专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置-CN201210256998.2有效
  • 鸟居克行 - 三垦电气株式会社
  • 2012-07-23 - 2014-02-12 - H01L29/739
  • 本发明提供了一种半导体装置,在该半导体装置的外周区域中,第2半导体区域(32)达到半导体衬底(1)的第2主面(21),半导体装置还具有第6半导体区域(50),其与第2半导体区域(32)相接并具有第2导电类型,该第6半导体区域(50)包含半导体衬底(1)的第2主面的端部,并从半导体衬底(1)的第2主面(21)开始,达到比第4半导体区域(4)深的区域。根据本发明的半导体装置,通过在外周区域设置第6半导体区域(50),使得耗尽层(14)的端部没有达到切割面(51),而是使耗尽层(14)的端部达到了半导体衬底的第2主面(21)上,从而确保了半导体装置的耐压性
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体芯片堆叠封装结构及其工艺-CN201110458191.2无效
  • 刘胜;陈润;陈照辉;刘孝刚;李操 - 刘胜
  • 2011-12-31 - 2013-07-03 - H01L25/00
  • 半导体芯片堆叠封装结构及其工艺,包括数个半导体芯片,封装基板、塑封材料,其特征在于按上下次序最底下的半导体芯片A有源表面朝下,通过焊球阵列将半导体芯片A连接到封装基板的电路层上,半导体芯片A下表面充填底部填充料,借助粘合层将半导体芯片B粘合在半导体芯片A背面,半导体芯片C、半导体芯片D以及以上的半导体芯片呈层状堆叠在半导体芯片B上方,通过焊线将半导体芯片B、半导体芯片C、半导体芯片D及以上的半导体芯片上的焊盘与封装基板上电路层相连
  • 半导体芯片堆叠封装结构及其工艺
  • [实用新型]半导体芯片堆叠封装结构-CN201120571718.8有效
  • 刘胜;陈润;陈照辉;刘孝刚;李操 - 刘胜
  • 2011-12-31 - 2012-09-12 - H01L25/00
  • 半导体芯片堆叠封装结构,包括数个半导体芯片,封装基板、塑封材料,其特征在于按上下次序最底下的半导体芯片A有源表面朝下,通过焊球阵列将半导体芯片A连接到封装基板的电路层上,半导体芯片A下表面充填底部填充料,借助粘合层将半导体芯片B粘合在半导体芯片A背面,半导体芯片C、半导体芯片D以及以上的半导体芯片呈层状堆叠在半导体芯片B上方,通过焊线将半导体芯片B、半导体芯片C、半导体芯片D及以上的半导体芯片上的焊盘与封装基板上电路层相连
  • 半导体芯片堆叠封装结构
  • [发明专利]半导体装置-CN201980046763.0在审
  • 杉本雅裕;高桥勋;四户孝;雨堤耕史 - 株式会社FLOSFIA
  • 2019-07-10 - 2021-02-26 - H01L29/872
  • 本发明提供一种尤其对功率器件有用且半导体特性优异的半导体装置。一种半导体装置,在n型半导体层(例如,将氧化物半导体作为主成分包含的n型半导体层等)与电极之间设置有一个或两个以上的p型半导体(例如,经p型掺杂的结晶性氧化物半导体等),所述半导体装置的特征在于,所述p型半导体埋入到所述n型半导体层中,并且从所述n型半导体层向所述电极内突出。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体发光装置-CN201110073287.7无效
  • 前田修;汐先政贵;佐藤进;荒木田孝博;内田史朗 - 索尼公司
  • 2011-03-25 - 2011-10-12 - H01S5/026
  • 本发明提供一种半导体发光装置。该半导体发光装置包括允许精确地估算元件温度的温度检测部分。该半导体发光装置包括:在半导体基板上的一个或多个面发射半导体发光部分和一个或多个半导体温度检测部分,该面发射半导体发光部分在半导体基板的法线方向上发光,该半导体温度检测部分不向外发光。该半导体发光部分和该半导体温度检测部分具有在半导体基板的法线方向上的PN结或者PIN结。
  • 半导体发光装置
  • [发明专利]半导体芯片组件-CN94105000.9无效
  • 西奥多·R·戈卢比;尤迪·昭德瑞 - 莫托罗拉公司
  • 1994-04-29 - 1994-11-30 - H01L25/00
  • 通过提供至少一个半导体芯片和一个半导体基片并且在不应用环氧树脂或金属层来形成半导体芯片和半导体基片间结合的情况下将半导体芯片结合到半导体基片上以形成一个半导体芯片组件。该半导体芯片组件的半导体芯片与一个外部的电互连系统电连接。半导体基片的热特性与半导体芯片相近,从而消除了在半导体芯片与常规的外部电互连系统中的金属热沉之间出现的热失配。
  • 半导体芯片组件
  • [发明专利]半导体装置-CN202211530909.9在审
  • 酒井纯也;羽鸟宪司 - 三菱电机株式会社
  • 2022-12-01 - 2023-06-06 - H01L25/18
  • 半导体装置具有导体部、彼此分离的多个半导体芯片。多个半导体芯片各自包含多个半导体开关元件。导体部将多个半导体芯片并联连接。多个半导体芯片各自所包含的多个半导体开关元件的材料包含宽带隙半导体。多个半导体开关元件中的至少任意1者的沟道长度小于或等于1.5μm。
  • 半导体装置

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