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[发明专利]具有接触蚀刻停止层的源极或漏极结构-CN201910450918.9在审
发明人： C.邦伯格;R.梅汉鲁;A.博万德;B.古哈;A.默西;T.加尼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-05-28 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：在示例中，集成电路结构包括包含半导体材料的鳍状物，该鳍状物具有下鳍状物部分和上鳍状物部分。栅极堆叠在鳍状物的上鳍状物部分之上，该栅极堆叠具有与第二侧相对的第一侧。第一外延源极或漏极结构嵌入在栅极堆叠的第一侧处的鳍状物中。第二外延源极或漏极结构嵌入在栅极堆叠的第二侧处的鳍状物中，第一和第二外延源极或漏极结构包括下半导体层、中间半导体层和上半导体层。
鳍状物漏极结构源极栅极堆叠接触蚀刻停止层集成电路结构嵌入先进集成电路中间半导体层半导体材料上半导体层下半导体层结构制造

[发明专利]用于非平面半导体器件架构的精密电阻器-CN201910635550.3在审
发明人： J-Y·D·叶;P·J·范德沃尔;W·M·哈菲兹;C-H·简;C·蔡;J·朴 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：在第一示例中，半导体结构包括设置在衬底上方的第一半导体鳍状物和第二半导体鳍状物。电阻器结构设置在所述第一半导体鳍状物上方，但不设置在所述第二半导体鳍状物上方。晶体管结构由所述第二半导体鳍状物形成，但不由所述第一半导体鳍状物形成。在第二示例中，半导体结构包括设置在衬底上方的第一半导体鳍状物和第二半导体鳍状物。隔离区设置在所述衬底上方、位于所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物之间、并且位于小于所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物的高度处。电阻器结构设置在所述隔离区上方，但不设置在所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物上方。第一晶体管结构和第二晶体管结构分别由所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物形成。
半导体鳍状物晶体管结构衬底非平面半导体器件半导体结构电阻器结构精密电阻器隔离区架构

[发明专利]用于非平面半导体器件架构的精密电阻器-CN201710067644.6有效
发明人： J-Y·D·叶;P·J·范德沃尔;W·M·哈菲兹;C-H·简;C·蔡;J·朴 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：在第一示例中，半导体结构包括设置在衬底上方的第一半导体鳍状物和第二半导体鳍状物。电阻器结构设置在所述第一半导体鳍状物上方，但不设置在所述第二半导体鳍状物上方。晶体管结构由所述第二半导体鳍状物形成，但不由所述第一半导体鳍状物形成。在第二示例中，半导体结构包括设置在衬底上方的第一半导体鳍状物和第二半导体鳍状物。隔离区设置在所述衬底上方、位于所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物之间、并且位于小于所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物的高度处。电阻器结构设置在所述隔离区上方，但不设置在所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物上方。第一晶体管结构和第二晶体管结构分别由所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物形成。
用于平面半导体器件架构精密电阻器

[发明专利]用于非平面半导体器件架构的精密电阻器-CN201710228504.2有效
发明人： J-Y·D·叶;P·J·范德沃尔;W·M·哈菲兹;C-H·简;C·蔡;J·朴 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：在第一示例中，半导体结构包括设置在衬底上方的第一半导体鳍状物和第二半导体鳍状物。电阻器结构设置在所述第一半导体鳍状物上方，但不设置在所述第二半导体鳍状物上方。晶体管结构由所述第二半导体鳍状物形成，但不由所述第一半导体鳍状物形成。在第二示例中，半导体结构包括设置在衬底上方的第一半导体鳍状物和第二半导体鳍状物。隔离区设置在所述衬底上方、位于所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物之间、并且位于小于所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物的高度处。电阻器结构设置在所述隔离区上方，但不设置在所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物上方。第一晶体管结构和第二晶体管结构分别由所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物形成。
用于平面半导体器件架构精密电阻器

[发明专利]用于非平面半导体器件架构的精密电阻器-CN201380042912.9有效
发明人： J-Y·D·叶;P·J·范德沃尔;W·M·哈菲兹;C-H·简;C·蔡;J·朴 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在第一示例中，半导体结构包括设置在衬底上方的第一半导体鳍状物和第二半导体鳍状物。电阻器结构设置在所述第一半导体鳍状物上方，但不设置在所述第二半导体鳍状物上方。晶体管结构由所述第二半导体鳍状物形成，但不由所述第一半导体鳍状物形成。在第二示例中，半导体结构包括设置在衬底上方的第一半导体鳍状物和第二半导体鳍状物。隔离区设置在所述衬底上方、位于所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物之间、并且位于小于所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物的高度处。电阻器结构设置在所述隔离区上方，但不设置在所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物上方。第一晶体管结构和第二晶体管结构分别由所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物形成。
用于平面半导体器件架构精密电阻器

[发明专利]半导体装置-CN201810153865.X在审
发明人：朱峯庆;李威养;杨丰诚;陈燕铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-02-22 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置包括基板，其具有第一装置区与第二装置区；第一鳍状物，位于第一装置区中的基板上；第二鳍状物，位于第二装置区中的基板上；第一外延结构，位于第一鳍状物的源极/漏极区中的第一鳍状物上；第二外延结构，位于第二鳍状物的源极/漏极区中的第二鳍状物上；以及介电层，位于第一外延结构与第二外延结构上。
外延结构鳍状物导电型态半导体装置掺质基板源极/漏极区第二装置区掺杂第一装置介电层

[发明专利]用于背面功率输送技术的静电放电保护二极管和制作方法-CN202210579141.8在审
发明人： B·奥尔;R·格罗弗;N·杰克;N·汤姆森;R·马;A·卡尔;K·科柳鲁 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置，其包括位于第一层级上的第一互连和第二互连、第一互连和第二互连之间的衬底、以及该衬底上的一个或多个阱。第二层级包括均位于所述一个或多个阱上的第一鳍状物和第二鳍状物，其中，第一鳍状物和一个或多个阱包括第一导电类型的掺杂剂并且第二鳍状物包括第二导电类型的掺杂剂。第三鳍状物位于衬底和第一互连之间的第一区域之上并且第四鳍状物位于衬底和第二互连之间的第二区域之上。第三互连电耦合在第一互连和第一鳍状物之间，并且第四互连电耦合在第二互连和第二鳍状物之间。
用于背面功率输送技术静电放电保护二极管制作方法

[发明专利]半导体装置-CN201810783518.5在审
发明人：沙哈吉·B·摩尔;关恕;李承翰;张世杰;杨怀德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在这些实施例中，半导体装置包括具有n型掺杂的阱结构的基板，以及形成于基板上的外延硅锗鳍状物。外延硅锗鳍状物具有下侧部分与上侧部分。下侧部分的锗含量小于上侧部分的锗含量。通道由外延硅锗鳍状物所形成。栅极形成于外延硅锗鳍状物上。掺杂的源极/漏极形成于靠近通道处。
外延硅锗鳍状物半导体装置基板源极/漏极栅极形成掺杂的阱结构

[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法-CN200710154750.4有效
发明人：徐祖望;丁致远;钟堂轩;苏怡年;蔡嘉祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-09-13 - 公布日： 2008-11-12 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明提供一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，此鳍式场效应晶体管包括：半导体衬底，具有鳍状物结构，介于包含顶部与底部的两个沟槽之间；浅沟槽隔离物，形成于该沟槽的底部；栅极电极，位于该鳍状物结构以及该浅沟槽隔离物的上方，其中该栅极电极大体上垂直于该鳍状物结构；栅极介电层，沿着该鳍状物结构的侧壁形成；以及源极/漏极掺杂区域，形成于该鳍状物结构之中。本发明可降低鳍式场效应晶体管的高低起伏并且可改善制造流程的整合度。
场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]多栅极谐振沟道晶体管-CN201380074000.X有效
发明人： S·马尼帕特鲁尼;R·金;R·巴斯卡兰;R·K·多卡尼亚;I·A·扬 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-03-28 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：实施例包含一种振荡器，所述振荡器包括放大器，其形成在衬底上；多栅极谐振沟道阵列，其形成在所述衬底上，所述多栅极谐振沟道阵列包含(a)包含鳍状物的晶体管，所述鳍状物中的每一个鳍状物具有位于源极节点与漏极节点之间的沟道，并耦合到共用的源极触点和共用的漏极触点；以及(b)共用的第一三栅极和共用的第二三栅极，其耦合到所述鳍状物中的每一个鳍状物并且位于所述源极和所述漏极触点之间；其中当所述第一三栅极和第二三栅极的其中之一被周期性地激活以对所述鳍状物产生周期性向下的力时，所述鳍状物以第一频率机械地谐振。其它实施例包含一种非平面晶体管，在鳍状物上具有位于所述源极节点和漏极节点之间的沟道和三栅极；其中当所述第一三栅极被周期性地激活以对所述鳍状物产生周期性向下的力时，所述鳍状物以机械方式谐振。
栅极谐振沟道晶体管

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202210113669.6在审
发明人：林柏裕;李威养;林家彬;邱子华;郑宽豪;范玮寒;杨育佳;吕惟皓 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-30 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：例示性的方法包括形成半导体堆叠于基板上，其中半导体堆叠包括交错的第一半导体层与第二半导体层，且第一半导体层的组成不同于第二半导体层的组成；图案化半导体堆叠以形成半导体鳍状物；形成介电鳍状物以与半导体鳍状物相邻；形成第一栅极堆叠于半导体鳍状物与介电鳍状物上；蚀刻至源极/漏极区中的半导体鳍状物的一部分，以形成源极/漏极凹陷；以及外延成长源极/漏极结构于源极/漏极凹陷中，以定义跨越源极/漏极结构的侧壁与介电鳍状物的侧壁之间的气隙
半导体结构形成方法

[发明专利]高功率X射线管外壳-CN201480072912.8有效
发明人： D·C·史密斯;G·安德鲁斯;O·D·布里姆哈尔;A·C·查姆伯莱恩 -专利权人：万睿视影像有限公司
申请日： 2014-11-19 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： F28F1/42 文献下载
摘要：一种X射线外壳，可以包括：具有管状本体的带鳍状物的外壳构件，其在带鳍状物的外部表面上具有外部鳍状物阵列并且在带鳍状物的内部表面上具有内部鳍状物阵列，带鳍状物的内部表面可以限定带鳍状物的外壳管腔，内部鳍状物阵列和外部鳍状物阵列可以共同形成热交换器；以及具有管状本体的带孔外壳构件，其具有从外部表面延伸穿过至内部表面的X射线窗口孔，内部表面可以限定带孔外壳管腔，带鳍状物的外壳构件可以具有环形端，所述环形端与带孔外壳构件的环形端整体耦合以形成具有X射线外壳管腔的管状
功率射线外壳

[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体元件及其制作方法-CN202110388841.4在审
发明人：林宗翰;叶宜函 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种横向扩散金属氧化物半导体元件及其制作方法，其中该制作横向扩散金属氧化物半导体元件的方法为，首先形成第一鳍状结构与第二鳍状结构于基底上，然后形成一浅沟隔离于第一鳍状结构与第二鳍状结构之间，形成第一栅极结构于该第一鳍状结构以及第二栅极结构于第二鳍状结构上，形成一源极区域于第一栅极结构一侧的第一鳍状结构上，形成一漏极区域于第二栅极结构一侧的第二鳍状结构上，再形成一接触场极板于浅沟隔离正上方。
横向扩散金属氧化物半导体元件及其制作方法

[发明专利]基于嵌入式金属纳米点的晶体管的制造方法及制造的产品-CN201410276267.3有效
发明人：张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-06-19 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该方法包括：在衬底上形成鳍状结构；利用间隙填充物填充鳍状结构之间的间隙；暴露鳍状结构的顶部；在所述间隙填充物和所述鳍状结构的顶部上形成金属纳米点阵列；以及去除所述间隙填充物以及所述间隙填充物上的金属纳米点，以形成仅在所述鳍状结构上具有金属纳米点的结构。
金属纳米鳍状结构间隙填充物晶体管制造嵌入式点阵列衬底沟道去除填充半导体暴露

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202210712617.0在审
发明人：林执中;林含谕;李芳苇;林立德;林斌彦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明的半导体装置的形成方法包括形成鳍状结构，其包括鳍状物底部与堆叠的鳍状物部分于基板上。堆叠的鳍状物部分包括第一半导体层与第二半导体层，其中第一半导体层包括锗。方法更包括蚀刻鳍状结构以形成开口，经由开口输送主要蚀刻剂与含锗气体至鳍状结构；以及以主要蚀刻剂与含锗气体蚀刻开口中的第二半导体层的一部分。
半导体装置形成方法