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[发明专利]集成电路器件及其形成方法-CN202310457061.X在审
发明人：崔宰铭;李长根;徐康一;洪元赫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：提供了集成电路器件及其形成方法。一种集成电路器件包括第一绝缘层和在第一绝缘层中的金属通路。集成电路器件包括在第一绝缘层上的第二绝缘层。集成电路器件包括在第二绝缘层的侧壁之间且在金属通路上的导电材料。此外，集成电路器件包括在导电材料和/或第二绝缘层上的金属线。还提供了形成集成电路器件的相关方法。
集成电路器件及其形成方法

[发明专利]一种芯片封装结构及方法-CN202311221287.6在审
发明人：张梦彤;秦顺金;周容德;刘苏毅 -专利权人：江苏展芯半导体技术有限公司
申请日： 2023-09-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片封装结构及方法，属于芯片封装技术领域，包括第一封装体、第二封装体与多个焊球，所述第一封装体与所述第二封装体通过多个焊球连接；所述第一封装体包括至少一个表面贴装器件和至少一个裸芯片，至少一个表面贴装器件和至少一个裸芯片通过再布线层和通孔连接；所述第二封装体包括至少一个表面贴装器件和至少一个裸芯片，至少一个表面贴装器件和至少一个裸芯片通过再布线层和通孔连接。本发明一种芯片封装结构及方法，有利于在封装体内集成更多器件，缩小最终产品的外形尺寸，提高集成度。
一种芯片封装结构方法

[实用新型]半导体封装装置-CN202320153957.4有效
发明人：吕文隆 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2023-01-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本申请提出了一种半导体封装装置，包括：主动面相向设置的第一芯片与第二芯片，以及设置于所述第一芯片与所述第二芯片之间的重布线层，所述重布线层中包括堆叠通孔，所述堆叠通孔电性连接所述第一芯片与所述第二芯片。本申请取得的有益效果包括：第一方面，移除了第一芯片和第二芯片之间的间隙，解决了应力导致线路裂纹的问题；第二方面，第一芯片和第二芯片透过堆叠通孔直上直下传递信号，可以缩短电信号路径，提高电性能；第三方面，还可以借由堆叠通孔在堆叠过程中的偏移拉开焊料凸块的间距，以此避免焊料桥接的风险。
半导体封装装置

[实用新型]半导体封装装置-CN202320147933.8有效
发明人：吕文隆 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本申请提出了一种半导体封装装置，包括：底层重布线层；第一芯片，其主动面设置有第一重布线层，且以主动面朝上设置在所述底层重布线层上；第二芯片，其主动面设置有第二重布线层，且以主动面朝上设置在所述底层重布线层上；所述第一芯片和所述第二芯片分别通过打线电性连接所述底层重布线层。本申请通过在第一芯片的主动面和第二芯片的主动面上分别设置彼此独立的第一重布线层和第二重布线层，以此，重布线层的范围仅限于各个芯片表面区域内，可以避免重布线层因CTE不匹配的应力累积于芯片之间的间隙，借此消除连续、大面积的重布线层的应力累积，有助于改善重布线层的翘曲及其延伸的线路裂纹、焊料变形裂纹等问题。
半导体封装装置

[实用新型]半导体封装装置-CN202320391869.8有效
发明人：吕文隆 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本申请提出了一种半导体封装装置，包括：导线结构，具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；多个第一焊垫，设置在所述第一表面上；多个第二焊垫，设置在所述第二表面上；第一电子元件，电连接于所述第一焊垫；第二电子元件，电连接于所述第二焊垫；沟槽，形成于所述导线结构，并由所述第一表面延伸至所述第二表面；多条迹线，延伸于所述沟槽的内侧，所述迹线分别电连接所述第一焊垫与所述第二焊垫。本申请通过在导线结构上设置沟槽，利用沟槽内侧的迹线来电连接导线结构两侧的电子元件，由于迹线的线宽和线距可以达到精细线路的等级要求，以此可以减少占用布线空间，减少制程，降低成本。
半导体封装装置

[发明专利]一种基于TMV穿塑孔技术的多层层叠封装结构及其制作方法-CN202310820670.7在审
发明人：徐伟毅;刘卫东 -专利权人：华天科技（南京）有限公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明提供一种基于TMV穿塑孔技术的多层层叠封装结构及其制作方法，该层叠封装结构包括下层器件、上层器件、锡球，下层器件的封装体上设有多个呈阶梯状的阶梯孔，锡球植入阶梯孔内，所述上层器件通过锡球与下层器件组成多层的层叠封装结构。制作方法为：S1、制备下层器件、上层器件；S2、采用激光打印设备加工阶梯孔；S3、植入锡球；S4、采用表面贴装工艺对上层器件贴装，使上层器件与下层器件焊接牢固，形成多层层叠封装结构。本发明从单层器件平铺实现多器件堆叠，使得电路板单位面积下继承度更高，具有集成度高、设计周期短、开发成本低等特点；且可以使用普通塑封模具完成封装结构，节约成本，并解决了锡球凹陷导致焊接不良的问题。
一种基于 tmv 穿塑孔技术多层层叠封装结构及其制作方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202310797613.1在审
发明人：李旭峯;曾于平;黄立贤;庄曜群;卢胤龙 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种形成半导体器件的方法包括在第一器件管芯的第一衬底上沉积第一介电层，蚀刻第一介电层以形成沟槽，在沟槽中和第一介电层的顶表面上沉积金属材料，以及执行化学机械抛光(CMP)工艺，以从第一介电层的顶表面去除金属材料的部分来形成第一金属焊盘。在CMP工艺的执行之后，该方法选择性地蚀刻第一金属焊盘，以在第一金属焊盘的边缘部分处形成凹槽，在第二器件管芯的第二衬底上沉积第二介电层，在第二介电层中形成第二金属焊盘，以及将第二器件管芯接合至第一器件管芯。第二介电层接合至第一介电层，并且第二金属焊盘接合至第一金属焊盘。本发明的实施例还提供了半导体器件。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]用于RF应用的集成中介层-CN202310237589.6在审
发明人：希·刘;李立腾;威廉姆·斯诺德格拉斯 -专利权人：安华高科技股份有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于RF应用的集成中介层。所述中介层包含顶层，其包含集成到所述顶层中的无源装置阵列。数个所述无源装置能够通过安置于所述顶层上方的迹线连接到垫。所述无源装置的所述数目能够经选择以实现所述阵列所期望的性质，例如所期望电阻、电感或电容。所述中介层能够因此提供基于所述迹线的布置来快速调谐耦合到所述中介层的所述垫的裸片的能力。
用于 rf 应用集成中介

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210367737.1在审
发明人：王晓娟;张浩;许增升;段超 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，所述基底的顶部形成有导电层，所述导电层的顶部形成有层间介电层，所述层间介电层中形成有贯穿所述层间介电层的开口，所述开口露出所述导电层的顶面；在所述开口的底部和侧壁形成保护层；形成所述保护层之后，在所述开口的剩余空间中形成互连插塞；形成所述互连插塞之后，对所述层间介电层、保护层和互连插塞进行平坦化处理。所述保护层能够降低研磨液沿着所述互连插塞与层间介电层的交界面渗透进所述导电层的概率，相应的，也就降低了对所述导电层造成损伤的概率，从而提高了所述半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]具有集成功率转换器模块的集成电路基板设计及其制造方法-CN202210320197.1在审
发明人：贾震;杨秀庄;郭景;崔瑀琦 -专利权人：辉达公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：公开了具有集成功率转换器模块的集成电路基板设计及其制造方法。一种集成电路封装，包括：管芯基板，其具有第一和第二管芯表面；在所述管芯基板中的管芯高电压输入功率连接，用于接收高电压输入功率并且将所述高电压输入功率传输至所述第一管芯表面上的高电压功率迹线；在所述第一管芯表面上的功率转换器模块，其电连接至所述高电压功率迹线，以将高电压输入功率转换为低电压输出功率；位于所述第一管芯表面上的低电压功率迹线，其电连接至所述功率转换器模块，以将所述低电压输出功率输送到所述第一管芯表面上的电路管芯。还公开了制造集成电路封装的方法和具有包括所述封装的一个或更多个电路的计算机。
具有集成功率转换器模块路基设计及其制造方法

[发明专利]半导体元件-CN202211604330.2在审
发明人：黄则尧 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本申请公开一种具有衬层结构的半导体元件。该半导体元件包含：一基板；一第一介电层，位于该基板上；一第一导电层，位于该第一介电层内；一中间膜，位于该第一导电层上且包含一U形剖面轮廓；以及一填充层，位于该中间膜上，其中该中间膜包含碳化硅。
半导体元件

[发明专利]一种超导硅通孔转接板及其制备方法-CN202310941238.3在审
发明人：徐高卫;黄阳;李坤;肖克来提;谢晓明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明提供一种超导硅通孔转接板及其制备方法，所述超导硅通孔转接板包括：上凹槽、下凹槽、凹槽埋层及超导金属柱；其中，所述上凹槽及所述下凹槽分别对应设置在所述基板的上表面及下表面，且所述通孔贯穿所述上凹槽及所述下凹槽；所述凹槽埋层形成在所述上凹槽的内壁表面及所述下凹槽的内壁表面；所述超导金属柱填充设置在所述上凹槽、所述下凹槽及所述通孔内。本发明提供的超导硅通孔转接板及其制备方法能够解决现有超导硅通孔转接板中的超导金属柱因冷缩松动无法实现电连接功能的问题。
一种超导硅通孔转接及其制备方法

[发明专利]基于HTCC的陶瓷互联装置-CN202310845665.1在审
发明人：杜帅;蔡克仑;任朝炜;曾欣 -专利权人：石家庄烽瓷电子技术有限公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于HTCC的陶瓷互联装置，涉及射频封装技术领域。所述互联装置包括基于HTCC的信号输入模块、软基板模块、PIN针传输模块以及信号输出模块，所述信号输入模块通过所述软基板模块与所述PIN针传输模块连接，所述PIN针传输模块与所述信号输出模块连接，信号经所述信号输入模块输入，并经依次所述软基板模块以及PIN针传输模块传输后经所述信号输出模块输出。所述互联装置具有稳定性强，使用方便，散热效果好等优点。
基于 htcc 陶瓷装置

[发明专利]封装结构及其制备方法-CN202310997316.1在审
发明人：王金丽;张树金;许嗣拓;周强 -专利权人：江苏卓胜微电子股份有限公司
申请日： 2023-08-09 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明涉及一种封装结构及其制备方法，封装结构包括：布线结构层，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面，布线结构层包括布线层和隔离介质层，布线层位于隔离介质层内；芯片结构，包括第一芯片与第二芯片，第一芯片贴装于第一表面上，第一芯片与布线层连接；第二芯片贴装于第二表面上，第二芯片与布线层连接；封装层，覆盖隔离层、芯片结构和布线结构层，封装层包括第一封装层与第二封装层，第一封装层覆盖第一芯片与第一表面，第二封装层覆盖第二芯片与第二表面。
封装结构及其制备方法

[发明专利]半导体器件-CN202211691341.9在审
发明人：徐艺正;金爀 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：延伸结构，所述延伸结构包括堆叠在衬底上并且在第一水平方向上延伸的第一水平导电线延伸部、第一层间绝缘层、第二水平导电线延伸部和第二层间绝缘层；第一接触，所述第一接触被构造为穿过所述第二层间绝缘层、所述第二水平导电线延伸部和所述第一层间绝缘层并且接触所述第一水平导电线延伸部；第二接触，所述第二接触被构造为穿过所述第二层间绝缘层并且接触所述第二水平导电线延伸部；以及第一接触间隔物，所述第一接触间隔物在所述第一接触的侧壁与所述延伸结构之间延伸，并且被构造为将所述第一接触与所述第二水平导电线延伸部电隔离。
半导体器件

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