缘膜填充于从半导体部的上表面至第一绝缘膜的槽的内部，包围半导体部。半导体部包含第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二半导体层、第二导电型的第三半导体层和第一导电型的第四半导体层。第一半导体层沿第一绝缘膜延伸，第二至第四半导体层在第一半导体层上排列。第四半导体层设于第二半导体层与第三半导体层之间。第一至第三接触区域分别设于第二至第四半导体层上。第四半导体层包含比第一半导体层的第一导电型杂质的浓度高浓度的第一导电型杂质。在半导体部的上表面，从第一及第二接触区域至第二绝缘膜的距离比从第三接触区域至第二绝缘膜的距离短。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202210841233.9在审
发明人：谷平圭;堀阳一;河野洋志 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具备：第一电极；第一导电型的第一半导体层，连接于所述第一电极；第二半导体层，设于所述第一半导体层上的第一区域，所述第二半导体层是第一导电型，且杂质浓度比所述第一半导体层的杂质浓度高；第二导电型的第三半导体层，设于所述第二半导体层上；第四半导体层，设于所述第一半导体层上的第二区域，所述第四半导体层是第一导电型，且杂质浓度比所述第一半导体层的杂质浓度高、比所述第二半导体层的杂质浓度低，并隔着所述第一半导体层的一部分与所述第二半导体层分离；第二导电型的第五半导体层，设于所述第四半导体层上的一部分；以及第二电极，连接于所述第三半导体层、所述第四半导体层以及所述第五半导体层。
半导体装置

[发明专利]氮化物半导体发光器件及其制造方法-CN200580032508.9有效
发明人：李昔宪 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2005-08-19 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：氮化物半导体发光器件包括，第一氮化物半导体层，形成在第一氮化物半导体层上的第一Al掺杂氮化物半导体缓冲层，形成在第一Al掺杂氮化物半导体缓冲层上的有源层，形成在有源层上的第二氮化物半导体层。另一氮化物半导体发光器件包括，第一氮化物半导体层，形成在第一氮化物半导体层上的有源层，形成在有源层上的第二Al掺杂氮化物半导体缓冲层，形成在第二Al掺杂氮化物半导体缓冲层上的第二氮化物半导体层。再一氮化物半导体发光器件包括，第一氮化物半导体层，形成在第一氮化物半导体层上的第一Al掺杂氮化物半导体缓冲层，形成在第一Al掺杂氮化物半导体缓冲层上的有源层，形成在有源层上的第二Al掺杂氮化物半导体缓冲层，和形成在第二Al掺杂氮化物半导体缓冲层上的第二氮化物半导体层。
氮化物半导体发光器件及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201010191971.0无效
发明人：尹海洲;骆志炯;朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-05-26 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括半导体衬底；外延半导体层，所述外延半导体层位于半导体衬底上方的两侧位置；栅极，所述栅极位于半导体衬底上方的中间位置并且与外延半导体层相邻，所述栅极包括栅极导体层和夹在栅极导体层和半导体衬底之间并在侧面环绕栅极导体的栅极电介质层；以及侧墙，所述侧墙位于外延半导体层上方以及所述栅极的两侧。该半导体结构的制造方法包括利用牺牲栅极在外延半导体层中形成抬高的源/漏区的步骤。该半导体结构及其制造方法可以用于简化超薄SOI晶体管的制造工艺和减小其导通电阻和功耗。
半导体结构及其制造方法

[其他]一种半导体结构-CN201090000826.3有效
发明人：尹海洲;骆志炯;朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-09-26 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：提供了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括半导体衬底(101)；外延半导体层，外延半导体层位于半导体衬底上方的两侧位置；栅极，所述栅极位于半导体衬底上方的中间位置并且与外延半导体层相邻，和侧墙(107)，所述侧墙位于外延半导体层上方和所述栅极两侧，其中，所述栅极包括栅极导体层(111)和夹在栅极导体层和半导体衬底之间并在侧面环绕栅极导体的栅极电介质层(110)。该半导体结构的制造方法包括利用牺牲栅极在外延半导体层中形成抬高的源/漏区(121a，121b)的步骤。该半导体结构及其制造方法可用于简化超薄SOI晶体管的制造工艺和减小其导通电阻和功耗。
一种半导体结构

[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法-CN201310570939.7无效
发明人：西森理人;今田忠纮;多木俊裕 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2013-11-13 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种化合物半导体器件及其制造方法。该化合物半导体器件包括第一化合物半导体层；形成在第一化合物半导体层的上侧上的第二化合物半导体层，并且第二化合物半导体层的带隙大于第一化合物半导体层的带隙；形成在第二化合物半导体层的上侧上的p型第三化合物半导体层；形成在第二化合物半导体层的上侧上穿过第三化合物半导体层的电极；形成为在第二化合物半导体层的上侧处与第三化合物半导体层接触的第四化合物半导体层，并且第四化合物半导体层的带隙小于第二化合物半导体层的带隙；以及形成为在第四化合物半导体层的上侧处与第三化合物半导体层接触的第五化合物半导体层，并且第五化合物半导体层的带隙大于第四化合物半导体层的带隙。
化合物半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体元件、半导体装置及半导体系统-CN202110023607.1在审
发明人：菅野亮平;今藤修;则松和良;加藤勇次 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本申请涉及半导体元件、半导体装置及半导体系统。本发明提供一种半导体特性优异的半导体元件及半导体装置。一种导电性金属氧化膜，其包括金属氧化物作为主成分，所述金属氧化物至少包括选自元素周期表第4族的第一金属和选自元素周期表第13族的第二金属，将这种导电性金属氧化膜用作电极来制作半导体元件，由制作的半导体元件制造功率卡等半导体装置，并且，由这些半导体元件和半导体装置构筑半导体系统。
半导体元件装置系统

[发明专利]半导体封装件及其形成方法-CN202210032805.9在审
发明人：陈明发;陈宪伟;叶松峯;陈洁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种半导体封装件，包括第一半导体管芯、第二半导体管芯、和多个凸块。第一半导体管芯具有彼此相对的正面和背面。第二半导体管芯设置在第一半导体管芯的背面，并且电连接至第一半导体管芯。多个凸块设置在第一半导体管芯的正面，并且物理接触第一半导体管芯的第一管芯焊盘。第一半导体管芯的总宽度小于第二半导体管芯的总宽度。本申请的实施例还提供了半导体封装件的形成方法。
半导体封装及其形成方法

[发明专利]半导体装置-CN202080104815.8在审
发明人：山本忠嗣;村井亮司 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：将半导体装置的高度抑制得低，有效地进行半导体装置的散热。半导体装置具有对半导体模块进行冷却的冷却器，半导体模块具有金属块、半导体元件、与半导体元件连接的端子、以及将端子的一部分、金属块、半导体元件覆盖的树脂，冷却器具有：金属基座，其与半导体模块的下表面接触，在俯视观察时包含半导体模块；以及冷却配管，其配置于金属基座的上表面，对半导体模块进行冷却，冷却配管在俯视观察时将半导体模块的至少一部分包围。
半导体装置

[发明专利]半导体器件-CN202310453556.5在审
发明人：申建旭;李殷奎;李昌锡;金昌炫;卞卿溵 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：一种半导体器件可以包括：第一半导体层，包括第一半导体材料；金属层，面对第一半导体层并具有导电性；2D材料层，在第一半导体层和金属层之间；以及第二半导体层，在第一半导体层和2D材料层之间。第二半导体层可以包括不同于第一半导体材料的第二半导体材料。第二半导体层和2D材料层可以彼此直接接触。第二半导体材料可以包括锗。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201210348151.7有效
发明人：小谷淳二 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2012-09-18 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：形成在衬底上的第一半导体层、形成在第一半导体层上的第二半导体层、形成在第二半导体层上的第三半导体层、形成在第三半导体层上的栅电极以及与第二半导体层相接触形成的源电极和漏电极，其中第三半导体层的半导体材料掺杂有p型杂质元素，并且第三半导体层具有朝着设置有漏电极的一侧突出超过栅电极的边缘的突出区域。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]用于形成半导体器件的方法以及半导体器件-CN201710367719.2有效
发明人：弗兰科·马里亚尼;科比尼安·卡斯帕 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于形成半导体器件的方法和半导体器件。方法包括：形成被埋置在半导体衬底内的至少一个激光标记，以及从半导体衬底的背侧对半导体衬底进行减薄。例如，半导体器件包括位于半导体封装件中的半导体衬底。激光标记被埋置在半导体衬底内。例如，另一半导体器件包括半导体衬底。激光标记位于半导体衬底的背侧表面。
用于形成半导体器件方法以及

[发明专利]半导体装置-CN201911288616.2有效
发明人：原田辰雄 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：半导体装置具有：第2半导体层(24)，其形成于第1半导体层(20)的表层；第3半导体层(23)，其形成于第2半导体层的表层；第1沟槽(13)，其以贯通第2半导体层以及第3半导体层而到达第1半导体层的内部的方式形成；第2沟槽(17)，其以从第1半导体层的上表面贯通第3半导体层而到达第2半导体层的内部的方式形成；以及第4半导体层(25)，其与第2沟槽的底部接触地形成。
半导体装置