专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]质谱数据管理系统和方法-CN202180049561.9在审
  • S·A·H·赛伊德;A·马修;S·纳拉亚南 - 智能传感器私人控股有限公司;CIED私人有限公司
  • 2021-05-19 - 2023-06-02 - H04L67/10
  • 本发明涉及一种便携式质谱仪数据评估系统(100),包括:便携式质谱仪(111),被配置为获取样品的测量结果;第一计算设备(112),连接到质谱仪(111),用于从所述质谱仪(111)实时检索测量结果;以及中央服务器单元(120),通过互联网(113)连接到第一组节点(110)。当所述第一计算设备(112)连接到所述互联网(113)时,所述第一计算设备(112)在第一组节点(110)中定义第一节点。所述第一节点用于将测量结果转换为分散数据。所述第一节点被配置为在所述第一组节点(110)中发布所述分散数据。所述第一组节点(110)被配置为在中央服务器单元(120)中即时发布所述分散数据。
  • 数据管理系统方法
  • [发明专利]栅极结构中具有两个相邻金属层的结构-CN202110757053.8在审
  • 贾加尔·辛格;S·纳拉亚南;W·郑 - 格芯(美国)集成电路科技有限公司
  • 2021-07-05 - 2022-01-07 - H01L29/423
  • 本发明涉及栅极结构中具有两个相邻金属层的结构。一种结构包括:半导体鳍;位于半导体鳍中的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区;围绕第一源极/漏极区的第一掺杂区,其在半导体鳍中限定沟道区;以及围绕第二源极/漏极区的第二掺杂区,其在半导体鳍中限定漏极扩展区。栅极结构位于沟道区和漏极扩展区上方。该栅极结构包括栅极电介质层、位于栅极电介质层上方且与第二金属层相邻的第一金属层,以及位于第一金属层和第二金属层上方的连续栅极导体。金属层中的一者位于沟道区上方,金属层中的另一者位于漏极扩展区上方。金属层可以具有不同的厚度和/或功函数,以提高包括该结构的LDMOS FinFET的跨导和RF性能。
  • 栅极结构具有两个相邻金属

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