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[发明专利]半导体结构及其制作工艺-CN201910187678.8在审
发明人：李志成;陈威任;李凯霖 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构及其制作工艺，其中该半导体结构包含至少一堆叠的鳍状结构、一栅极以及一源/漏极。至少一此堆叠的鳍状结构位于一基底上，其中堆叠的鳍状结构包含一第一鳍状层以及一第二鳍状层，且一鳍状介电层夹置于第一鳍状层以及第二鳍状层之间。栅极跨设堆叠的鳍状结构。源/漏极直接设置于基底上以及全部的堆叠的鳍状结构侧壁上。
半导体结构及其制作工艺

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202011082680.8在审
发明人：林俊贤 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，首先形成一鳍状结构于基底上，然后形成一栅极材料层于鳍状结构上，进行一蚀刻制作工艺图案化栅极材料层以形成一栅极结构以及一硅残留，对该硅残留进行灰化制作工艺，再进行一清洗制作工艺将该硅残留转换为聚合物停止层于鳍状结构顶部及侧壁。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]晶体管及其制造方法-CN200710306341.1有效
发明人：赵俊熙 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-12-28 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该晶体管包括从衬底垂直突出的鳍状有源区；包围鳍状有源区的下部的隔离层；和横跨鳍状有源区并覆盖鳍状有源区的一部分的栅电极。隔离层形成为包围鳍状有源区的下部并且部分移除在间隔物下方的隔离层以暴露出鳍状有源区的侧壁的一部分。接着，实施干式蚀刻以形成具有柱/颈部的侧壁。
晶体管及其制造方法

[发明专利]3D阵列的基于玻璃的毫米波和太赫兹结构-CN202211483747.8在审
发明人： G·C·多吉阿米斯;A·阿列克索夫;V·斯特朗;T·卡姆嘎因;N·普拉布高纳卡尔;B·罗林斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：在实施例中，所述电磁波发射器包括鳍状物，其中，所述鳍状物是导电材料，并且其中，所述鳍状物包括阶梯轮廓。
阵列基于玻璃毫米波赫兹结构

[发明专利]栅极具有不同功函数的双栅极半导体器件及其制造方法-CN200780005193.8无效
发明人：马克·范达尔;拉杜·苏尔代亚努 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2007-02-02 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：所述FinFET包括鳍状物(20)的相邻各个边的第一和第二栅极(72，74)，至少一部分第一栅极面向由多晶硅形成的鳍状物，并且至少一部分第二栅极面向金属硅化物形成的鳍状物。
栅极具有不同函数半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体制作方法-CN201810808581.X在审
发明人：李筠;李振铭;柯忠廷;杨复凯;王美匀 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供一种半导体制作方法，其包括：提供一装置结构，其具有隔离结构、与隔离结构相邻的鳍状物、鳍状物与隔离结构上的多个栅极结构；该装置结构还具有位于隔离结构与鳍状物之上以及栅极结构之间的一个或多个介电层、鳍状物上的第一接点孔、以及隔离结构上的第二接点孔。
保护层隔离结构鳍状物蚀刻半导体制作接点结构栅极结构装置结构下表面等离子体处理穿过半导体工艺蚀刻保护层蚀刻选择性蚀刻工艺介电层整合沉积空洞

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN201810902002.8有效
发明人：郑兆钦;杨玉麟;云惟胜;徐振峰;陈自强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：半导体装置的形成方法包括：形成一鳍状结构，其具有交替堆叠的多个第一半导体层与多个第二半导体层；在鳍状结构上形成一牺牲栅极结构；非等向蚀刻该牺牲栅极结构未覆盖的该鳍状结构的一源极/漏极区，以形成一源极/漏极空间；在该源极/漏极空间中形成一源极/漏极外延层；移除牺牲栅极结构，以露出鳍状结构的一部分；自露出的该鳍状结构移除该第一半导体层；形成朝向该源极/漏极外延层的多个凹陷部；在这些凹陷部中形成多个内侧间隔物；以及形成一栅极介电层以覆盖这些内侧间隔物，并形成一栅极层以围绕第二半导体层，其中内侧间隔物与该栅极介电层隔离该栅极层与该源极/漏极外延层。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]半导体鳍状结构截断工艺-CN202111390542.0在审
发明人：邱岩栈 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种半导体鳍状结构截断工艺。该工艺包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成多条鳍状结构，相邻两条所述鳍状结构之间形成间隙；沉积第一介质层，所述第一介质层填充满所述间隙，使得所有鳍状结构连为一体形成鳍状体；在所述鳍状体上形成多条图层条，相邻两条所述图层条之间间隔形成凹槽，所述凹槽位置处的鳍状体上表面外露；所述鳍状体中，最靠近各条所述图层条的鳍状结构为必要鳍状结构，剩余鳍状结构为不必要鳍状结构；使得各条所述图层条的侧面贴附有掩模条，所述掩模条覆盖住所述必要鳍状结构；基于所述掩模条的图案，刻蚀所述鳍状体，使得未被所述掩模条覆盖的不必要鳍状结构截断。
半导体结构截断工艺

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201510861055.6有效
发明人：巫凱雄;鬼木悠丞 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：所述方法包括以下步骤：在半导体基板上方形成鳍状结构，在鳍状结构上方形成氧化物层，其中形成氧化物层的步骤包括在鳍状结构上利用溶剂混合物执行湿式化学氧化制程，在氧化物层上方形成介电层，以及在半导体结构上方形成至少一个绝缘特征其中，所述溶剂混合物为基于非质子性溶剂的溶液可降低半导体基板的蚀刻速度，从而使溶液所形成的氧化物层产生充足的厚度。所揭露的方法用以改良绝缘特征，以提供具有更佳绝缘特征的STI特征。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种FinFET鳍片掺杂浓度分布的测量方法和测量样品制备方法-CN201410191352.X有效
发明人：居建华;张帅 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-05-07 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明提供一种FinFET鳍片掺杂浓度分布的测量样品制备方法，包括提供半导体衬底，在半导体衬底上形成多个鳍片，在鳍片的顶部形成有硬掩膜层；形成衬垫氧化物层，以覆盖半导体衬底的表面、鳍片的侧壁以及硬掩膜层的侧壁和顶部；在鳍片之间形成隔离结构；沉积绝缘层，以完全填充鳍片之间的间隙；执行化学机械研磨，直至绝缘层的顶部平坦化。本发明还提供一种测量方法，包括将制备好的测量样品分割为结构完全相同的第一子样品和第二子样品；分别对第一子样品和第二子样品实施二次离子质谱分析和透射电子显微镜横截面分析；将得到的分析数据传送至工艺计算机辅助设计工具模拟计算分析得到鳍片掺杂浓度分布
一种 finfet 掺杂浓度分布测量方法测量样品制备方法

[发明专利]用于鳍状物推进器的平移托架-CN200880124301.8无效
发明人： J·霍弗特·韦尔梅登 -专利权人： A.P.穆勒-马士基有限公司
申请日： 2008-12-09 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： B63H1/36 文献下载
摘要：海船推进机构使用摆动鳍状物(4)。该机构包括托架(3)，该托架将来自推进动力源(10)的推进动力传递给鳍状物(4)。鳍状物(4)可绕第二旋转轴线(6)旋转，其中，第一旋转轴线(12)与第二旋转轴线(6)形成角度α。鳍状物通过两个连接点(5)、(16)而与托架(3)连接。
用于鳍状物推进器平移托架

[发明专利]半导体装置的制作方法-CN202210759224.5在审
发明人：江子昂;林群能;连建洲;陈玠玮;叶明熙;王伯原 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：半导体装置的制作方法，包括：形成至少一鳍状物于基板上；形成多个虚置栅极于至少一鳍状物上；并形成侧壁间隔物于虚置栅极上。外延形成源极与漏极区以接触至少一鳍状物并与虚置栅极横向相邻，其中形成源极与漏极区的步骤留下孔洞于源极与漏极区之下并与虚置栅极相邻。将虚置栅极置换成多个主动栅极，且主动栅极各自具有栅极介电层位于侧壁间隔物上，以及栅极位于栅极介电层上。形成图案化层以露出主动栅极的选定的主动栅极。进行第一蚀刻以移除选定的主动栅极的栅极的露出部分。
半导体装置制作方法

[发明专利]相变存储器的制备方法和相变存储器-CN202080099901.4在审
发明人：黄仕璋;李宜政;刘育宏 -专利权人：北京时代全芯存储技术股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一种相变存储器的制备方法和相变存储器，包括如下步骤：提供一基底，所述基底包括一衬底(200)，一底部电极(201)，一氮化物层(203)，一加热器(207)，所述加热器(207)位于所述氮化物层(203)内，以及所述加热器(207)两边的鳍状牺牲层(206)，所述鳍状牺牲层(206)可以被选择性腐蚀；选择性腐蚀所述鳍状牺牲层(206)，形成所述加热器(207)两边的鳍状凹槽；在所述鳍状凹槽处沉积氧化物层由于气隙(208a)隔热性能比氮化物层或氧化物层更好，加热器(207)被气隙(208a)包围，横向热能耗散减少，热效率会更高，提升了相变存储器的性能。
相变存储器制备方法

[发明专利]环绕式沟槽接触部结构和制作方法-CN201710003272.0有效
发明人： J·施泰格瓦尔德;T·加尼;O·戈隆茨卡 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：多个半导体鳍状物从半导体衬底伸出。将沟道区设置到一对源极区/漏极区之间的每一鳍状物内。外延半导体层在所述源极区/漏极区之上覆盖每一鳍状物的顶表面和侧壁表面，从而在相邻鳍状物之间界定了高高宽比缝隙。所述填充金属包括插塞和阻挡层，其中，所述插塞填充形成于所述鳍状物和所述共形金属层之上的接触沟槽，所述阻挡层充当所述插塞的衬，从而避免所述共形金属层材料和插塞材料的相互扩散。
环绕沟槽接触结构制作方法

[发明专利]环绕式沟槽接触部结构和制作方法-CN201710513083.8有效
发明人： J·施泰格瓦尔德;T·加尼;O·戈隆茨卡 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：多个半导体鳍状物从半导体衬底伸出。将沟道区设置到一对源极区/漏极区之间的每一鳍状物内。外延半导体层在所述源极区/漏极区之上覆盖每一鳍状物的顶表面和侧壁表面，从而在相邻鳍状物之间界定了高高宽比缝隙。所述填充金属包括插塞和阻挡层，其中，所述插塞填充形成于所述鳍状物和所述共形金属层之上的接触沟槽，所述阻挡层充当所述插塞的衬，从而避免所述共形金属层材料和插塞材料的相互扩散。
环绕沟槽接触结构制作方法