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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体存储装置和信息处理设备-CN201880014393.8有效
发明人： 黑田真实 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：[问题]提供一种半导体存储装置，能够正常地从存储元件读取一值并且实现大容量。[解决方案]根据本发明的半导体存储装置设有：存储元件；具有第一电阻状态的参考元件，用于生成用来判定存储元件中保持的值的参考电位；以及具有的第二电阻状态高于第一电阻状态的电阻值的参考元件，用于生成参考电位。半导体存储装置具有其中当生成参考电位时，具有第一电阻状态的参考元件的数量更多的配置。
半导体存储装置信息处理设备

[发明专利]感测放大器、半导体存储装置、信息处理设备和读取方法-CN201880014418.4有效
发明人： 黑田真实 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：[问题]为了提供一种使半导体存储装置能够具有更大容量、更高速度和更高数据速率的感测放大器。[解决方案]根据本发明的感测放大器设置有：第一逆变器和第二逆变器，其具有用于控制激活状态和非激活状态的开关，并且其中，相应的输入端和输出端交叉耦接；以及第一开关和第二开关，用于在来自相应交叉耦接信号线上的存储元件的输入的连接和断开之间进行切换。
放大器半导体存储装置信息处理设备读取方法

[发明专利]电阻变化存储器、存储器装置和存储器系统-CN202180084427.2在审
发明人：高桥治子;黑田真实;手塚宙之 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本发明减少执行写入的MOS晶体管的漏电流。电阻变化存储器包括存储器单元、写入驱动单元、写入控制单元和阱电位调整单元。存储器单元包括电阻变化元件。写入驱动单元通过将写入电压施加到存储器单元以执行数据的写入。写入控制单元将用于控制写入的写入控制信号输出至写入驱动单元。阱电位调整单元根据写入时的写入电压调整其中布置构成写入驱动单元的元件的阱区域的阱电位。
电阻变化存储器装置系统

[发明专利]存储器系统和存储器操作程序-CN202180060993.X在审
发明人：相泽绿;黑田真实;高桥治子 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G06F11/22 文献下载
摘要：根据本公开的一方面的存储器系统设有软错误生成器，该软错误生成器通过使用随机数来生成考虑概率缺陷的写入数据或读取数据。
存储器系统操作程序

[发明专利]逻辑仿真装置和逻辑仿真程序-CN202180051400.3在审
发明人：高桥治子;黑田真实;相泽绿 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G06F30/3308 文献下载
摘要：根据本公开的一方面的逻辑仿真装置包括设置在两个端子之间的电阻随机访问存储器元件的操作模型。操作模型包括：用于保持数据的寄存器部；真值表；和判断部。在真值表中，定义了两个端子处的信号值与到寄存器部的数据写入和从寄存器部的数据读取之间的关系。判断部基于输入到两个端子的信号值和真值表来进行关于数据写入和数据读取的判断。
逻辑仿真装置程序

[发明专利]存储装置-CN202080085388.3在审
发明人：手塚宙之;黑田真实 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：在本发明中，依据存储装置的状态灵活地设定用于读出的标准电位。数据存储器单元组存储数据。参照存储器单元组存储多个参照电位。标准电位生成部从存储在参照存储器单元组中的多个参照电位中选择预定数量的参照电位，并且生成标准电位。参照电位选择控制部依据预定条件控制标准电位生成部的选择。感测放大器使用作为标准的标准电位来放大从数据存储器单元组读出的数据。
存储装置

[发明专利]存储装置、存储控制装置和存储装置控制方法-CN202080088176.0在审
发明人： 黑田真实 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一种存储设备，该存储设备降低将经校正的数据回写到存储器中所需的功率。存储设备包括存储器和写入控制单元。存储器使用多个单元作为单位存储数据，每个单元表示预定值。写入控制单元接收：在与多个单元中的至少一个单元对应的位置具有特定值的回写数据；和对于特定值的回写指令。写入控制单元执行控制，使得将特定值仅写入到与回写数据表示特定值的位置对应的单元中。
存储装置控制方法

[发明专利]存储器电路-CN201980049243.5在审
发明人：手塚宙之;黑田真实 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明的目的在于通过对用于读取数据的参照单元进行有效地测试来改善读出数据的可靠性。存储器电路设置有多个存储器阵列、选择电路和感测放大器。选择电路选择多个存储器阵列中的一个的输出值，并供应第一值和第二值。感测放大器具有第一输入端子和第二输入端子。感测放大器以供应给第二输入端子的第二值为基准来放大并输出供应给第一输入端子的第一值。
存储器电路

[发明专利]半导体存储装置、信息处理设备以及参考电势设置方法-CN201880014081.7在审
发明人： 黑田真实 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-02-06 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：[问题]为了提供一种能够设置高度可靠的参考电势的半导体存储装置。[解决方案]根据本发明的半导体存储装置设置有：电阻元件，用于生成要提供给感测放大器的参考电势；以及开关单元，其具有至少两种状态，包括用于通过向电阻元件注入电流来生成要提供给感测放大器的参考电势的状态和用于向感测放大器提供外部生成的参考电势的状态。
参考电势半导体存储装置感测放大器电阻元件信息处理设备开关单元注入电流外部

[发明专利]半导体器件以及集成半导体器件-CN201110145906.9有效
发明人：岛田学;黑田真实 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-06-01 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： G11C8/00 文献下载
摘要：本发明提供了半导体器件和半导体集成器件。该半导体器件包括：半导体标识符保持部件，配置为保持用于标识半导体器件的半导体标识符；以及控制部件，配置以使得一旦在接收到保持半导体标识符的外部输入指令之后经过预定时间段，控制部件就发布保持紧接在下游的半导体器件的半导体标识符的指令给紧接在该半导体器件下游的半导体器件，以及在接收到外部输入指令的时间点与发布保持其半导体标识符的指令给紧接在下游的半导体器件的时间点之间的时间段期间，控制部件使得半导体标识符保持部件保持外部输入标识符。
半导体器件以及集成

[发明专利]存储控制设备、存储设备和存储设备系统-CN201110038109.0有效
发明人： 黑田真实 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-02-15 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： G11C11/403 文献下载
摘要：在此公开了一种存储控制设备，其包括温度传感器、温度信息选择部分、刷新命令接收部分和触发发布频率设置部分。
存储控制设备系统

[发明专利]半导体存储器件以及多层芯片半导体器件-CN201010282858.3有效
发明人： 黑田真实 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-09-13 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：这里公开了半导体存储器件和多层芯片半导体器件。该半导体存储器件包括：半导体基片；在半导体基片上形成并被配置为允许数据输入和输出的多个焊盘；以及集成在半导体基片上的存储器芯块以及I/O块。有效地以两倍的最大存取速率输入数据项到多个焊盘和从多个焊盘输出数据项。
半导体存储器件以及多层芯片半导体器件

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