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- [发明专利]一种沟道处理方法及存储介质-CN202310826153.0在审
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杨欣;郭振强;黄鹏;孙少俊
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华虹半导体（无锡）有限公司
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2023-07-06
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2023-10-24
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H01L21/762
- 本发明属于微电子技术领域，尤其涉及一种沟道处理方法及存储介质；于紧前的沟槽成型步骤形成基础拓扑即沟槽隔离结构（111），于内缩PB（Pull Back）的沟槽上进一步构造处置层的介质结构，即第五膜结构（050）；进而可结合沟槽隔离结构（111）的物理特征，例如浅沟槽隔离结构STI（Shallow Trench Isolation），生成功能单元，又如存储介质；其中，第五膜结构（050）可采用去耦合等离子氮化工艺DPN（Decoupled Plasma Nitridation）来构造，可有效缓冲高宽比制程HARP（High Ratio Process）在沟道产生的应力，亦可确保特定载流子的迁移率；其方法可有效改善静态随机存储器SRAM（Static Random Access Memory）的失配（Mismatch）特性，提升器件的一致性（Uniformity）、减少漏电并提升产品良率；其方法及产品的制备无须添置步骤，可在原制程上灵活升级。
- 一种沟道处理方法存储介质
- [发明专利]半导体基底的制备方法及半导体器件-CN202110757022.2有效
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杨航;全钟声
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长鑫存储技术有限公司
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2021-07-05
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2023-10-24
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H01L21/762
- 本发明提供一种半导体基底的制备方法及半导体器件。该方法包括：在半导体衬底上形成有源区与隔离沟槽；在隔离沟槽中以及有源区的表面沉积绝缘氧化物，其中，位于隔离沟槽中的绝缘氧化物为隔离结构，位于隔离结构的表面和有源区的表面的绝缘氧化物为隔离层；去除隔离层，使隔离结构的表面与有源区的表面平齐；蚀刻有源区至一预设深度，形成有源凹槽；在有源凹槽中外延生长半导体衬底，使有源区的表面与隔离结构的表面平齐。本发明的制备方法能够消除隔离结构与隔离沟槽的应力，保证了有源区不会受到应力破坏而产生缺陷或裂缝，同时避免影响器件的沟道中载流子的迁移率而影响器件性能，提高了半导体器件的良率。
- 半导体基底制备方法半导体器件
- [发明专利]制造应变绝缘体上半导体衬底的方法-CN201780029897.2有效
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沃尔特·施瓦岑贝格;G·夏巴纳;尼古拉斯·达瓦尔
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索泰克公司
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2017-05-17
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2023-10-24
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H01L21/762
- 本发明涉及制造应变绝缘体上半导体衬底的方法，所述方法包括：(a)提供包括单晶半导体层(13)的供体衬底(1)；(b)提供包括应变单晶半导体材料的表面层(20)的接收衬底(2)；(c)使所述供体衬底(1)与所述接收衬底(2)接合，介电层(11,22)位于界面处；(d)将所述单晶半导体层(13)从所述供体衬底(1)转移至所述接收衬底(2)；(e)从由所转移的单晶半导体层(13)、所述介电层(11,22)和所述应变半导体材料层(20)形成的堆叠体切割下一部分，所述切割操作导致所述应变半导体材料中应变的弛豫，并且导致将所述应变的至少一部分施加至所转移的单晶半导体层。步骤(b)另外包括在所述接收衬底(2)的应变半导体材料层(20)上形成介电接合层(22)或由与所述供体衬底(1)的单晶半导体层(13)相同的弛豫或至少部分弛豫的单晶材料组成的接合层(23)，并且在步骤(c)中，所述接合层(22,23)位于所述供体衬底和所述接收衬底之间的接合界面处。
- 制造应变绝缘体上半导体衬底方法
- [发明专利]半导体结构的形成方法-CN202310965644.3在审
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张明;张明堂;宋受壮;胡俊杰;肖畅
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长鑫科技集团股份有限公司
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2023-07-31
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2023-10-13
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H01L21/762
- 本公开关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构的形成方法，该形成方法包括：提供衬底，衬底包括浅沟槽隔离结构以及由浅沟槽隔离结构分隔成的多个有源区；形成覆盖浅沟槽隔离结构和有源区的绝缘层；在绝缘层的表面形成隔离层；对有源区和位于有源区顶部的绝缘层及隔离层进行蚀刻，以形成位线接触孔和隔离结构；形成覆盖隔离结构并填满位线接触孔的接触材料层；以隔离结构为停止层对接触材料层进行第一次研磨，以使接触材料层的表面与隔离结构的顶面齐平；以绝缘层为停止层对接触材料层进行第二次研磨，以在位线接触孔内形成位线接触结构，位线接触结构的顶面与绝缘层的顶面齐平。本公开的形成方法可改善位线接触结构的表面轮廓，减小结构缺陷。
- 半导体结构形成方法
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