“林永丰”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果79个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]高尔夫球凤梨酥模具-CN202320607113.2有效
发明人： 林永丰 -专利权人：米丰食品有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： A21B3/13 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高尔夫球凤梨酥模具，包括：一下模，顶部具有至少一向下凹陷的下模穴；所述下模穴为半圆形凹槽，且所述下模穴的表面布设许多小凸起部；及一上模，底部具有至少一向上凹陷的上模穴；所述上模穴为半圆形凹槽，且所述上模穴的表面布设许多小凸起部；在所述上模与所述下模盖合在一起的状态下，所述上模穴与所述下模穴共同形成一高尔夫球状的容置空间。本实用新型的高尔夫球凤梨酥模具，能方便烘烤出高尔夫球状的凤梨酥。
高尔夫球凤梨模具

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201910269425.5有效
发明人： 林永丰;周钰杰 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构及其制造方法。此方法包含提供一衬底；在衬底上形成硅层，其中衬底的上表面的边缘区域从硅层暴露出来；将氮化镓(GaN‑based)半导体材料外延成长在硅层与衬底上，以形成氮化镓半导体层于硅层上以及多个氮化镓颗粒于衬底的上表面的边缘区域上；以及进行第一干式蚀刻步骤以移除此些氮化镓颗粒，其中进行第一干式蚀刻步骤包含施加第一偏压功率，且第一偏压功率为等于或大于1500瓦。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]衬底结构及包含其半导体结构的制造方法-CN201910333765.X有效
发明人： 林永丰;周政道 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种衬底结构及包含其半导体结构的制造方法。其中，衬底结构包含衬底、弯曲度调节层以及硅层。弯曲度调节层位于衬底的上表面上。硅层位于弯曲度调节层上。衬底结构具有总弯曲度值，此总弯曲度值位于‑20微米至‑40微米的范围内。
衬底结构包含半导体制造方法

[发明专利]半导体结构-CN202111262076.8在审
发明人：黄俊吉;周惠隆;谢宗翰;林永丰;陈信琦 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构，包括基底、介电层、第一导电层与保护层。介电层设置在基底上。第一导电层设置在介电层上。保护层设置在第一导电层与介电层上。保护层包括第一上表面与第二上表面。第一上表面位于第一导电层的顶面上方。第二上表面位于第一导电层的一侧。第一上表面的高度高于第二上表面的高度。第二上表面的高度低于或等于位于介电层的顶面与第一导电层之间的第一导电层的下表面的高度。
半导体结构

[发明专利]三维存储器装置-CN202111148805.7在审
发明人： 林永丰;罗思觉;叶腾豪;吕函庭 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本公开提供一种三维存储器装置，如三维与门快闪存储器装置。三维存储器装置包括多个存储单元阵列、多个位线开关以及多个源极线开关。存储单元阵列具有多个存储单元行分别耦接至多条源极线以及多条位线。位线开关、源极线开关分别由多个第一晶体管、第二晶体管所构成。第一晶体管耦接至一共同位线以及位线。第二晶体管耦接至共同源极线以及源极线。其中，第一晶体管为P型晶体管或具有三阱区基底的N型晶体管，第二晶体管为P型晶体管或具有三阱区基底的N型晶体管。
三维存储器装置

[发明专利]存储器-CN202111173669.7在审
发明人：叶腾豪;吕函庭;宋政霖;林永丰 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本公开提供一种存储器装置，存储器装置包含3D数据存储器及3D参考存储器。参考存储器用于产生用于感测数据存储器中的数据的参考信号。转换电路将来自参考存储器中的存储器单元的群组的信号转换成参考信号。参考信号施加至感测放大器以感测储存于数据存储器中的被选定存储器单元中的数据。
存储器

[发明专利]存储器-CN202111173526.6在审
发明人：叶腾豪;吕函庭;宋政霖;林永丰 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本公开提供一种存储器装置，存储器装置包含3D数据存储器及3D参考存储器。参考存储器用于产生用于感测数据存储器中的数据的参考信号。转换电路将来自参考存储器中的存储器单元的群组的信号转换成参考信号。参考信号施加至感测放大器以感测储存于数据存储器中的被选定存储器单元中的数据。
存储器

[发明专利]存储器装置及其操作方法-CN202110596822.0在审
发明人： 林永丰;罗思觉;叶腾豪;吕函庭 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G11C8/10 文献下载
摘要：本公开提供了一种存储器装置与其操作方法。存储器装置包括：一存储器阵列；一译码电路，耦接至该存储器阵列，该译码电路包括多个第一晶体管、多个第二晶体管，与多个反相器，所述多个第一晶体管与所述多个第二晶体管为成对；以及一控制器，耦接至该译码电路，其中，成对的所述多个第一晶体管与所述多个第二晶体管的每对所述第一晶体管与所述第二晶体管分别耦接至所述多个反相器之一，以及分别耦接至多条区域位线之一或多条区域源极线之一；所述多个第一晶体管耦接至一整体位线；以及所述多个第二晶体管耦接至一整体源极线。
存储器装置及其操作方法

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202110361111.5在审
发明人：杜杨;林永丰;林琮翔;周钰杰;周政道;卢奕均;陈俊旭 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括陶瓷基底、第一键合层、第二键合层、空腔、及半导体层。其中，陶瓷基底包括位于其表面的孔洞。第一键合层设置于陶瓷基底的表面之上，且第二键合层键合至第一键合层。空腔设置于孔洞的上方且被第一键合层及第二键合层围封。半导体层延伸跨越空腔的上方且沿着第二键合层的表面而设置。
半导体结构及其制作方法

[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202110189435.5在审
发明人： 林永丰;周钰杰;林琮翔;庄理文 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种高电子迁移率晶体管，其中半导体通道层及半导体阻障层设置于基底上。图案化半导体保护层设置于半导体阻障层上，且图案化半导体盖层设置于图案化半导体保护层及半导体阻障层之间。层间介电层覆盖图案化半导体盖层及图案化半导体保护层，且层间介电层包括闸极接触洞。闸极电极设置于闸极接触洞内且电连接该图案化半导体盖层，其中闸极电极及图案化半导体盖层之间存在图案化半导体保护层。图案化半导体保护层的电阻率介于图案化半导体盖层的电阻率及层间介电层的电阻率之间。
电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]半导体结构和高电子迁移率晶体管的制造方法-CN201711090586.5有效
发明人： 林永丰;周钰杰 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：半导体结构的制造方法包含在基底上形成氮化镓系半导体层，在氮化镓系半导体层上形成含硅绝缘层，通过第一刻蚀步骤形成凹陷于含硅绝缘层中，其中第一刻蚀步骤使用含氟刻蚀剂且施加第一偏压功率，以及通过第二刻蚀步骤将凹陷延伸至氮化镓系半导体层中，其中第二刻蚀步骤使用含氟刻蚀剂且施加大于第一偏压功率的第二偏压功率。此外，还提供高电子迁移率晶体管的制造方法。本发明可提升半导体装置的可靠性和生产效率。
半导体结构电子迁移率晶体管制造方法

[外观设计]面粉连续混合与揉捏机-CN202130670963.3有效
发明人： 林永丰;孔祥海;彭辉 -专利权人：华尔(广州)机械装备有限公司
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： 31-00 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：面粉连续混合与揉捏机。2.本外观设计产品的用途：主要用于面食加工。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
面粉连续混合揉捏

[发明专利]半导体结构-CN202010875082.X在审
发明人：林鑫成;周政伟;谢廷恩;黄易寒;林光明;林永丰;周政道;李棋富;陈佳麟;张舒雯 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体结构，包含：基板、通道层、阻挡层、化合物半导体层、栅极电极、以及介电层堆叠。通道层设置于基板上。阻挡层设置于通道层上。化合物半导体层设置于阻挡层上。栅极电极设置于化合物半导体层上。介电层堆叠设置于栅极电极上。介电层堆叠包含具有不同刻蚀速率的层。本申请能够提高半导体结构的整体可靠性。
半导体结构

[实用新型]一种跟踪式吹面器-CN202120204533.7有效
发明人： 林永丰;孔祥海;彭辉 -专利权人：华尔（广州）机械装备有限公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： B65B63/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种跟踪式吹面器，包括面盒存放架、往复位移装置和若干组吹面装置；所述面盒存放架上设有若干个用于放置面盒的放置空间；所述面盒存放架可移动地设置；所述往复位移装置固定设置；各组吹面装置设置在往复位移装置上，所述往复位移装置带动吹面装置往复位移；各组吹面装置对应位于一个放置空间的上方，吹面装置与面盒存放架可同步运动。本实用新型通过设置往复位移装置带动吹面装置与面盒同步移动，在面盒运动过程中，通过吹面装置把面条进行整形；通过设置往复位移装置简化了设备结构，提高了同步定位精度，有效的节约了设备设计时间和生产成本。
一种跟踪式吹面器

[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202010232264.5在审
发明人：谢廷恩;周钰杰;林永丰 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种高电子迁移率晶体管，包括III‑V族通道层、钝化层、III‑V族阻障层、闸极结构和至少一源/汲极电极，其中，钝化层被设置于III‑V族通道层之上且包括闸极接触洞和源/汲极接触洞，III‑V族阻障层被设置于III‑V族通道层和钝化层之间。闸极结构包括依序堆栈的III‑V族闸极层、闸极蚀刻停止层、闸极电极，其中闸极电极被设置于闸极接触洞中且顺向性覆盖住钝化层的顶面的一部分。至少一源/汲极电极会被设置于至少一源/汲极接触洞中且会顺向性覆盖住钝化层的顶面的另一部分。
电子迁移率晶体管及其制作方法

1
2
3
4
5
6
下一页»
尾页
共 79 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top