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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]储气式可控供气管路-CN202110928652.1在审
发明人： 包天一 -专利权人： 包天一
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： F16K11/065 文献下载
摘要：一种储气式可控供气管路，包括一三通管路，包括第一开口、第二开口及第三开口；一电动控制阀装置安装在该三通管路；一输入管路连接该第一开口；一封闭式储气管路连接该第二开口，用于接收来自该输入管路且通过该第一开口的气体并加以储存；一排气管路连接该第三开口，用于接收来自该封闭式储气管路且通过该第二开口输入的气体并向外排放；当该电动控制阀装置位于第一位置时，则该第三开口被封闭，而该第一开口、第二开口形成通路，使气体从该输入管路流向该封闭式储气管路并储存在该封闭式储气管路；当该电动控制阀装置位于第二位置时，则该第一开口被封闭，而该第二开口、第三开口形成通路，使气体从该封闭式储气管路流向该排气管路。
储气式可控供气管路

[发明专利]鳍状场效晶体管结构及其形成方法-CN201710173984.7有效
发明人：黄彦钧;彭治棠;彭辞修;黄泰钧;许光源;包天一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：用于切割基板上的鳍状场效晶体管结构的鳍状片段的切割最后的工艺，采用两步工艺。在形成鳍状物后，沉积氧化物材料于鳍状场效晶体管结构的沟槽中。氧化物材料可为浅沟槽隔离氧化物或低应力的虚置填隙材料。通过蚀刻品可移除鳍状片段，并保留凹陷状(如u型或v型)的硅部分于鳍状物底部。当氧化物材料为浅沟槽隔离氧化物时，移除鳍状物后形成的孔洞可填有替换的浅沟槽隔离氧化物。当氧化物材料为虚置的填隙材料时，可移除虚置的填隙材料以置换成浅沟槽隔离氧化物；或者将虚置的填隙材料转变成浅沟槽隔离氧化物，并在上述转变步骤之前或之后填入替换的浅沟槽隔离氧化物。
鳍状场效晶体管结构及其形成方法

[发明专利]具有矩形轮廓的间隔件及其制造方法-CN201910768482.8有效
发明人：张钰声;李忠儒;包天一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-12-05 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种方法，包括在图案化部件的顶面和侧壁上形成间隔件层，其中，图案化部件在基础层的上面。形成保护层以接触间隔件层的顶面和侧壁表面。保护层的水平部分被移除，其中，在移除之后保留保护层的垂直部分。间隔件层被蚀刻以移除间隔件层的水平部分，其中，间隔件层的垂直部分保留来形成间隔件的部分。本发明还提供具有矩形轮廓的间隔件及其制造方法。
具有矩形轮廓间隔及其制造方法

[发明专利]半导体工艺方法与结构-CN201910181592.4有效
发明人：郭哲铭;黄彦钧;彭治棠;包天一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本申请大抵上涉及半导体装置，且特别涉及形成于半导体装置中的介电材料。本申请提供以循环旋转涂布工艺形成介电材料层的方法。本申请提供半导体工艺方法与结构。在一实施例中，于基板上形成介电材料的方法包括旋转涂布介电材料的第一部分于基板上、固化在基板上的介电材料第一部分、旋转涂布介电材料的第二部分于基板上、以及热退火介电材料以于基板上形成经退火的介电材料。
半导体工艺方法结构

[发明专利]一种半导体器件及其形成方法-CN201811348935.3有效
发明人：林文凯;赖柏宇;李俊德;李凯璿;杨世海;包天一;林玮耿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明实施例涉及具有减小的电容的栅极间隔件的FinFET器件以及用于形成FinFET器件的方法。具体地，根据本公开的FinFET器件包括由两次或更多次沉积形成的栅极间隔件。通过在不同的工艺时间沉积第一材料和第二材料来形成栅极间隔件，以降低栅极结构之间的寄生电容以及在源极/漏极区域的外延生长之后引入的接触。本发明实施例涉及一种半导体器件及其形成方法。
一种半导体器件及其形成方法

[发明专利]海水质检测系统-CN202011292396.3在审
发明人： 包天一 -专利权人： 包天一
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： G01N31/16 文献下载
摘要：本发明是一种海水质检测系统，主要包括:主机、容器及外部设备，其中主机设置复数分别设置有打气管的打气马达、酸碱值(PH)电极检测棒、滴定输送口、海水输送口、KH转换PH输出埠、电源埠、连网控制单元、检测运算单元及水位控制器，容器设置于主机一侧且界定供容纳对照溶液的第一检测容置空间、供容纳来自海水输送口的参考溶液的第二检测容置空间及供容纳完成测试的对照溶液的容置空间，运用本发明上述设备的搭配运作与检测运算，可在不需使用药水的条件下，自动侦测海水储备桶中参考溶液的碱度值(KH)及控制自动添加添加剂以改变海水储备桶中参考溶液的第二酸碱值(PH)。
海水质检系统

[发明专利]形成半导体器件的方法及图案化半导体器件的方法-CN201911157833.8有效
发明人：蔡政勋;吴永旭;黄琮闵;李忠儒;包天一;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-12-05 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明的实施例为形成半导体器件的方法和图案化半导体器件的方法。一个实施例为形成半导体器件的方法，该方法包括在半导体器件层上方形成第一硬掩模层，第一硬掩模层包括含金属材料，在第一硬掩模层上方形成第二硬掩模层，以及在第二硬掩模层上方形成第一组含金属间隔件。该方法进一步包括使用第一组含金属间隔件作为掩模来图案化第二硬掩模层，在图案化后的第二硬掩模层的侧壁上形成第二组含金属间隔件，以及采用第二组含金属间隔件作为掩模来图案化第一硬掩模层。本发明还提供自对齐双间隔件图案化工艺。
形成半导体器件方法图案

[发明专利]折管阀-CN202011182803.5在审
发明人： 包天一 -专利权人： 包天一
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： F16K7/08 文献下载
摘要：一种折管阀，包括一马达；一驱动结构，其一端连接该马达的心轴，由该马达的心轴带动而驱动该驱动结构；该驱动结构的另一端连接一管路连结装置，用于固定一可挠曲的管路；以及当该驱动马达转动时，该马达的心轴转动会带动该驱动结构，而使得该驱动结构沿着扇形的面扫过，所以也带动该管路弯折，使得该管路在弯折处形成弯折段，而沿着该弯折段形成不同的角度；当该管路弯折时即会限制其内部液体的流量。
折管阀

[发明专利]整合式芯片、半导体结构、形成整合式介电质波导及形成半导体结构的方法-CN201710061630.3有效
发明人：周淳朴;包天一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-01-26 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本揭示内容关于一种具有耦接至经整合介电质波导的多频带传输元件及接收元件的整合式芯片。在一些实施例中，整合式芯片具有设置在基板上方的层间介电结构内的介电质波导。具有多个相位调变元件的多频带传输元件经配置以产生不同频带中的多个经调变信号。多个传输电极沿着介电质波导的第一侧定位且分别经配置以将多个经调变信号中的一个经调变信号耦接至介电质波导中。此外，一种形成整合式介电质波导的方法亦在此揭示。
整合芯片半导体结构形成式介电质波导方法

[实用新型]储气式可控供气管路-CN202121905373.5有效
发明人： 包天一 -专利权人： 包天一
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： F16K11/065 文献下载
摘要：一种储气式可控供气管路，包括一三通管路，包括第一开口、第二开口及第三开口；一电动控制阀装置安装在该三通管路；一输入管路连接该第一开口；一封闭式储气管路连接该第二开口，用于接收来自该输入管路且通过该第一开口的气体并加以储存；一排气管路连接该第三开口，用于接收来自该封闭式储气管路且通过该第二开口输入的气体并向外排放；当该电动控制阀装置位于第一位置时，则该第三开口被封闭，而该第一开口、第二开口形成通路，使气体从该输入管路流向该封闭式储气管路并储存在该封闭式储气管路；当该电动控制阀装置位于第二位置时，则该第一开口被封闭，而该第二开口、第三开口形成通路，使气体从该封闭式储气管路流向该排气管路。
储气式可控供气管路

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201710193189.4有效
发明人：蔡腾群;卢永诚;陈盈淙;包天一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种半导体装置的形成方法，包括形成第一绝缘层于基板上，第一绝缘层具有非平坦(non‑planar)的顶表面，且第一绝缘层具有第一蚀刻速率。上述方法亦包括形成第二绝缘层于第一绝缘层上，第二绝缘层具有非平坦的顶表面，且第二绝缘层具有第二蚀刻速率，上述第二蚀刻速率大于上述第一蚀刻速率。上述方法亦包括研磨第二绝缘层以移除部分的第二绝缘层，以及非选择性地凹蚀第一绝缘层及第二绝缘层。
半导体装置形成方法

[发明专利]用于互连方案的方法-CN202110618776.X在审
发明人：姚欣洁;卡罗斯·H·迪雅兹;蔡政勋;李忠儒;黄建桦;田希文;眭晓林;包天一;吴永旭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请实施例涉及用于互连方案的方法。一种制造半导体装置的方法，所述方法包含：形成第一电介质层于衬底上；形成第一沟槽于所述第一电介质层中；形成金属线于所述第一沟槽中；去除所述金属线的第一部分以形成第二沟槽，并去除所述金属线的第二部分以形成第三沟槽；所述金属线的第三部分安置在所述第二沟槽与所述第三沟槽之间。所述方法还包含形成第二电介质层于所述第二沟槽和所述第三沟槽内。
用于互连方案方法

[发明专利]低k电介质及其形成工艺-CN201811381318.3有效
发明人：周家政;李俊德;施伯铮;包天一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本文描述的实施例总体涉及用于形成低k电介质的方法和由此形成的结构。在一些实施例中，在半导体衬底上方形成电介质。电介质具有等于或小于3.9的k值。形成电介质包括使用等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)。PECVD包括使甲基二乙氧基硅烷(mDEOS，C5H14O2Si)前体气体流动，使氧(O2)前体气体流动；以及使载气流动。mDEOS前体气体的流量与载气的流量的比率小于或等于0.2。本发明实施例涉及低k电介质及其形成工艺。
电介质及其形成工艺

[实用新型]折管阀-CN202022453948.6有效
发明人： 包天一 -专利权人： 包天一
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： F16K7/08 文献下载
摘要：一种折管阀，包括一马达；一驱动结构，其一端连接该马达的心轴，由该马达的心轴带动而驱动该驱动结构；该驱动结构的另一端连接一管路连结装置，用于固定一可挠曲的管路；以及当该驱动马达转动时，该马达的心轴转动会带动该驱动结构，而使得该驱动结构沿着扇形的面扫过，所以也带动该管路弯折，使得该管路在弯折处形成弯折段，而沿着该弯折段形成不同的角度；当该管路弯折时即会限制其内部液体的流量。
折管阀

[实用新型]海水质检测系统-CN202022676914.3有效
发明人： 包天一 -专利权人： 包天一
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： G01N31/16 文献下载
摘要：本实用新型是一种海水质检测系统，主要包括:主机、容器及外部设备，其中主机设置复数分别设置有打气管的打气马达、酸碱值(PH)电极检测棒、滴定输送口、海水输送口、KH转换PH输出埠、电源埠、连网控制单元、检测运算单元及水位控制器，容器设置于主机一侧且界定供容纳对照溶液的第一检测容置空间、供容纳来自海水输送口的参考溶液的第二检测容置空间及供容纳完成测试的对照溶液的容置空间，运用本实用新型上述设备的搭配运作与检测运算，可在不需使用药水的条件下，自动侦测海水储备桶中参考溶液的碱度值(KH)及控制自动添加添加剂以改变海水储备桶中参考溶液的第二酸碱值(PH)。
海水质检系统

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