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- [发明专利]半导体器件和制造方法-CN202311050444.1在审
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亚当·R·布朗;里卡多·L·杨多克
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安世有限公司
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2018-10-23
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2023-10-27
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H01L23/495
- 本公开涉及一种半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：布置在相应的第一载体和第二载体上的第一半导体裸片和第二半导体裸片，第一半导体裸片和第二半导体裸片各自包括布置在相应半导体裸片的顶部主表面上的第一接触和第二接触以及布置在相应半导体裸片的底部主表面上的第三接触；第一裸片连接部分和第二裸片连接部分，布置在相应的第一载体和第二载体上，所述第一载体和第二载体连接到相应的第一半导体裸片和第二半导体裸片的第三接触；以及第一接触连接构件，从第一半导体裸片的第一接触延伸到第二载体的裸片连接部分，第一半导体裸片的第一接触与第二半导体裸片的第三接触电连接。
- 半导体器件制造方法
- [发明专利]无电感器的功率转换器-CN202310420924.6在审
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乔兰·彼得·范德费尔登
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安世有限公司
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2023-04-19
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2023-10-24
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H02M3/04
- 本公开涉及用于将输入端子处的输入电压以一转换率转换为输出端子处的输出电压的无电感器的功率转换器，该功率转换器包括多个级联的电容器级，每个电容器级包括并联连接在电容器级的输入端子对和输出端子对上的飞跨电容器，在每个级联的级之间设置开关块，开关块包括输入和输出端子对以及开关装置，开关装置用于将开关块的输入端子这一与输出端子之一相连接，用于将相应电容器级的电容器的顶板或底板与相应后一级联电容器级的电容器的顶板或底板连接，功率转换器还包括控制单元，该控制单元被布置成根据预定转换率设定的列表中的选定转换率设定来操作每个开关块的开关装置，每个预定转换率设定表示不同的转换率并且包括每个开关块的连接状态，其中预定转换率设定被限定为使得每个飞跨电容器的稳态电压在每个转换率设定之间相等，以用于以无损方式在转换率设定之间切换。
- 电感器功率转换器
- [发明专利]沟槽-栅半导体器件及其制造方法-CN202310384343.1在审
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穆罕默德·伊姆兰·西迪基;史蒂文·皮克
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安世有限公司
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2023-04-12
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2023-10-20
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H01L29/78
- 本公开涉及一种沟槽‑栅半导体器件及其制造方法。该器件包括一个或多个单位单元，并且各单位单元包括沟槽、设置在沟槽的侧壁的上部上的第一氧化物层以及设置在沟槽的侧壁的下部和沟槽的底部上的第二氧化物层，所述第一氧化物层形成单位单元的栅极氧化物。此外，各单位单元包括设置在沟槽内的栅极，该栅极通过第一氧化物层与侧壁的上部隔开，第一多晶硅区形成单位单元的栅极；设置在沟槽内的第二多晶硅区，该第二多晶硅区通过第二氧化物层与侧壁的下部以及沟槽的底部隔开，第二多晶硅区形成单位单元的埋入式源极；以及设置在第一多晶硅区和第二多晶硅区之间的第三氧化物层。此外，各单位单元包括第一电荷类型的本体区，其中本体区通过第一氧化物层与栅极隔开。从半导体区的顶表面到本体区的底表面的第一距离等于或小于3微米，并且从半导体区的顶表面到第一多晶硅区的底表面的第二距离延伸超过本体区的底表面至少0.3微米。
- 沟槽半导体器件及其制造方法
- [发明专利]转移半导体电路的装置-CN202310350794.3在审
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拉尔夫·许伯斯
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安世有限公司
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2023-04-04
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2023-10-17
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H01L21/677
- 本发明提出一种用于将芯片从第一位置转移至至少第二位置的装置，该装置包括：至少一个可旋转转移组件，其包括至少两个转移头，每个转移头构造成在第一位置拾取芯片，并且构造成通过至少一个可旋转转移组件绕旋转轴线的旋转将芯片定位在至少第二位置；转移组件致动器，其用于绕旋转轴线驱动可旋转转移组件以及至少两个转移头；以及至少第一转移头致动器，其构造成相对于旋转轴线在径向方向上致动至少一个转移头，至少第一转移头致动器安装至可旋转转移组件致动器并且包括联接至至少一个转移头的致动器元件，致动器元件构造成相对于可旋转转移组件致动器在旋转轴线的方向上致动。
- 转移半导体电路装置
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