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[发明专利]用于芯片排版的方法、设备和介质-CN202310948083.6有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 全芯智造技术有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：根据本公开的示例实施例提供了用于芯片排版的方法、设备和介质。在该方法中，获取多个元素，该多个元素中的每个元素表示待摆放在排版区域内的多个芯片中的一个芯片。然后，按照多个元素的摆放顺序，依次从多个元素中选择目标元素。进一步地，将排版区域作为目标区域来针对目标元素执行以下排版操作：基于目标区域的边界、以及目标区域中已摆放的至少一个参考元素，确定用于从目标元素的初始位置起在第一方向上移动目标元素的多个候选第一距离；以及基于多个候选第一距离，将目标元素摆放在目标区域中。以此方式，一方面可以减少待摆放元素在第一方向上所需要遍历的候选移动距离的数目，从而提高排版效率。另一方面，可以提高晶圆的面积利用率。
用于芯片排版方法设备介质

[发明专利]半导体器件及其制造方法和参数优化方法-CN202310880691.8有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 全芯智造技术有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及其制造方法和参数优化方法。半导体器件包括双端口静态随机存储器DP‑SRAM阵列，DP‑SRAM阵列具有多个DP‑SRAM单元，每个DP‑SRAM单元包括：第一反相器和第二反相器，其输入和输出交叉耦合以形成用于存储数据的第一存储节点和第二存储节点以及第一对传输晶体管和第二对传输晶体管。第一传输晶体管包括在第一存储节点侧的第一晕区，以及在第一位线对中对应于第一存储节点的位线侧的第二晕区，第一晕区的杂质注入浓度小于所述第二晕区的杂质注入浓度，并且所述第四传输晶体管包括在所述第二存储节点侧的第三晕区，以及在所述第二位线对中对应于所述第二存储节点的位线侧的第四晕区，所述第三晕区的杂质注入浓度小于所述第四晕区的杂质注入浓度。
半导体器件及其制造方法参数优化

[发明专利]光学临近效应矫正方法及装置、可读存储介质、终端-CN202311156177.6在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 全芯智造技术有限公司
申请日： 2023-09-07 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种光学临近效应矫正方法及装置、可读存储介质、终端，所述方法包括：步骤A：对待修正版图中的各个待修正图形进行分割，每个待修正图形的每条边被分割为一条或多条线段，每条线段具有至少一个控制点；步骤B：对所述待修正版图进行光刻模型仿真，根据仿真结果确定至少一部分控制点的光强误差；步骤C：基于所述光强误差和预设光强阈值，确定至少一部分光强误差对应的控制点的近似零点，并判断该控制点是否处于震荡状态，以确定该控制点的移动偏移量。本发明可以有效提高光学临近效应矫正的矫正效果。
光学临近效应矫正方法装置可读存储介质终端

[发明专利]芯片缺陷分析方法、电子设备及存储介质-CN202311147304.6在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 全芯智造技术有限公司
申请日： 2023-09-06 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本公开的示例实施例涉及芯片缺陷分析方法、电子设备及存储介质。芯片缺陷分析方法，包括：基于芯片设计文件确定芯片中的多个基本设计单元的第一统计信息，其中芯片设计文件中包括芯片的版图的信息；基于初步诊断数据确定芯片中与多个基本设计单元分别相关的候选失效对象的数量，以获得第二统计信息，其中初步诊断数据包括指示候选失效对象的失效状态的相关信息；以及基于第一统计信息和第二统计信息来确定芯片中系统性失效的基本设计单元。本公开的实施例能够实现对芯片缺陷进行更加快速、更加省力、更加精准的分析，节省时间和设备成本。
芯片缺陷分析方法电子设备存储介质

[发明专利]良率分析的方法、装置和计算机可读存储介质-CN202010172049.0有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 全芯智造技术有限公司
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G06F16/93 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及良率分析的方法、装置和计算机可读存储介质。该方法包括：提取低良率晶圆数据的至少一个特征，所述至少一个特征与低良率案件档案库中的至少一个特征相对应；基于所述至少一个特征，确定所述低良率晶圆数据与所述低良率案件档案库中的低良率案件的相似度；基于所述相似度，确定所述低良率档案库中与所述低良率晶圆数据匹配的特定低良率案件；以及获取与所述特定低良率案件相关的档案信息，以指导对所述低良率晶圆数据的分析。
分析方法装置计算机可读存储介质

[发明专利]用于分析工艺数据的方法和设备以及计算机可读介质-CN202010507992.2有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 全芯智造技术有限公司
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G06Q10/063 文献下载
摘要：本文描述了用于分析工艺数据的方法和设备以及计算机可读介质。在此描述的用于分析工艺设备收集的工艺数据的方法，包括：基于与工艺数据和良率相关联的数据库，确定与工艺数据相关联的规格范围；将待处理工艺数据与所述规格范围进行比较；如果确定所述待处理工艺数据超出所述规格范围，确定与所述待处理工艺数据相对应的晶圆的良率是否正常；以及如果确定所述良率正常，更新所述数据库使得所述规格范围包括与所述待处理工艺数据相对应的范围。
用于分析工艺数据方法设备以及计算机可读介质

[发明专利]用于资源授权和访问的方法、系统和计算机存储介质-CN202011480822.6有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 全芯智造技术有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H04L9/40 文献下载
摘要：本公开的实施例提供了用于资源授权和访问的方法、设备和计算机存储介质。一种资源授权方法，应用于第一服务器，包括：从客户端接收用于访问目标资源的第一请求；向第二服务器发送针对密钥的第二请求，密钥与目标资源有关，第二服务器用于针对目标资源的访问许可管理；如果从第二服务器接收到密钥，基于密钥生成令牌，令牌用于授权客户端访问目标资源；以及向客户端发送令牌，以使得客户端使用令牌来访问目标资源。根据本公开的用于资源授权和访问的方案可以实现灵活、有效的授权控制。
用于资源授权访问方法系统计算机存储介质

[发明专利]生成电路版图图案的方法、设备和计算机可读存储介质-CN202010413097.4有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 全芯智造技术有限公司
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：根据本公开的示例实施例，提供了用于生成电路版图图案的方法、设备和计算机可读存储介质。一种生成电路版图图案的方法包括获得与电路版图中的一个或多个图案有关的图案信息。该方法还包括通过改变由图案信息指示的一个或多个图案，生成一组候选图案。该方法进一步包括基于一组候选图案和图案选择条件，生成关键图案集，图案选择条件限定具有潜在缺陷的图案类型。以此方式，能够获得包括大量关键图案的图案集，从而促进减少工艺的开发成本。
生成电路版图图案方法设备计算机可读存储介质

[发明专利]多重图案化光罩版图的生成方法和设备及计算机可读介质-CN201911401569.8有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 全芯智造技术有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本文描述了多重图案化光罩版图的生成方法和设备及计算机可读介质。在此描述的用于多重图案化的光罩版图的生成方法包括：从接收的设计版图的图案单元中，分配所述图案单元的与划分的第一层级相对应的第一层级单元；对所述第一层级单元执行版图拆解，以生成经拆解的第一层级的子单元集合；对所述第一层级的子单元集合执行校正处理，以生成第一层级的校正子单元集合；以及基于所述第一层级的校正子单元集合来生成所述光罩版图。还描述了电子设备和计算机可读介质。根据本公开的实施例，能够提高版图拆解与校正处理的一致性并且缩短生成多重图案化的光罩版图所需要的时间。
多重图案化光罩版图生成方法设备计算机可读介质

[发明专利]用于生成数据处理模型和版图的方法、设备和存储介质-CN202010108722.4有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 全芯智造技术有限公司
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G06F30/39 文献下载
摘要：根据本公开的示例实施例，提供了用于生成数据处理模型和版图的方法、设备和计算机可读存储介质。用于生成数据处理模型的方法包括获取第一半导体工艺的第一数据集，第一数据集包括与所述第一半导体工艺相关的第一样本版图的图案信息。该方法还包括获取第二半导体工艺的第二数据集，第二数据集包括与第二半导体工艺相关的第二样本版图的图案信息，第一半导体工艺和第二半导体工艺具有至少一个取值相同的属性。该方法进一步包括通过将第一数据集作为原始数据，以及将第二数据集作为目标数据，确定用于生成预测版图的数据处理模型，预测版图与第二半导体工艺相关。以此方式，可以预测新工艺的版图，从而减小新工艺开发的时间和成本。
用于生成数据处理模型版图方法设备存储介质

[发明专利]生成及使用图刻模型的方法、电子设备和计算机可读介质-CN202310619938.0有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 全芯智造技术有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G06V10/774 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及生成及使用图刻模型的方法、电子设备和计算机可读介质。该生成图刻模型的方法包括获取多对图刻数据，其中每对图刻数据包括相互匹配的第一数据和第二数据，第一数据指示预定图刻处理的设计图刻图形，并且第二数据指示预定图刻处理使用设计图刻图形所图刻出的实际图刻图形。方法还包括根据多对图刻数据的第一数据之间的相似度，将多对图刻数据划分为多个批次，其中每个批次包括至少一对图刻数据。方法还包括分别使用多个批次对预定图刻模型进行训练，以生成图刻模型。根据本公开的实施例的方法，能够提高生成图刻模型的速度、节省生成模型的时间、节省计算资源，并能够提高使用图刻模型进行预测的精确度。
生成使用模型方法电子设备计算机可读介质

[发明专利]用于生成电路版图图案的方法、设备和存储介质-CN202010414302.9有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 全芯智造技术有限公司
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：根据本公开的示例实施例，提供了用于生成电路版图图案的方法、设备和计算机可读存储介质。一种生成电路版图图案的方法包括获取与电路版图中的几何图形的尺寸和位置相关的约束条件。该方法还包括从约束条件，确定用于约束单个几何图形的尺寸范围和用于约束相邻几何图形的间距范围。该方法进一步包括基于尺寸范围和间距范围，生成样本图案集，样本图案集中的样本图案包括至少一个几何图形。以此方式，所获得的样本图案集具有大量且多样的样本图案，并且每个样本图案都符合设计规则。
用于生成电路版图图案方法设备存储介质

[发明专利]版图热点验证方法及装置、存储介质、终端设备-CN202211736952.0在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 全芯智造技术有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：一种版图热点验证方法及装置、存储介质、终端设备，版图热点验证方法包括：获取针对同一测试芯片的预测版图热点以及DFT诊断结果，所述DFT诊断结果包括版图支路；根据所述预测版图热点在所述测试芯片中的第一位置以及各个版图支路在所述测试芯片中的第二位置确定各个预测版图热点是否为实际失效点。本申请技术方案能够实现对版图热点的验证，并提升验证的有效性。
版图热点验证方法装置存储介质终端设备

[发明专利]半导体结构的仿真方法及装置、可读存储介质、终端-CN202310484739.3在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 全芯智造技术有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G06F30/39 文献下载
摘要：一种半导体结构的仿真方法及装置、可读存储介质、终端，所述方法包括：采用基准工艺条件对所述半导体结构进行第一级仿真，以确定每类子器件的基准器件紧凑模型；对于每种电学特性参数，确定多个分批条件下的各类子器件的电学特性仿真参数，分别代入对应的子器件的基准器件紧凑模型，以得到每类子器件在每个分批条件下的分批器件紧凑模型；对于每种分批条件，采用各类子器件的分批器件紧凑模型进行第二级仿真，以确定所述半导体结构的预设的器件核参数的仿真值；对于每个器件核参数，确定该器件核参数的拟合模型中的各个拟合系数；确定所述各类子器件的电学特性参数的目标值。本发明可以提升拟合结果的可控性和准确性。
半导体结构仿真方法装置可读存储介质终端

[发明专利]CMP工艺预测、预测模型训练方法及装置、计算设备-CN202310777794.1在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 全芯智造技术有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请提供了一种CMP工艺预测、预测模型训练方法及装置、计算设备，CMP工艺预测方法包括：获取芯片版图数据中多个待预测点的CMP工艺的工艺特征；对所获取的各个预测点进行聚类，以得到聚类结果，所述聚类结果包含多个类别，每一类别包括至少一个待预测点；将聚类结果输入至预测模型，以得到每一待预测点的预测结果，所述预测结果包括CMP工艺的高度值，所述预测模型包括多个预测子模型，每一预测子模型对应一个类别。本申请能够提升对CMP工艺预测的准确性，以辅助改进工艺，提高良率。
cmp 工艺预测模型训练方法装置计算设备

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