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[发明专利]鳍部、鳍式场效应管及鳍部和鳍式场效应管的形成方法-CN201210254002.4有效
发明人：王新鹏;三重野文健;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-07-20 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种鳍部、鳍式场效应管及鳍部、鳍式场效应管的形成方法，鳍部的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底表面形成包含若干第一开口的掩膜层，所述第一开口暴露出衬底；以包含若干第一开口的掩膜层为掩模，刻蚀所述衬底，形成若干凹槽在所述凹槽内填充隔离层；沿第一开口对掩膜层进行回刻，增大第一开口的宽度，在所述掩膜层内形成若干第二开口；以掩膜层为掩模，沿第二开口刻蚀所述隔离层，使隔离层剩余预定厚度，所述剩余预定厚度的隔离层之间的衬底为第一子鳍部；刻蚀第一子鳍部上方的衬底，形成位于第一子鳍部上的第二子鳍部和位于第二子鳍部上的第三子鳍部。本发明鳍部、鳍式场效应管及其形成方法提高了鳍式场效应管的稳定性。
鳍部场效应形成方法

[发明专利]半导体结构与其形成方法-CN202210199849.0在审
发明人：赖韦仁;李威养;陈德芳;施婷文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：方法包括提供半导体结构，其包括自基板凸起的鳍状物，其中鳍状物包括多个第一半导体层与多个第二半导体层；使鳍状物凹陷以形成源极/漏极凹陷；形成源极/漏极结构于源极/漏极凹陷中；修整源极/漏极结构；沉积介电层以覆盖源极
半导体结构与其形成方法

[发明专利]用于半导体器件的面积缩放的竖直集成方案和电路元件架构-CN201580080106.X有效
发明人： R·米恩德鲁;P·莫罗;R·库马尔;C·E·韦伯;S·金;S·M·塞亚;T·加尼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-06-17 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在示例中，一种反相器结构包括竖直地分开为上部区域和下部区域的半导体鳍状物。包括用于控制半导体鳍状物的上部区域的第一多个栅极结构。包括用于控制半导体鳍状物的下部区域的第二多个栅极结构。
用于半导体器件面积缩放竖直集成方案电路元件架构

[发明专利]形成FinFET栅介质层的方法和形成FinFET的方法-CN201210209736.0有效
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-06-25 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成FinFET栅介质层的方法及形成FinFET的方法，在半导体鳍状物表面外延单晶硅后，在氘与惰性气体的混合气体氛围下进行退火，以得到过渡层，解决了栅介质层材料与半导体鳍状物材料之间的晶格失配的问题，并且使得半导体鳍状物表面的粗糙度降低，避免了电荷捕获陷阱的产生，进而提高了半导体器件的性能。
形成 finfet 介质方法

[实用新型]一种LED模组散热器-CN202020778353.5有效
发明人：汤淦 -专利权人：四川泽亿达智慧物联网科技有限公司
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： F21V29/75 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED模组散热器，包括底板，所述底板上设置有高鳍片和矮鳍片，高鳍片为上宽下窄的立板，所述的矮鳍片为上窄下宽的立板，高鳍片顶部沿着高鳍片的长度方向设置有第一通槽，所述第一通槽的横截面为V型，所述矮鳍片的顶部沿着矮鳍片的长度方向设置有第二通槽，所述第二通槽的横截面为V型，所述高鳍片与所述矮鳍片沿同一直线方向交错分布且相邻的两鳍片之间存在间隙，这种形状的高鳍片与矮鳍片结构厚高比小，单位体积鳍片数量多
一种 led 模组散热器

[发明专利]半导体装置-CN202210626197.4在审
发明人：林士尧;王梓仲;林志翰;古淑瑗;张铭庆 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：半导体装置包括介电鳍状物，其形成于基板上并沿着第一方向延伸。半导体装置包括栅极隔离结构垂直地位于介电鳍状物上。半导体装置包括栅极结构沿着第二方向延伸，且第二方向垂直于第一方向。栅极结构包括隔有栅极隔离结构与介电鳍状物的第一部分与第二部分。栅极结构的第一部分具有第一鸟嘴轮廓，且栅极结构的第二部分具有第二鸟嘴轮廓。第一鸟嘴轮廓与第二鸟嘴轮廓指向彼此。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201910892234.4在审
发明人：江国诚;朱熙甯;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在一例中，半导体装置包括基板；第一细长鳍状结构，位于基板上；与第二细长鳍状结构，位于基板上。第一细长鳍状结构的纵轴对准第二细长鳍状结构的纵轴。装置还包括虚置结构，其延伸于第一细长鳍状结构与第二细长鳍状结构之间。虚置结构包括介电材料。
半导体装置

[发明专利]半导体装置的制作方法-CN202011385858.6在审
发明人：朱鹏维;王菘豊;时定康;奧野泰利 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：制作半导体装置的方法包括形成第一鳍状结构与第二鳍状结构于基板上；分别形成第一外延区与第二外延区于第一鳍状结构与第二鳍状结构上；分别形成第一接点开口与第二接点开口于第一外延区与第二外延区上；选择性形成氧化物盖层于第二外延区的露出表面上；选择性形成第一金属硅化物层于第一外延区的露出表面上；移除该氧化物盖层；以及分别形成第一导电区与第二导电区于金属硅化物层上与第二外延区的露出表面上。
半导体装置制作方法

[发明专利]一种薄型化散热模块-CN201110396529.6有效
发明人：饶振奇;何信威;张中彦 -专利权人：苏州聚力电机有限公司
申请日： 2011-12-05 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：一种薄型化散热模块，由散热风扇、鳍片组、扁热管构成；其特征在于该扁热管为扁形断面管体而形成有二宽扩平面及窄型侧边，又扁热管包括有蒸发段及冷却段，该鳍片组包括有间隔配置的至少二单元散热片，使扁热管的冷却段延伸至鳍片组所在位置处；其中该单元散热片的设置方向与扇叶组的轴向互成垂直关系，且扁热管的冷却段为设置于散热风扇所设出风口偏侧部位的非迭置式相对关系；该鳍片组的至少一单元散热片局部面域直接呈面状接触贴靠于该扁热管的宽扩平面；故可增加扁热管与鳍片组之间的热传导面积，且使得鳍片组及散热风扇壳体能够更加薄型化，达到大幅提升散热模块散热效率与鳍片组、散热风扇壳体更加薄型化的实用进步性与较佳产业利用效益。
一种薄型化散热模块

[发明专利]鳍状晶体管结构及其制造方法-CN201910948784.3在审
发明人：黄圣尧;陈昱瑞;朱中良;蔡仁杰;林毓翔 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种鳍状晶体管结构及其制造方法。鳍状晶体管结构包括第一基板。绝缘层设置在所述第一基板上。多个鳍状结构设置在所述绝缘层上。支撑介电层在所述多个鳍状结构的腰部位置将所述多个鳍状结构固定。栅极结构层，设置在所述支撑介电层上以及覆盖所述多个鳍状结构的一部分。
晶体管结构及其制造方法

[发明专利]一种船用减摇鳍的鳍体实时自动避障方法-CN202011283962.4有效
发明人：孙明晓;谢春旺;栾添添;王万鹏;胡占永;原张杰;姬长宇;张文玉 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： B63B39/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种船用减摇鳍的鳍体实时自动避障方法，该方法将减摇鳍的鳍体等效成长方体模型，其中障碍物的等效球模型是将障碍物看成一个质点，质点与鳍体的安全距离作为半径，标记处于鳍体中的轴中心点、长方体模型右侧面中心点与这两点在后侧面所在平面的投影点，通过测距传感器分别测出障碍物与其余四点的距离，再测出两个中心点的距离和长方体模型的宽，若障碍物将与鳍发生碰撞，则需要在降低一定减摇效果的情况下改变鳍摆角实现避障，由折算关系可知所需改变的角度。本发明优点是方法简单、操作方便、实用性强，并且避免了鳍在遇到暗礁、较大悬浮物或特殊情况时发生碰撞的不利情况，解决了传统减摇鳍的鳍体缺乏实时自动避障的问题。
一种船用减摇鳍实时自动方法

[发明专利]半导体元件-CN201711162406.X在审
发明人：蔡伩哲;谢旻谚;陈华丰;潘国华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本揭露的实施例提供一种半导体元件包含基板、绝缘层形成于基板之上；多个鳍状物垂直地形成自基板的表面，这些鳍状物延伸穿过绝缘层且于绝缘层的顶面之上；栅极结构形成于这些鳍状物的一部分之上且于绝缘层的顶面之上；源极/漏极结构配置相邻于栅极结构的相对两侧，源极/漏极结构接触鳍状物；介电层形成于绝缘层之上；第一接触沟槽以第一深度延伸穿过介电层以暴露源极/漏极结构，第一接触沟槽含有导电材料；以及第二接触沟槽以第二深度延伸穿过介电层
绝缘层接触沟槽鳍状物源极/漏极延伸穿过介电层基板半导体元件导电材料栅极结构顶面绝缘层形成结构接触结构配置相对两侧垂直地暴露

[实用新型]可组成立柱形的铝挤型框条结构-CN201020510937.0有效
发明人：邱文煌 -专利权人：邱文煌
申请日： 2010-08-30 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： A47B13/06 文献下载
摘要：本实用新型为一种可组成立柱形的铝挤型框条结构，具有呈半圆状的内环圈及外环圈，两者间的末端用侧板连接，在内、外环圈间用勒板连接，形成空心状的铝挤型框条，侧板中的一个可设为鸠尾槽体，另一个则设为鸠尾座体，该外环圈内侧面适当位置可布设多个呈开口状的槽条，该槽条沿着轴向延伸，且其断面大致呈C字状，该外环圈的外环面布设有鳍板，该鳍板为成对且呈楔状(内宽外窄)的环状排列。
组成立柱铝挤型框条结构

[发明专利]用于鳍状场效晶体管的硅氧氮氧硅存储器单元及形成方法-CN202110266360.6在审
发明人：易亮;李志国;任驰 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本发明公开一种用于鳍状场效晶体管的硅氧氮氧硅存储器单元及其形成方法，其中该用于鳍状场效晶体管的硅氧氮氧硅存储器(silicon‑oxide‑nitride‑oxide‑silicon,SONOS)单元，包含有一鳍状结构、一控制栅极、一电荷补陷层以及一金属选择栅极。鳍状结构位于一基底的一顶面上，其中鳍状结构具有二侧壁以及一顶面，且鳍状结构包含一存储器区以及一逻辑区。控制栅极设置于存储器区的鳍状结构上，并覆盖鳍状结构的顶面以及二侧壁。电荷补陷层夹置于鳍状结构以及控制栅极之间。金属选择栅极设置于邻近控制栅极的鳍状结构上，并覆盖鳍状结构的顶面以及二侧壁。
用于鳍状场效晶体管硅氧氮氧硅存储器单元形成方法

[实用新型]一种鲨鱼鳍RFR振子-CN202321429289.X有效
发明人：王丽娟 -专利权人：沈阳安费诺三浦汽车电子有限公司;安费诺三浦（辽宁）汽车电子有限公司
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01Q1/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种鲨鱼鳍RFR振子，包括：底板，可拆卸连接在车体上，外壳，呈鳍状，盖设在底板上，与底壳构成容纳腔，电路板，设置在底板上，PCB振子，一端设置在电路板上，与电路板构成T型结构，另一端远离底板，该鲨鱼鳍RFR振子通过PCB振子作为RFR功能振子，既填补市场上PCB振子作为RFR功能振子的空白，又解决了鲨鱼鳍天线内空间不足的问题。
一种鲨鱼 rfr