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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201010147601.7有效
发明人：朱慧珑;梁擎擎;骆志炯;尹海洲 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-04-14 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的第一半导体层，以及环绕所述第一半导体层形成的第二半导体层；所述第一半导体层上形成的高k栅介质层和栅极导体；所述第二半导体层上形成的源/漏区；其中，所述第一半导体层和第二半导体层的侧壁为倾斜接触。该半导体器件可以利用高迁移率的沟道区提供高输出电流和高工作速度，同时降低功耗。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201610899221.6有效
发明人：金荣得 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括半导体封装和标记。半导体封装包括包含热从其产生的热点的半导体芯片、以及包覆半导体芯片的模制层。标记被布置在半导体封装上。标记形成在半导体封装的与热点的位置对应的区域中。
半导体器件

[发明专利]在基板上搭载半导体结构体的半导体装置及其制造方法-CN201010610892.9无效
发明人：肋坂伸治 -专利权人：卡西欧计算机株式会社
申请日： 2010-11-12 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：一种半导体装置，包含：半导体结构体，该半导体结构体具有半导体衬底和凸设在半导体衬底表面的外部连接用电极；搭载半导体结构体的基板；和密封层，该密封层层叠在除了外部连接用电极以外的半导体衬底上、和包含半导体衬底侧面的基板上
基板上搭载半导体结构装置及其制造方法

[发明专利]一种堆叠态半导体芯片结构及其工艺方法-CN202010978208.6在审
发明人：涂波;郑香奕 -专利权人：深圳市洁简达创新科技有限公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种堆叠态半导体芯片结构及其工艺方法，本发明堆叠态半导体芯片结构，包括基板，在基板上依次堆叠设置P型半导体层和N型半导体层，P型半导体层和N型半导体层相间设置，P型半导体层至少为2层，N型半导体层至少为本发明通过化学气相沉积法来堆叠形成P型半导体层和N型半导体层，并且采用物理刻蚀和电浆清洗的方式形成导电层，避免使用掩膜、光阻剂、光刻机来制造半导体芯片，降低了半导体芯片工艺复杂性，提高了半导体芯片产品的良率
一种堆叠半导体芯片结构及其工艺方法

[发明专利]半导体元件结构及其形成方法-CN202011195344.4在审
发明人：朱熙甯;江国诚;郑冠仑;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：提供一种半导体元件结构及其形成方法。半导体元件结构包括于基底上的半导体鳍片，以及悬置于半导体鳍片上的多个半导体纳米结构。半导体元件结构也包括延伸跨越半导体鳍片的栅极堆叠，且栅极堆叠包绕每个半导体纳米结构。半导体元件结构还包括包夹半导体纳米结构的第一外延结构和第二外延结构。第一外延结构和第二外延结构的每一个延伸超过半导体鳍片的顶面。此外，半导体元件结构包括于半导体鳍片和栅极堆叠之间的隔离结构。隔离结构更延伸超过第一外延结构的两侧侧壁。
半导体元件结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及制造半导体器件的方法-CN202111085314.2在审
发明人：三宅裕树 -专利权人：株式会社电装;未来瞻科技株式会社;丰田自动车株式会社
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：一种半导体器件，具有第一半导体层(21)和第二半导体层(22)。第一半导体层(21)是由氧化镓基半导体制成的n型层。第二半导体层(22)由氧化镓基半导体制成，与第一半导体层(21)接触，并且是电活性施主浓度高于第一半导体层(21)的电活性施主浓度的n型层。第一半导体层(21)的施主浓度与第二半导体层(22)的施主浓度之间的差小于第一半导体层(21)的电活性施主浓度与第二半导体层(22)的电活性施主浓度之间的差。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体封装-CN202111279642.6在审
发明人：李铣浩;陈华日;洪钟波 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L23/18 文献下载
摘要：一种半导体封装，包括：具有下半导体衬底和在下半导体衬底的顶表面上的上焊盘的下半导体芯片；堆叠在下半导体芯片上的上半导体芯片，上半导体芯片包括上半导体衬底和在上半导体衬底的底表面上的焊料凸块；以及在下半导体芯片和上半导体芯片之间的固化层，固化层包括与上半导体芯片相邻的第一固化层，以及在第一固化层和下半导体衬底的顶表面之间的第二固化层，第一固化层包括第一光固化剂，第二固化层包括第一热固化剂。
半导体封装

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202111594707.6在审
发明人：程凯 -专利权人：无锡晶湛半导体有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/32 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体结构及其制备方法，属于半导体技术领域。其中，半导体结构包括：衬底；和叠置在衬底上的多个功能膜层，多个功能膜层包括叠置的第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层位于衬底和第二半导体层之间，第一半导体层包括多个朝向衬底凹陷的缺陷坑，缺陷坑被第二半导体层填充，第二半导体层远离第一半导体层的一侧为平面。本申请提供的半导体结构及其制备方法解决了现有技术中的半导体结构存在垂直漏电的问题。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]化合物半导体层状结构及其制备方法-CN202280018502.X在审
发明人：马库斯·莱特杰布;本·德皮特;乔治·富斯特施米德;乌尔里希·施密特 -专利权人：尤米科尔公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了化合物半导体层状结构，所述化合物半导体层状结构包括具有底层和顶层的半导体衬底；和在所述半导体衬底的顶部上的半导体膜，所述半导体膜包括底层、芯和顶层，其中所述半导体膜的所述底层与所述半导体衬底的所述顶表面接触优选的化合物半导体还包括具有底表面层和顶表面层的半导体覆盖层，其中所述第二半导体层的所述底表面层与所述半导体膜的所述顶层接触。本发明还提供了用于制备所述化合物半导体层状结构的方法。
化合物半导体层状结构及其制备方法

[发明专利]半导体器件和包括半导体器件的半导体器件封装-CN201780039190.X有效
发明人：崔洛俊;金炳祚;吴炫智;洪埩熀 -专利权人：苏州乐琻半导体有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：实施例涉及半导体器件、半导体器件封装和用于制造半导体器件的方法，该半导体器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、布置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层、以及布置在第一导电半导体层和有源层之间或者布置在第一导电半导体层内部的中间层，其中第一导电半导体层、中间层、有源层、第二导电半导体层包括铝，并且中间层包括具有比第一导电半导体层的铝组分低的铝组分的第一中间层。
半导体器件包括封装

[发明专利]具有窗口插入器的3D集成电路封装-CN201180075817.X有效
发明人： D·马利克;R·S·维斯瓦纳斯;S·斯里尼瓦桑;M·T·博尔;A·W·耶欧;S·阿格拉哈拉姆 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：描述了具有窗口插入器的3D集成电路封装和用于形成这种半导体封装的方法。例如，半导体封装包括衬底。顶部半导体管芯设置在衬底上。具有窗口的插入器设置在衬底和顶部半导体管芯之间并且互连至衬底和顶部半导体管芯。底部半导体管芯设置在插入器的窗口中并且互连至顶部半导体管芯。在另一示例中，半导体封装包括衬底。顶部半导体管芯设置在衬底上。插入器设置在衬底和顶部半导体管芯之间并且互连至衬底和顶部半导体管芯。底部半导体管芯设置在与插入器相同的平面中并且互连至顶部半导体管芯。
具有窗口插入集成电路封装

[发明专利]半导体装置-CN202210767695.0在审
发明人：朝羽俊介;田中克久;河野洋志 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具备第一电极、从第一电极分离的第二电极、设于第一电极与第二电极间的半导体部、及控制电极。半导体部含第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二半导体层、第一导电型的第三半导体层、第二导电型的多个第四半导体层及第二导电型的第五半导体层。第一半导体层在第一电极与第二电极间延伸，第二半导体层设于第一半导体层与第二电极间。第三半导体层在第二半导体层与第二电极间局部地设于第二半导体层上。第五半导体层局部地设于第一半导体层与第二半导体层间位于在第二方向上相邻的两个第四半导体层间，与相邻的两个第四半导体层连接。控制电极位于多个第四半导体层的各个与第二电极间隔着第一绝缘膜与第二半导体层相向。
半导体装置

[发明专利]FinFET及其制造方法-CN201210506140.7有效
发明人：朱慧珑;许淼;梁擎擎;尹海洲 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该制造FinFET的方法包括：在半导体衬底上形成第一半导体层；在第一半导体层上形成第二半导体层；在第二半导体层上形成顶部保护层；图案化第二半导体层以形成半导体鳍片；在半导体鳍片的侧面形成侧壁保护层；对第一半导体层掺杂以形成掺杂穿通阻止层；去除顶部保护层和侧壁保护层；形成横跨半导体鳍片的栅堆叠，该栅堆叠包括栅极电介质和栅极导体，并且栅极电介质将栅极导体和半导体鳍片隔开；形成围绕栅极导体的栅极侧墙；以及在半导体鳍片位于栅堆叠两侧的部分中形成源区和漏区掺杂穿通阻止层将半导体鳍片和半导体衬底隔开，从而可以容易地控制半导体鳍片的高度并且断开源区和漏区之间经由半导体衬底的漏电流路径。
finfet 及其制造方法

[发明专利]半导体芯片及其制造方法-CN201410674233.X在审
发明人： K·J·古德诺;R·S·格拉夫;C·R·奥格尔维;S·T·文特朗;C·S·伍德鲁夫 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体芯片及其制造方法。导热层沉积在半导体芯片的晶片的第一表面上。刻蚀导热层以形成在每个半导体芯片的第一表面上暴露贯通电极的过孔。导电凸块沉积在每个半导体芯片的第二表面上的贯通电极上。堆叠半导体芯片，其中半导体芯片中的第二半导体芯片的导电凸块通过半导体芯片中的第一半导体芯片的过孔电接触第一半导体芯片的贯通电极，以及半导体芯片中的第三半导体芯片的导电凸块通过第二半导体芯片的过孔电接触第二半导体芯片的贯通电极
半导体芯片及其制造方法

[发明专利]场效应半导体器件及其制造-CN201410845894.4在审
发明人： F.希尔勒;R.克内夫勒;A.毛德;H.韦伯;J.韦耶斯 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及场效应半导体器件及其制造。功率半导体器件包含半导体主体，所述半导体主体具有第一表面并且包含有源区域，所述有源区域包含n型半导体区和p型半导体区，n型半导体区在基本上平行于第一表面的方向与p型半导体区交替。半导体主体进一步包含外围区域，所述外围区域围绕有源区域并且包含：低掺杂半导体区，所述低掺杂半导体区具有低于n型半导体区的n掺杂剂的掺杂浓度的n掺杂剂的第一浓度；和至少一个辅助半导体区，所述至少一个辅助半导体区具有高于第一浓度的
场效应半导体器件及其制造