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[发明专利]集成电路结构的制作方法-CN201910604290.3在审
发明人：朱龙琨;黄懋霖;吴伟豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2020-02-25 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：集成电路结构的制作方法包括：形成栅极沟槽，露出每一鳍状物的部分；以及形成调整临界电压的介电层于鳍状物上的栅极沟槽中。形成调整临界电压的介电层时调整其特性，以达每一鳍状物所用的不同临界电压。方法亦包括形成粘着金属层于调整临界电压的介电层上；以及形成填充金属层于粘着金属层上。填充金属层在鳍状物的上表面具有实质上一致的厚度。
集成电路结构制作方法

[发明专利]用于半导体鳍状物的环绕式接触部结构-CN201910162952.6在审
发明人： R·梅汉德鲁 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-03-05 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：描述了用于半导体鳍状物的环绕式接触部结构以及制作用于半导体鳍状物的环绕式接触部结构的方法。在示例中，一种集成电路结构包括具有突出穿过沟槽隔离区的第一部分的半导体鳍状物。栅极结构在所述半导体鳍状物的所述第一部分的顶部之上并且沿着所述第一部分的侧壁。源极区或漏极区在所述栅极结构的第一侧，所述源极区或漏极区包括处于所述半导体鳍状物的第二部分上的外延结构。所述外延结构具有与所述半导体鳍状物的所述第二部分对准的大体上竖直的侧壁。导电接触部结构沿所述半导体鳍状物的所述第二部分的侧壁并且沿所述外延结构的大体上竖直的侧壁。
半导体鳍状物侧壁外延结构环绕式栅极结构漏极区源极区竖直集成电路结构导电接触部沟槽隔离区结构描述对准穿过制作

[发明专利]具有集成的油-空气热交换器的X射线外壳-CN201480072092.2有效
发明人： W·R·汉森;T·阿瑟尔;P·K·刘易斯 -专利权人：万睿视影像有限公司
申请日： 2014-11-19 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： F28F1/42 文献下载
摘要：一种x射线外壳，可以包括管状单一本体，所述管状单一本体具有通过单一本体的热交换器部与内部鳍状物阵列相邻的内部鳍状物阵列，内部鳍状物阵列处在单一本体的外壳管腔的管腔表面上。外部鳍状物阵列可以从外壳的第一端延伸至外壳的第二端。外部鳍状物阵列可以是离散的和被定义的位置，并且围绕外壳的圆周或外部表面的仅一部分(例如，25％)延伸。内部鳍状物阵列可以从外壳的第一端延伸至外壳的第二端处的弧形歧管凹槽，并且位于带鳍状物的凹槽中，所述带鳍状物的凹槽与外部鳍状物阵列相邻、并且尺寸被设置成与外部鳍状物阵列相对应。
具有集成空气热交换器射线外壳

[发明专利]用于块状鳍式晶体管的通道后置流程-CN201610099116.4在审
发明人： M·K·阿卡瓦尔达 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提出一种用于块状鳍式晶体管的通道后置流程的方法，包含：图案化在半导体结构的基板上的鳍状物；在该基板上方形成介电材料；进行用于移除该鳍状物的材料的工艺，以在该鳍状物的通道区域处定义凹部；以及在该通道区域处形成置换半导体材料形成物
用于块状晶体管通道后置流程

[发明专利]基于鳍状物的晶体管架构上的平面器件-CN201811404931.2有效
发明人： W·M·哈菲兹;P·J·范德沃尔;C-H·简 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-03-30 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开了用于在基于鳍状物的场效应晶体管(finFET)制造工艺流程期间在finFET架构上形成平面状晶体管器件的技术。在一些实施例中，平面状晶体管可以包括例如半导体层，其被生长为本地融合/桥接finFET架构的多个相邻鳍状物并且随后被平面化以提供其上可以形成平面状晶体管的高质量平面表面。在一些实施例中，这种平面状器件可以有助于例如模拟、高电压、宽Z晶体管制造。同样，在finFET流程期间提供这种平面状器件可以允许例如形成如下晶体管器件：呈现较低电容、较宽的Z、和/或较少的高电场位置，以用于改进的高电压可靠性，在一些实例中，这可以使这种器件有利于模拟设计。
基于鳍状物晶体管架构平面器件

[发明专利]基于鳍状物的晶体管架构上的平面器件-CN201380074018.X有效
发明人： W·M·哈菲兹;P·J·范德沃尔;C-H·简 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-03-30 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了用于在基于鳍状物的场效应晶体管(finFET)制造工艺流程期间在finFET架构上形成平面状晶体管器件的技术。在一些实施例中，平面状晶体管可以包括例如半导体层，其被生长为本地融合/桥接finFET架构的多个相邻鳍状物并且随后被平面化以提供其上可以形成平面状晶体管的高质量平面表面。在一些实施例中，这种平面状器件可以有助于例如模拟、高电压、宽Z晶体管制造。同样，在finFET流程期间提供这种平面状器件可以允许例如形成如下晶体管器件：呈现较低电容、较宽的Z、和/或较少的高电场位置，以用于改进的高电压可靠性，在一些实例中，这可以使这种器件有利于模拟设计。
基于鳍状物晶体管架构平面器件

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202011182854.8在审
发明人：林揆伦;陈彦甫;林柏廷;张家源;于雄飞;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：方法包括形成鳍状物，且鳍状物自基板延伸；以及沿着鳍状物的上表面与侧壁形成栅极介电层。沿着鳍状物的上表面的栅极介电层的第一厚度，大于沿着鳍状物的侧壁的栅极介电层的第二厚度。
半导体装置形成方法

[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体元件-CN202111263331.0在审
发明人：林宗翰 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种横向扩散金属氧化物半导体元件，其主要包含一第一鳍状结构设于一基底上，一第二鳍状结构设于该第一鳍状结构旁，一浅沟隔离设于该第一鳍状结构以及该第二鳍状结构之间，一第一栅极结构设于该第一鳍状结构上，一第二栅极结构设于该第二鳍状结构上以及一气孔设于该第一栅极结构以及该第二栅极结构之间。
横向扩散金属氧化物半导体元件

[发明专利]鳍式场效晶体管及其制造方法-CN201010243829.6有效
发明人：陈弘凯;林宪信;林家彬;詹前泰;彭远清 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-08-02 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了鳍式场效晶体管及其制造方法，其方法包含形成延伸至一半导体基底的上方的一第一鳍状物和一第二鳍状物、与位于二者之间的一浅沟槽隔离区。一间隔定义于浅沟槽隔离区的上表面上方的第一与第二鳍状物之间。一第一高度定义于该浅沟槽隔离区的上表面与第一、第二鳍状物的上表面之间。一流动性的介电材料经沉积而置入间隔内。介电材料的上表面位于浅沟槽隔离区的上表面的上方，而在介电材料的上表面与第一、第二鳍状物的上表面之间定义出一第二高度。第二高度小于第一高度。在沉积步骤之后，在第一、第二鳍状物上，分别以外延成长形成位于介电材料上方的第一、第二鳍状物延伸结构。本发明减少或避免相邻的鳍状物延伸结构之间的间隙的窄化。
鳍式场效晶体管及其制造方法

[发明专利]磷化铝铟子鳍状物锗沟道晶体管-CN201580082343.X有效
发明人： M·V·梅茨;W·拉赫马迪;H·W·肯内尔;V·H·勒;B·舒金;J·T·卡瓦列罗斯;G·杜威 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：讨论了涉及具有铝磷化铟子鳍状物和锗沟道的晶体管和集成电路的实施例、包含这些晶体管的系统以及用于形成它们的方法。
磷化铝铟子鳍状物锗沟道晶体管

[发明专利]FinFET器件制造方法-CN201110372141.2有效
发明人：赵猛;三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-11-21 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种FinFET器件制造方法，在鳍形沟道区原本位置处形成鳍形应变锗硅沟道，保持鳍形沟道原有的宽长比以及尺寸的同时，增大了沟道应力，提高了FinFET器件的驱动电流；同时，沙漏状的鳍形应变锗硅沟道比条状的宽长比更高，包括应变锗硅层和应变碳硅层的鳍形应变硅沟道的应力性能更高，以此获得的FinFET器件的驱动电流更高。
finfet 器件制造方法

[发明专利]形成Finfet掺杂鳍状物的方法-CN201110398431.4有效
发明人：禹国宾 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-12-05 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成Finfet掺杂鳍状物的方法，包括提供半导体基底，并在半导体基底上形成图案化硬掩膜；刻蚀半导体基底形成多个半导体侧壁，以及相邻两个半导体侧壁之间的沟槽，去除图案化硬掩膜；在沟槽内形成绝缘体氧化物；刻蚀半导体侧壁，使半导体侧壁高度低于绝缘氧化物高度；在刻蚀后的半导体侧壁顶部外延生长掺杂的半导体鳍状物；刻蚀绝缘体氧化物，使绝缘体氧化物顶部端面低于半导体鳍状物的顶部端面。因此，不需要对半导体鳍状物进行离子注入掺杂，而是在半导体基底上直接外延生成掺杂了的鳍状物，形成的掺杂的半导体鳍状物无论其顶部和侧壁都具有均匀的掺杂效果，提高了Finfet的整体性能。
形成 finfet 掺杂鳍状物方法

[发明专利]用于高级集成电路结构制造的替换栅极结构-CN201811297814.0在审
发明人： B·何;S·亚罗维亚尔;J·S·莱布;M·L·哈藤多夫;C·P·奥特 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：在示例中，一种集成电路结构包括鳍状物。隔离结构围绕所述下鳍状物部分，所述隔离结构包括具有顶表面的绝缘材料、以及所述绝缘材料的所述顶表面的部分上的半导体材料，其中所述半导体材料与所述鳍状物分开。栅极电介质层在所述上鳍状物部分的顶部之上并与所述上鳍状物部分的侧壁横向相邻，所述栅极电介质层进一步在所述绝缘材料的所述顶表面的所述部分上的所述半导体材料上。栅极电极在所述栅极电介质层之上。
鳍状物半导体材料栅极电介质层绝缘材料顶表面高级集成电路集成电路结构隔离结构结构制造横向相邻栅极电极栅极结构侧壁替换制造

[发明专利]用于基于鳍状物的NMOS晶体管的高移动性应变沟道-CN201480076490.1有效
发明人： S·M·塞亚;R·科特利尔;H·W·肯内尔;G·A·格拉斯;A·S·默西;W·拉赫马迪;T·加尼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-03-27 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：公开了用于将高移动性应变沟道并入到基于鳍状物的NMOS晶体管(例如，诸如双栅极、三栅极等的FinFET)内的技术，其中，将应力材料包覆到鳍状物的沟道区域上。在一个示例实施例中，将锗或硅锗膜包覆到硅鳍状物上，以便于提供鳍状物的核心中的期望的拉伸应变，虽然可以使用其它鳍状物和包覆材料。技术与典型的过程流程兼容，并且包覆沉积可以出现在典型过程流程内的多个位置处，在各种实施例中，可以形成具有最小宽度(或随后减薄)的鳍状物，以便于提高晶体管性能。在一些实施例中，减薄的鳍状物也增加了跨包覆膜的整个核心的拉伸应变。在一些情况下，可以通过添加嵌入式硅(Si)外延源极和漏极来进一步增强核心中的应变。
用于基于鳍状物 nmos 晶体管移动性应变沟道

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201910768353.9在审
发明人：颜政雄;马大钧;苏建彰;陈俊仁;郑培仁;李启弘;陈科维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-20 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：装置的形成方法为提供含硅的基板，且基板具有半导体鳍状物自主要表面凸起。形成衬垫层与浅沟槽隔离区，以与半导体鳍状物相邻。沉积硅盖于半导体鳍状物上。硅盖由半导体鳍状物上的结晶硅层，以及该衬垫层与该浅沟槽隔离区上的非晶硅部分所组成。进行氯化氢蚀刻烘烤工艺，以移除衬垫层与浅沟槽隔离区上的非晶硅部分。
半导体装置形成方法