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[发明专利]基于金属纳米点沟道的晶体管的制造方法及制得产品-CN201410279462.1有效
发明人：张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-06-20 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该方法包括：一种形成基于金属纳米点沟道的鳍式场效应晶体管的方法，包括：在衬底上形成鳍状结构；在所述鳍状结构表面形成绝缘层；利用间隙填充物填充所述鳍状结构之间的间隙；暴露所述鳍状结构的顶部；在所述间隙填充物和所述鳍状结构的顶部上形成金属纳米点阵列；以及去除所述间隙填充物以及所述间隙填充物上的金属纳米点，以形成仅在所述鳍状结构顶部具有金属纳米点的结构。
基于金属纳米沟道晶体管制造方法产品

[发明专利]致密山形鳍状场效应晶体管以及其制造方法-CN200680034288.8无效
发明人： J·拜因特内尔;T·路德维希;E·J·诺瓦克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-09-19 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：所述方法包括：利用第一掩模限定finFET的第一鳍状物，以及利用第二掩模限定finFET的第二鳍状物。所述结构包括一体化的单晶半导体材料的第一和第二鳍状物，并且第一和第二鳍状物的纵轴以相同晶向对准但彼此偏移。所述对准过程包括同时将栅极掩模上的对准标记与对准目标对准，所述对准目标通过用于限定第一鳍状物的第一掩模和用于限定第二鳍状物的第二掩模分离地形成。
致密山形场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]具有电介质隔离部的堆叠式三栅极晶体管及其形成工艺-CN202010197374.2在审
发明人： W·拉赫马迪;C-Y·黄;G·杜威;A·利拉克;P·莫罗;A·潘;E·曼内巴赫;J·T·卡瓦列罗斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该器件包括：第一半导体鳍状物；与第一半导体鳍状物的第一部分相邻的第一源极‑漏极外延区；与第一半导体鳍状物的第二部分相邻的第二源极‑漏极外延区；在第一半导体鳍状物上方的第一栅极导体；覆盖栅极导体的侧面的栅极间隔体；在第一半导体鳍状物下方的第二半导体鳍状物；在第二半导体鳍状物的第一侧面上的第二栅极导体和在第二半导体鳍状物的第二侧面上的第三栅极导体；与第二半导体鳍状物的第一部分相邻的第三源极‑漏极外延区；以及与第二半导体鳍状物的第二部分相邻的第四源极该器件还包括在第一半导体鳍状物下方和第二半导体鳍状物上方并且将第一半导体鳍状物和第二半导体鳍状物分开的电介质隔离结构。
具有电介质隔离堆叠栅极晶体管及其形成工艺

[发明专利]用于施加沟道应力的鳍状物修整插塞结构-CN201911226526.0在审
发明人： L·古勒尔;N·林德特;B·古哈;S·希瓦库马;T·加尼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开描述了用于施加沟道应力的鳍状物修整插塞结构。在示例中，集成电路结构包括包含硅的鳍状物，该鳍状物具有顶部和侧壁。鳍状物具有将第一鳍状物部分和第二鳍状物部分分隔开的沟槽。包括栅极电极的第一栅极结构在第一鳍状物部分的顶部之上并且在横向上与第一鳍状物部分的侧壁相邻。包括栅极电极的第二栅极结构在第二鳍状物部分的顶部之上并且在横向上与第二鳍状物部分的侧壁相邻。隔离结构在鳍状物的沟槽中，该隔离结构在第一栅极结构和第二栅极结构之间。隔离结构包括在横向上与第一电介质材料不同的凹陷的第二电介质材料的第一电介质材料，该凹陷的第二电介质材料在横向上围绕氧化催化剂层。
用于施加沟道应力鳍状物修整结构

[发明专利]鳍状场效晶体管结构及其形成方法-CN201710173984.7有效
发明人：黄彦钧;彭治棠;彭辞修;黄泰钧;许光源;包天一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：用于切割基板上的鳍状场效晶体管结构的鳍状片段的切割最后的工艺，采用两步工艺。在形成鳍状物后，沉积氧化物材料于鳍状场效晶体管结构的沟槽中。氧化物材料可为浅沟槽隔离氧化物或低应力的虚置填隙材料。通过蚀刻品可移除鳍状片段，并保留凹陷状(如u型或v型)的硅部分于鳍状物底部。当氧化物材料为浅沟槽隔离氧化物时，移除鳍状物后形成的孔洞可填有替换的浅沟槽隔离氧化物。当氧化物材料为虚置的填隙材料时，可移除虚置的填隙材料以置换成浅沟槽隔离氧化物；或者将虚置的填隙材料转变成浅沟槽隔离氧化物，并在上述转变步骤之前或之后填入替换的浅沟槽隔离氧化物。
鳍状场效晶体管结构及其形成方法

[发明专利]Ge和III-V族沟道半导体器件及制造方法-CN201910109659.3有效
发明人： R·皮拉里塞泰;S·达斯古普塔;N·戈埃尔;V·H·勒;M·拉多萨夫列维奇;G·杜威;N·慕克吉;M·V·梅茨;W·拉赫马迪;J·T·卡瓦列罗斯;B·舒金;H·W·肯内尔;S·M·塞亚;R·S·周 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：例如，一种半导体器件包括布置在半导体衬底上的半导体鳍状物。半导体鳍状物具有中心突出或凹陷段，沿半导体鳍状物的长度与突出外侧段对间隔开。覆层区布置在半导体鳍状物的中心突出或凹陷段上。栅极叠置体布置在覆层区上。源极区/漏极区布置在半导体鳍状物的所述突出外侧段对中。
ge iii 沟道半导体器件制造方法

[发明专利]具有最大顺从性和自由表面弛豫的Ge和III-V族沟道半导体器件-CN201380079044.1有效
发明人： R·皮拉里塞泰;S·达斯古普塔;N·戈埃尔;V·H·勒;M·拉多萨夫列维奇;G·杜威;N·慕克吉;M·V·梅茨;W·拉赫马迪;J·T·卡瓦列罗斯;B·舒金;H·W·肯内尔;S·M·塞亚;R·S·周 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：例如，一种半导体器件包括布置在半导体衬底上的半导体鳍状物。半导体鳍状物具有中心突出或凹陷段，沿半导体鳍状物的长度与突出外侧段对间隔开。覆层区布置在半导体鳍状物的中心突出或凹陷段上。栅极叠置体布置在覆层区上。源极区/漏极区布置在半导体鳍状物的所述突出外侧段对中。
具有最大顺从自由表面 ge iii 沟道半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN202210237062.9在审
发明人：潘冠廷;江国诚;朱熙甯;詹易叡;程冠伦;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：通过填充混合式鳍状物与半导体鳍状物结构之间的沟槽来形成侧壁间隔物的方法，侧壁间隔物包括被栅极侧壁间隔物部分连接的二个鳍状物侧壁间隔物部分。鳍状物侧壁间隔物部分具有实质上均匀的轮廓以对垂直堆叠的通道层提供均匀的保护并消除内间隔物与侧壁间隔物之间的任何间隙与漏电流。
半导体装置

[发明专利]具有横向尺寸不同的子鳍延伸区的带鳍IC结构-CN202110689630.4在审
发明人：谷曼;李文君;S·纳拉亚南 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明涉及具有横向尺寸不同的子鳍延伸区的带鳍IC结构。一种集成电路(IC)结构包括具有第一纵向延伸区和第二纵向延伸区的半导体鳍。该半导体鳍具有：上鳍部，其在第一纵向延伸区和第二纵向延伸区中具有统一的横向尺寸；位于上鳍部下方的第一子鳍部，其在第一纵向延伸区中且具有第一横向尺寸；以及位于上鳍部下方的第二子鳍部，其在第二纵向延伸区中且具有不同于第一横向尺寸的第二横向尺寸第二子鳍可用于横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的漏极扩展区中。无论LDMOS器件的类型如何，第二子鳍都减小了子鳍电流，并且提高了HCI可靠性。
具有横向尺寸不同延伸 ic 结构

[发明专利]具有背侧自对准导电穿通触点的集成电路结构-CN202210553668.3在审
发明人： L·P·古勒尔;S·叶梅尼乔格鲁;K·C·科柳鲁;M·J·科布林斯基;C·H·华莱士;T·加尼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：例如，一种集成电路结构包括在纳米线的第一堆叠体上方的第一子鳍状物结构。第二子鳍状物结构在纳米线的第二堆叠体上方。虚设栅极电极横向位于纳米线的第一堆叠体与纳米线的第二堆叠体之间。导电穿通触点在虚设栅极电极上并且与虚设栅极电极接触。
具有对准导电触点集成电路结构

[发明专利]半导体装置-CN201911050799.4在审
发明人：王培勋;周智超;陈仕承;张荣宏;黄瑞乾;林群雄;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例提供半导体装置，其包括半导体鳍状物、隔离结构、外延的源极/漏极结构以及硅化物层。半导体鳍状物位于基板上；隔离结构至少部分地围绕半导体鳍状物；外延的源极/漏极结构，位于半导体鳍状物上，其中外延的源极/漏极结构的延伸部分延伸于隔离结构上；硅化物层位于外延的源极/漏极结构上，且硅化物层连续围绕隔离结构上的外延的源极
半导体装置

[发明专利]双自对准栅极端盖（SAGE）架构-CN201910154499.4在审
发明人： S·苏布拉玛尼安;W·M·哈菲兹;S·戈万达拉朱;M·刘;S·S·廖;C-H·简;N·林德特;C·肯尼恩 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：在示例中，一种集成电路结构包括第一半导体鳍状物，所述第一半导体鳍状物具有沿第一半导体鳍状物的长度的切口。第二半导体鳍状物与第一半导体鳍状物平行。第一栅极端盖隔离结构在第一半导体鳍状物和第二半导体鳍状物之间。第二栅极端盖隔离结构在沿第一半导体鳍状物的长度的切口的位置中。
半导体鳍状物栅极端自对准架构隔离结构集成电路结构平行制造

[发明专利]半导体装置-CN202110733610.2在审
发明人：詹易叡;潘冠廷;江国诚;程冠伦;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：半导体装置包括沿着第一横向方向延伸的第一主动鳍状物结构以及第二主动鳍状物结构。此半导体装置包括虚置鳍状物结构，也沿着第一横向方向延伸，其设置于第一主动鳍状物结构与第二主动鳍状物结构之间。虚置鳍状物结构包括被配置以引起耦接至第一主动鳍状物结构的端点的第一源极/漏极结构与耦接至第二主动鳍状物结构的端点的第二源极/漏极结构的机械变形的材料。
半导体装置

[发明专利]半导体结构-CN201910160416.2在审
发明人：金志昀;林衍廷;戴荣吉;李健玮;丁姮彣;刘威民;李彦儒;宋学昌;郑培仁;李启弘;徐梓翔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：鳍状物位于基板上。鳍状物包括硅锗。界面层位于鳍状物上。界面层厚度大于0nm且小于或等于约4nm。源极/漏极区位于界面层上。源极/漏极区包含硅锗。
界面层鳍状物源极/漏极区半导体结构硅锗基板

[发明专利]制备FinFET器件的方法-CN201410747457.9有效
发明人：张海洋;张城龙 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-12-08 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种制备FinFET器件的方法，通过在鳍状结构上制备外延应力结构后，沉积氧化石墨烯层以填充相邻鳍状介质之间的孔隙，由于氧化石墨烯具有良好的填充能力，其能够有效的降低上述孔隙的深宽比，从而避免了由于填充能力不足造成在制备FinFET器件时，鳍状结构之间形成孔洞的缺陷，进而提高器件性能及良率。
制备 finfet 器件方法