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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构-CN201810790101.1在审
发明人：戴荣吉;金志昀;林衍廷;李彦儒;郑培仁;李启弘 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体结构包含鳍状物于基板上。栅极结构位于鳍状物上。一源极/漏极位于鳍状物中并与栅极结构相邻。源极/漏极包括底层；支援层，位于底层上；以及顶层，位于支援层上。
半导体结构鳍状物源极/漏极栅极结构顶层支援自然晶格常数基板合金

[发明专利]高K介电特征均匀性的方法-CN201880069329.X有效
发明人：张辰;山下典洪;杨振荣 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2018-10-23 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：提供了一种形成垂直传输鳍式场效应晶体管的方法。该方法包括在衬底上形成掺杂层，以及在掺杂层上形成多层鳍，其中多层鳍包括下修整层部分、上修整层部分以及在上下修整层部分之间的鳍状沟道部分。去除下修整层部分的一部分以形成下修整层柱，并且去除上修整层部分的一部分以形成上修整层柱。在上修整层柱附近形成上凹槽填充物，在下修整层柱附近形成下凹槽填充物。去除鳍状状沟道部分的一部分以在上修整层柱和下修整层柱之间形成鳍状状沟道柱。
特征均匀方法

[发明专利]用于高级集成电路结构制造的鳍状物图案化-CN201780095404.5在审
发明人： C·沃德;H·M·迈耶;M·L·哈藤多夫;C·P·奥特 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：在示例中，集成电路结构包括沿第一方向具有最长尺寸的第一多个半导体鳍状物。第一多个半导体鳍状物中的相邻的个体半导体鳍状物在与第一方向正交的第二方向上彼此间隔开第一量。第二多个半导体鳍状物沿第一方向具有最长尺寸。第二多个半导体鳍状物中的相邻的个体半导体鳍状物在第二方向上彼此间隔开第一量，并且第一多个半导体鳍状物和第二多个半导体鳍状物中的最接近的半导体鳍状物在所述第二方向上彼此间隔开第二量。
用于高级集成电路结构制造鳍状物图案

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN202110546015.8在审
发明人：林士尧;林志翰;张书维;蔡雅怡;张棋翔;王梓仲;古淑瑗 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：方法包含在基底上方形成第一鳍状物以及第二鳍状物。方法包含形成横跨第一鳍状物以及第二鳍状物的第一虚置栅极结构，第一虚置栅极结构包含第一虚置栅极介电质以及设置在第一虚置栅极介电质上方的第一虚置栅极。方法包含以栅极隔离结构取代第一虚置栅极的一部分，第一虚置栅极的部分设置在第二鳍状物上方。方法包含移除第一虚置栅极。方法包含移除在第一鳍状物周围的第一虚置栅极介电质的第一部分，同时保持在第二鳍状物周围的第一虚置栅极介电质的第二部分完整。方法包含形成横跨第一鳍状物以及第二鳍状物的栅极部件，其中栅极隔离结构与栅极部件相交。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]用于高级集成电路结构制造的鳍状物图案化-CN202211731307.X在审
发明人： C·沃德;H·M·迈耶;M·L·哈藤多夫;C·P·奥特 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：在示例中，集成电路结构包括沿第一方向具有最长尺寸的第一多个半导体鳍状物。第一多个半导体鳍状物中的相邻的个体半导体鳍状物在与第一方向正交的第二方向上彼此间隔开第一量。第二多个半导体鳍状物沿第一方向具有最长尺寸。第二多个半导体鳍状物中的相邻的个体半导体鳍状物在第二方向上彼此间隔开第一量，并且第一多个半导体鳍状物和第二多个半导体鳍状物中的最接近的半导体鳍状物在所述第二方向上彼此间隔开第二量。
用于高级集成电路结构制造鳍状物图案

[发明专利]具有非对称阈值电压的垂直传输CMOS晶体管-CN202180077867.5在审
发明人：安藤崇志;李忠贤;张婧芸;A·雷兹尼采克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L29/165 文献下载
摘要：该半导体结构包括：第一组鳍状物，包括SiGe层和形成在SiGe层上的第一材料层；第二组鳍状物，包括SiGe层和形成在SiGe层上的第二材料层；第一高κ金属栅极，设置在第一组鳍状物上方；以及第二高κ金属栅极，设置在第二组鳍状物上方。在第一组和第二组鳍状物的底部处限定的区域中，沿着VTFET的沟道存在非对称阈值电压，并且第二材料层的Ge含量高于SiGe层的Ge含量。
具有对称阈值电压垂直传输 cmos 晶体管

[发明专利]扩散的尖端延伸晶体管-CN201911076308.3有效
发明人： P·帕特尔;M·Y·刘;J·A·维德梅尔;P·A·帕坎 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种方法包括：在位于衬底上并且从衬底延伸的鳍状物的结区中形成开口；在开口中引入经掺杂的半导体材料；以及对经掺杂的半导体材料进行热处理。一种方法包括：在从衬底延伸的鳍状物上形成栅极电极；在邻近栅极电极的相对侧的鳍状物中形成开口；在开口中引入经掺杂的半导体材料；以及对经掺杂的半导体材料进行足以引入经掺杂的半导体材料中的掺杂剂的扩散的热处理一种装置包括与从衬底延伸的鳍状物相交的栅极电极；以及在鳍状物的邻近栅极电极的相对侧的结区中的半导体材料填充的开口，其中，所述半导体材料包括掺杂剂。
扩散尖端延伸晶体管

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202210706183.3在审
发明人：林士尧;陈振平;游家豪;李筱雯;林志翰;张铭庆;陈昭成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：在一基底的上方形成多个鳍状物。形成多个虚设栅极，其在上述鳍状物的上方被图形化，每个上述虚设栅极在上述图形化的虚设栅极的侧壁上具有一间隔物。使用上述图形化的虚设栅极作为一遮罩，在上述鳍状物形成多个凹部。在上述鳍状物的上方及在上述鳍状物中的上述凹部形成一钝化层。图形化上述钝化层，以仅在上述鳍状物中的上述凹部中的一些留下一保留的钝化结构。仅在上述鳍状物中不具上述保留的钝化结构的上述凹部外延形成多个源极与漏极区。
半导体装置制造方法

[发明专利]具有高K材料场板的鳍式场效应晶体管（FINFET）-CN202211004794.X在审
发明人： M-Y·庄;U·阿格拉姆 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请题为“具有高K材料场板的鳍式场效应晶体管(FINFET)”。一个示例包括包含鳍式场效应晶体管(FinFET，图13)的集成电路(IC)。该FinFET(图13)包括带有鳍状物(204)的衬底(202)，该鳍状物(204)从衬底(202)的表面延伸。鳍状物(204)包括源极区(408)、漏极区(406)和与漏极区(406)相邻的漂移区(402)。鳍状物(402)还包括在漂移区(402)的第一侧面(804)、第二侧面(806)和第三侧面(808)上的场板(FP)介电层(802)。FP介电层(802)包括高K材料(504)。
具有材料场效应晶体管 finfet

[发明专利]具有磷和砷共掺杂剂的源极或漏极结构-CN202010126284.4在审
发明人： A·默西;R·基奇;N·G·米努蒂洛;S·维什瓦纳特 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：在示例中，集成电路结构包括具有下部鳍状物部分和上部鳍状物部分的鳍状物。栅极堆叠体在鳍状物的上部鳍状物部分之上，该栅极堆叠体具有与第二侧相对的第一侧。第一源极或漏极结构包括在栅极堆叠体的第一侧嵌入在鳍状物中的外延结构。第二源极或漏极结构包括在栅极堆叠体的第二侧嵌入在鳍状物中的外延结构。
具有掺杂结构

[发明专利]半导体器件及制造其的方法-CN201711373151.1有效
发明人：洪熙范;洪彰敏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括鳍状物、第一栅电极至第四栅电极、第一存储器件和第二存储器件、第一搜索端子和第二搜索端子、以及第一虚设搜索端子和第二虚设搜索端子。鳍状物在第一方向上延伸。栅电极交叉鳍状物。第一搜索端子与第二栅电极连接并与鳍状物间隔开第一距离。第二搜索端子与第三栅电极连接并与鳍状物间隔开不同于第一距离的第二距离。第一虚设搜索端子与第二栅电极连接并与鳍状物间隔开第二距离。第二虚设搜索端子与第三栅电极连接并与鳍状物间隔开第一距离。
半导体器件制造方法

[发明专利]具有驱动器的数据单元及其制造方法和操作方法-CN200980112123.1有效
发明人：沃纳·云林 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2009-03-05 - 公布日： 2011-03-02 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：本发明揭示方法及装置，其中装置包括：第一半导体鳍状物，其具有第一栅极；第二半导体鳍状物，其邻近于所述第一半导体鳍状物且具有第二栅极；以及第三栅极，其在所述第一半导体鳍状物与所述第二半导体鳍状物之间延伸。
具有驱动器数据单元及其制造方法操作方法

[发明专利]非平坦晶体管及其制造方法-CN201010171468.9有效
发明人：董志航;林经祥;张正宏;孙诗平 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-04-28 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种非平坦晶体管及其制造方法，其中制造方法包括：在一半导体鳍状物的第一部分上形成一通道区域，该半导体鳍状物包括一顶表面与侧壁；在该半导体鳍状物的通道区域上形成一栅极电极；使用一选择性外延成长工艺在该栅极电极的相对侧上的该半导体鳍状物的顶表面与侧壁上成长一临场掺杂的半导体层
平坦晶体管及其制造方法

[发明专利]FinFET器件制造方法-CN201110372142.7有效
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-11-21 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种FinFET器件制造方法，在鳍形沟道区原本位置处形成鳍形应变锗硅沟道，保持鳍形沟道原有的宽长比以及尺寸的同时，增大了沟道应力，提高了FinFET器件的驱动电流；同时，沙漏状的鳍形应变锗硅沟道比条状的宽长比性能更高，包括应变锗硅层和应变碳硅层的鳍形应变硅沟道的应力性能更高，栅极结构及FinFET基体上方形成有高应力的应力材料层的沟道区应力性能更高，以此获得的FinFET器件的驱动电流更高。
finfet 器件制造方法

[发明专利]用于高鳍状物的硬掩模蚀刻停止层-CN201180075954.3有效
发明人： R·雅韦里;B·B·塞尔;T·加尼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在高鳍状物的顶表面上形成硬掩模蚀刻停止层，以在晶体管制造过程的蚀刻步骤期间保持鳍状物高度并保护鳍状物的顶表面以避免受损。在一个实施例中，使用双硬掩模系统形成硬掩模蚀刻停止层，其中，在衬底的表面之上形成硬掩模蚀刻停止层，第二硬掩模层用于借助鳍状物顶表面上的硬掩模蚀刻停止层对鳍状物进行图案化。去除第二硬掩模层，同时保留硬掩模蚀刻停止层，以在后续制造步骤过程中保护鳍状物的顶表面。
用于高鳍状物硬掩模蚀刻停止

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