专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种高稳定性双轴电机-CN202320339172.6有效
  • 刘清国;周文涛;谢秋实 - 晋江市成达齿轮有限公司
  • 2023-02-28 - 2023-08-08 - H02K9/06
  • 本实用新型公开了一种高稳定性双轴电机,其技术方案是:包括电机壳,电机壳内部固定设有两个支撑架,两个支撑架内部均嵌设有多个滤网,两个支撑架内部插接有电机轴,电机轴两端均设有稳定散热机构;稳定散热机构包括连接套,连接套固定套设于电机轴外部,一种高稳定性双轴电机有益效果是:通过扇叶转动对电机壳内部进行送风,因另一端不能对传动环进行传动,使得另一端的扇叶不能转动,达到电机轴在转动时总有一侧扇叶转动向电机壳内部送风,使得电机壳内部的空气流通便于散热,提高使用时的稳定性,同时转动中的扇叶送入的空气将电机壳内部的热空气散出的同时还能对另一侧的滤网进行反吹,进一步提高滤网的清洁度。
  • 一种稳定性电机
  • [发明专利]一种金属层的刻蚀方法-CN201510614154.4有效
  • 谢秋实 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2015-09-23 - 2022-04-22 - H01L21/3213
  • 本发明提供了一种金属层的刻蚀方法,涉及半导体技术领域,能够实现对金属层较精细的刻蚀,提高刻蚀后金属层表面的平滑度和均匀度。该方法包括:步骤S1:采用氧化性气体对待刻蚀的金属层进行氧化,将金属层的表层氧化成金属氧化层;步骤S2:采用刻蚀气体对金属氧化层进行刻蚀,去除金属氧化层;循环执行步骤S1和步骤S2,直至金属层的厚度为所需要的厚度为止。上述方法用于刻蚀金属层。
  • 一种金属刻蚀方法
  • [实用新型]一种齿轮的锥度检测装置-CN202121860685.9有效
  • 谢秋实;刘清国;欧阳宏波 - 晋江市成达齿轮有限公司
  • 2021-08-10 - 2022-02-25 - G01B5/24
  • 本实用新型公开了一种齿轮的锥度检测装置,涉及齿轮检测技术领域。一种齿轮的锥度检测装置,包括检测台,所述检测台顶端固定有检测轴,所述检测轴轴体固定有连接盘,所述连接盘盘体连接有支撑装置,所述检测台顶端固定有竖板,所述竖板顶部固定有横板,所述横板顶部活动连接有转轴,所述转轴轴体活动连接有滑板,所述滑板顶端两侧通过第二紧固螺栓连接有挤压板,所述检测台顶端分别活动连接有第一支架和第二支架。本实用新型设置有竖板、转轴、滑板、第二紧固螺栓和挤压板,转动转轴时,可实现滑板和挤压板的移动,使挤压板挤压住待检测的齿轮,从而将齿轮进行固定,使齿轮不易移位,提高了检测的准确性。
  • 一种齿轮锥度检测装置
  • [发明专利]图形片及半导体中间产物-CN202010306855.2有效
  • 谢秋实;史小平;周清军;李东三;王春;张轶铭 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2020-04-17 - 2022-02-22 - H01L23/538
  • 本发明公开一种图形片及半导体中间产物,图形片包括自上而下依次层叠设置的第一掩膜层、第二掩膜层、介质层和衬底层,第一掩膜层为光刻胶层;第一掩膜层具有第一图形孔,第一图形孔沿第一掩膜层的厚度方向贯穿第一掩膜层,第一掩膜层的厚度为d1,第二掩膜层的厚度为d2,介质层的厚度为d4,衬底层与第一掩膜层的选择比为S1,衬底层与第二掩膜层的选择比为S2,介质层与第一掩膜层的选择比为S3,介质层与第二掩膜层的选择比为S4,第二掩膜层与第一掩膜层的选择比为S5;其中,d1·S5>d2,且d2≥(d1-d4/S3)·S2/S1+d4/S4;或者,d1·S5=d2,且d2>(d1-d4/S3)·S2/S1+d4/S4。采用上述技术方案可以在衬底层上形成深度较大的孔,以满足使用需求。
  • 图形半导体中间产物
  • [实用新型]一种锥面检测装置-CN202122007629.7有效
  • 谢秋实;周文涛;颜在永 - 晋江市成达齿轮有限公司
  • 2021-08-25 - 2022-01-18 - G01B5/28
  • 本实用新型公开了一种锥面检测装置,涉及检测工具技术领域。一种锥面检测装置,包括支撑架,所述支撑架底部设置有测量组件,所述支撑架两侧均设置有支撑板,所述支撑板之间设有电动滑轨,所述电动滑轨外部滑动连接有电动滑块,所述电动滑轨底部设置有传送带,所述电动滑块底部设有抓取组件,所述抓取组件包括气缸,两所述气缸固定于电动滑块底部两侧,所述气缸底部固定连接有固定架,所述固定架底部转动连接有螺纹棒。本实用新型通过设置的控制器、抓取组件和电动滑轨等结构的相互配合,能够方便快捷的拿取和放置锥形齿,无需人工手动操作,节省了人力成本,提高了工作效率,实用性较强,省时省力。
  • 一种锥面检测装置
  • [实用新型]一种轴内径检测装置-CN202122007630.X有效
  • 陈江林;王维权;谢秋实 - 晋江市成达齿轮有限公司
  • 2021-08-25 - 2022-01-18 - G01B21/14
  • 本实用新型公开了一种轴内径检测装置,涉及产品检测技术领域。一种轴内径检测装置,包括底板,所述底板底部一侧固定连接有固定机构,所述固定机构包括第一固定环,所述第一固定环一侧滑动连接有滑动齿条,所述第一固定环外侧开设有滑动孔,所述第一固定环内部转动连接有齿轮环,所述齿轮环一侧固定连接有拉杆,且拉杆和滑动孔相适配,所述齿轮环内部均转动连接有转动齿轮,且转动齿轮和滑动齿条相啮合。本实用新型通过滑动齿条、弧形夹板和齿轮环的设置,实现了能够通过滑动齿条、弧形夹板和齿轮环的配合,进而能够将需要测量的轴进行固定,避免手持时产生的抖动,降低了测量误差,从而提高了产品的合格率。
  • 一种内径检测装置
  • [实用新型]一种铁屑回收设备-CN202121595405.6有效
  • 谢秋实 - 晋江市成达齿轮有限公司
  • 2021-07-14 - 2022-01-04 - B03C1/20
  • 本实用新型公开了一种铁屑回收设备,涉及金属回收技术领域。一种铁屑回收设备,包括磁性输送带,所述磁性输送带一端固定安装有电机,所述磁性输送带输出端底部固定连接有可调节刮板机构,所述可调节刮板机构包括刮板底架,所述刮板底架之间固定安装有旋转轴,所述旋转轴两端均固定安装有刮板支架,所述刮板支架底部活动连接有调节杆,所述刮板支架顶部固定安装有刮板。本实用新型设置有可调节刮板机构,通过按压调节杆底部的弹片将弹片外侧卡扣在卡扣槽中滑动的方式来带动调节杆,由于调节杆的移动将刮板撑起不同的倾斜角度,从而达到刮取不同大小铁屑的效果。
  • 一种铁屑回收设备
  • [实用新型]一种易于更换滚齿刀的滚齿机用刀座工装-CN202121595164.5有效
  • 谢秋实 - 晋江市成达齿轮有限公司
  • 2021-07-14 - 2021-12-07 - B23F23/12
  • 本实用新型公开了一种易于更换滚齿刀的滚齿机用刀座工装,涉及机械加工技术领域。一种易于更换滚齿刀的滚齿机用刀座工装,包括固定架,所述固定架一端固定连接有夹紧机构,所述夹紧机构包括固定柱,所述固定柱内部滑动连接有转动柱,所述转动柱外侧均固定连接有滑动块,且转动柱和固定柱的外侧均固定连接有固定环,所述固定环一侧均固定连接有斜块,且斜块和滑动块相适配,所述固定架另一端固定连接有固定板。本实用新型通过固定柱、转动柱、滑动块和斜块的设置,实现了能够通过固定柱、转动柱、滑动块和斜块的配合,进而能够快速的将滚齿刀进行拆卸和安装,缩短了跟换时间,从而提高了生产效率。
  • 一种易于更换滚齿刀滚齿机用刀座工装
  • [发明专利]高转材料齿轮电机轴生产装置及其制造方法-CN202110919975.4在审
  • 陈江林;周文涛;谢秋实 - 晋江市成达齿轮有限公司
  • 2021-08-11 - 2021-12-03 - B23P23/04
  • 本发明公开了高转材料齿轮电机轴生产装置及其制造方法,涉及齿轮电机轴生产设备技术领域。高转材料齿轮电机轴生产装置及其制造方法,包括控制机架,控制机架顶部分别安装有切削机构和打磨机构,切削机构包括侧面贯穿开设有孔的滑块,滑块顶部分别设置有固定板和滑板,固定板与滑块固定连接,固定板与滑板滑动连接,滑板正面贯穿开设有滑孔,滑板正面开设滑孔处固定连接有进退丝套,滑块正面固定连接有电机架,电机架背面安装有进退电机。本发明根据电机轴的加工特性,通过设置能够自动控制位置的进行切削机构,利用刀头和钻孔头的相互配合能够完成齿轮电机轴的自动加工,相较于传统车床加工电机轴操作更加的便捷生产效率更高。
  • 材料齿轮机轴生产装置及其制造方法
  • [发明专利]一种深硅刻蚀工艺-CN201610539981.6有效
  • 胡竞之;谢秋实;蒋中伟 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2016-07-11 - 2020-10-13 - H01L21/306
  • 本发明公开了一种深硅刻蚀工艺,包括:沉积步骤,生成保护层以对图形底部和侧壁进行保护;刻蚀步骤,对图形底部和侧壁进行刻蚀;重复沉积步骤和刻蚀步骤至整个深硅刻蚀工艺结束;在沉积步骤中,加载下电极功率,以使在图形底部生成的保护层的厚度大于在图形侧壁生成的保护层的厚度。不同槽宽尺寸图形内,大尺寸槽宽图形底部生成的保护层的厚度加重比例高于小尺寸槽宽图形。随刻蚀深度增加,在刻蚀速率不变的情况下,缩小同一尺寸槽宽图形内侧壁和底部刻蚀时间的差值,改善图形的刻蚀槽底部收的状态;不同尺寸槽宽图形内,缩小大尺寸槽宽图形和小尺寸槽宽图形单步刻蚀步骤速率差值,可有效改善刻蚀过程中负载效应。
  • 一种刻蚀工艺
  • [发明专利]一种刻蚀工艺-CN201510610940.7有效
  • 谢秋实 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2015-09-23 - 2020-07-17 - H01L21/3065
  • 本发明提供了一种刻蚀工艺。该刻蚀工艺包括刻蚀步骤和沉积步骤,刻蚀步骤和沉积步骤交替循环,刻蚀步骤和沉积步骤的工艺压强均随着深宽比的提高在一定范围内逐渐降低,当深宽比达到预设值时,则后续每次刻蚀步骤包括以下步骤:第一步骤,通入刻蚀气体,保持沉积功率继续加载第一预设时间,直至上一所述沉积步骤残留的沉积气体排出槽外;第二步骤,切换沉积功率为刻蚀功率,直至刻蚀步骤结束。本发明提供的刻蚀工艺,其可以实现更高的深宽比,如60:1甚至更高。
  • 一种刻蚀工艺
  • [发明专利]一种二氧化硅的刻蚀方法-CN201510564878.2有效
  • 谢秋实 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2015-09-07 - 2020-01-03 - G02B6/136
  • 本发明公开了一种二氧化硅的刻蚀方法,涉及刻蚀技术领域,能够减轻二氧化硅的刻蚀负载效应。该刻蚀方法包括:第一步,对二氧化硅进行刻蚀以形成宽槽和窄槽,且宽槽的深度大于窄槽的深度;第二步,在所述宽槽和所述窄槽内均沉积刻蚀阻挡层,且所述宽槽内刻蚀阻挡层的厚度大于所述窄槽内刻蚀阻挡层的厚度;第三步,对所述宽槽内和所述窄槽内的刻蚀阻挡层进行刻蚀,直至所述宽槽底部的刻蚀阻挡层有残留,所述窄槽底部的刻蚀阻挡层完全去除;第四步,对所述宽槽和所述窄槽进行刻蚀。该刻蚀方法用于对二氧化硅光波导进行刻蚀。
  • 一种二氧化硅刻蚀方法
  • [发明专利]一种深硅刻蚀工艺-CN201510762111.0有效
  • 谢秋实 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2015-11-10 - 2019-10-29 - H01L21/3065
  • 本发明提供了一种深硅刻蚀工艺,包括交替执行的刻蚀步骤和沉积步骤,刻蚀步骤的工艺压强设置为预设压强,用以提高工艺环境中自由基相对离子的比例;和/或,刻蚀步骤包括:通入刻蚀气体和在当前工艺压强下平均自由程在预设范围内的保护气体,保护气体用于阻挡刻蚀气体对深度在预设范围内的刻蚀槽侧壁的刻蚀。本发明提供的深硅刻蚀工艺,能够从根本上改善刻蚀槽侧壁的粗糙度,从而能够进一步降低粗糙度;甚至能够在从根本上改善刻蚀槽侧壁的粗糙度的同时能够保证甚至提高刻蚀效率。
  • 一种刻蚀工艺
  • [发明专利]反应腔室的清洗方法-CN201410369481.3有效
  • 王京;谢秋实 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2014-07-30 - 2019-01-18 - H01L21/67
  • 本发明提供一种反应腔室的清洗方法,其包括以下步骤:对反应腔室进行干法清洗,并随着清洗时间的增加,按预定规则调节反应腔室的腔室压强,以使其自预设的最高压强值下降至最低压强值,或者自预设的最低压强值上升至最高压强值。本发明提供的反应腔室的清洗方法,其不仅可以缩短清洗时间,而且还可以改善清洗效果,从而可以延长湿法清洗和维护的周期。
  • 反应清洗方法
  • [发明专利]腔室组件-CN201410160410.2有效
  • 谢秋实 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2014-04-21 - 2018-09-28 - H01L21/67
  • 本发明公开了一种腔室组件,包括平面线圈、反应腔室和进气组件,平面线圈位于反应腔室顶部盖板处;进气组件与反应腔室相连,用于向反应腔室内充入气体,进气组件中气体通入反应腔室的初速度方向与平面线圈产生的电场方向相交。本发明的腔室组件通过设置进气组件中气体通入反应腔室的初速度方向与平面线圈产生的电场方向相交,从而延长气体被电离后离子在反应腔室的运动轨迹及滞留时间,减少了到达晶圆表面的离子浓度,最终提高了光刻胶与硅材料的刻蚀选择比。
  • 组件

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