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[发明专利]用于晶体管沟道应用的在包覆之前对Si鳍状物元件的预雕刻-CN201380081077.X有效
发明人： G·A·格拉斯;A·S·默西;D·B·奥贝蒂内;S·M·乔希 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-12-23 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：出于维度雕刻的目的，可以通过射频(RF)等离子和/或热处理来修改晶体管鳍状物元件(例如，鳍状物或三栅极)。可以通过以下操作来形成经蚀刻的、减薄的鳍状物：首先形成较宽的单晶鳍状物，并且之后在较宽的鳍状物之间沉积沟槽氧化物材料，使用第二蚀刻来对较宽的鳍状物进行蚀刻以形成具有未受损的顶面和侧壁的较窄的单晶鳍状物以用于外延生长活性沟道材料第二蚀刻可以将较宽的鳍状物的顶面和侧壁去除1nm至5nm之间的厚度。第二蚀刻可以使用以下各项来去除厚度：(1)基于氯或氟的化学物并且使用低离子能量等离子体处理，或者(2)低温热处理，其不会经由高能离子轰击、氧化或者通过留下会扰乱第二材料的外延生长质量的蚀刻残留物来损害鳍状物
用于晶体管沟道应用之前 si 鳍状物元件雕刻

[发明专利]用于高级集成电路结构制造的双金属栅极结构-CN201811297672.8在审
发明人： J·S·莱布;J·胡;A·达斯古普塔;M·L·哈藤多夫;C·P·奥特 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：在示例中，一种集成电路结构包括半导体衬底，所述半导体衬底包括具有从其突出的半导体鳍状物的N阱区。沟槽隔离层在所述半导体衬底上、包围所述半导体鳍状物，其中所述半导体鳍状物在所述沟槽隔离层上方延伸。质层在所述半导体鳍状物之上。导电层在所述半导体鳍状物之上的所述栅极电介质层之上，所述导电层包括钛、氮和氧。P型金属栅极层在所述半导体鳍状物之上的所述导电层之上。
半导体鳍状物导电层衬底半导体高级集成电路集成电路结构沟槽隔离结构制造栅极电介质层双金属栅极栅极层质层包围延伸制造

[发明专利]半导体装置-CN201811481828.8在审
发明人：张钧博;李振铭;杨复凯;王美匀;李威养;徐梓翔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置包括一薄层，包含有半导体材料且上述薄层包括向外突出的鳍状结构。一隔离结构，设置于上述薄层上方，但不在鳍状结构上方。第一间隔物及第二间隔物，设置于隔离结构上方及鳍状结构的相对的两侧壁上。第一间隔物设置于鳍状结构的第一侧壁上。第二间隔物设置于鳍状结构相对于第一侧壁的第二侧壁上。且第二间隔物大抵上高于第一间隔物。一外延层生长于鳍状结构上。上述外延层横向突出。
鳍状结构间隔物外延层薄层半导体装置间隔物设置第一侧壁隔离结构侧边半导体材料横向突出部第二侧壁两侧壁对称生长

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202110812250.5在审
发明人：朱龙琨;黄懋霖;徐崇威;余佳霓;江国诚;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：半导体装置的形成方法包括：提供自基板延伸的鳍状物，且鳍状物包括多个半导体层，其中相邻的半导体层之间具有第一距离。方法还包括提供自基板延伸并与半导体层相邻的介电鳍状物，其中每一半导体层的末端与介电鳍状物的第一侧壁之间具有第二距离。第二距离大于第一距离。沉积介电层于半导体层与介电鳍状物的第一侧壁上。形成第一金属层于半导体层与介电鳍状物的第一侧壁上的该介电层上，其中位于相邻的半导体层之上与之间的第一金属层的部分合并在一起。最后移除第一金属层。
半导体装置形成方法

[发明专利]流动鳍状物-CN201680009004.3有效
发明人：格雷戈里·斯科特·克特曼;詹姆斯·泰勒·恰尔诺斯基;贾森·克里斯托弗·卡尔达什;菲利普·詹姆斯·道;德鲁·威廉·布拉克特;沙恩·耶林;约翰·托马斯·迈尔斯三世 -专利权人：霍比耶卡特公司，密苏里州公司
申请日： 2016-07-07 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： B63H1/00 文献下载
摘要：一种人力推动的船艇，其具有由桅杆支撑的延伸到水中的一对柔性鳍状物，每一鳍状物适合于相对于所述船艇的中心纵向尺寸在大体上横向方向上穿过弧形路径振荡。提供用于施加输入力的踏板，借此当施加输入力时，所述柔性鳍状物能扭曲以形成攻角，以便在沿所述弧形路径在两个方向上移动时相对于所述船艇的所述纵向尺寸提供前向推力。所述鳍状物中的每一者优选地由环绕所述桅杆的一层硬且耐用的材料构成。两层材料在后缘处触碰，且其相对于彼此自由滑动。优选地，所述鳍状物中的每一者在所述桅杆的尖端处被赋予可调整的绷紧。
流动鳍状物

[发明专利]身体冲浪衣服-CN201080016205.9有效
发明人：尼古拉斯·诺埃尔·加德勒 -专利权人：尼古拉斯·诺埃尔·加德勒
申请日： 2010-12-14 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： A41D7/00 文献下载
摘要：本文描述了为身体冲浪者提供工具来稳定其漂浮和控制其在波浪上的方向/位置的用于身体冲浪的装置和方法。根据一个方面，身体冲浪装置包括具有躯干部和腿的紧身衣服；位于躯干部上的多个鳍状物；以及侧向位于腿上的一个或多个鳍状物。鳍状物最好通过粘合剂或机械装置连接到紧身衣服，且鳍状物和衣服最好被浮力层覆盖，浮力层具有1mm的最小厚度。
身体冲浪衣服

[发明专利]形成三栅极鳍式场效晶体管装置的方法及该生成的装置-CN201510712671.5有效
发明人：谢瑞龙;A·克诺尔 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2015-10-28 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成三栅极鳍式场效晶体管装置的方法及该生成的装置。本发明，除了其它方法之外，在所公开的其中一个说明的方法包含，形成位在半导体衬底的上表面上方及由该半导体衬底的上表面而垂直地间隔开的鳍状物、该鳍状物具有上表面、下表面及第一与第二侧表面，其中该鳍状物的轴线于该鳍状物的高度方向上为朝向实质上平行于该衬底的该上表面，并且其中该鳍状物的第一侧表面接触第一绝缘材料、形成围绕该鳍状物的该上表面、该第二侧表面及该下表面的栅极结构，以及形成传导耦接至该栅极结构的栅极接触结构。
形成三闸极鳍式场效电晶体装置方法生成

[发明专利]在硅鳍状物上形成LED结构-CN201380079214.6有效
发明人： S·达斯古普塔;H·W·田;R·周;M·拉多萨夫列维奇;B·舒-金;S·加德纳 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：描述了在硅鳍状物模板上形成III‑V LED结构的方法。那些方法和结构可以包括：在硅鳍状物的硅(111)平面上形成n掺杂III‑V层，在n掺杂III‑V层上形成量子阱层，在量子阱层上形成p掺杂III‑V层，以及随后在p掺杂III‑V层上形成欧姆接触层。
硅鳍状物上形成 led 结构

[发明专利]集成电路装置的形成方法-CN201910870889.1在审
发明人：蔡宗裔;李宗霖;陈燕铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-16 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：公开了包括不同型态的鳍状场效晶体管所用的隔离衬垫层的集成电路装置与相关的制作方法。例示性的方法包括在基板上进行鳍状物蚀刻制程，以形成多个第一沟槽以定义第一区中的多个第一鳍状物，以及多个第二沟槽以定义第二区中的多个第二鳍状物。形成氧化物衬垫层于第一区中的第一鳍状物与第二区中的第二鳍状物上。形成氮化物衬垫层于第一区与第二区中的氧化物衬垫层上。在自第一区移除氮化物衬垫层之后，形成隔离材料于氧化物衬垫层与氮化物衬垫层上，以填入第一沟槽与第二沟槽中。使隔离材料、氧化物衬垫层、与氮化物衬垫层凹陷，以形成第一隔离结构(隔离材料与氧化物衬垫层)与第二隔离结构(隔离材料、氮化物衬垫层、与氧化物衬垫层)。
集成电路装置形成方法

[发明专利]具有背面外延生长的二极管结构-CN202211473160.9在审
发明人： P·马吉;A·默西;C·邦伯格;K·甘古利 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：在示例中，一种二极管器件包括通过绝缘阻挡部隔开的由半导体材料构成的单独鳍状物或主体。所述鳍状物或主体之一掺杂有n型掺杂剂，而另一鳍状物或主体则掺杂有p型掺杂剂。第一和第二鳍状物或主体中的每者包括位于其上的包括具有更高掺杂剂浓度的对应掺杂剂类型的外延生长区域。此外，第一和第二鳍状物中的每者包括位于背面(例如，位于所述鳍状物或主体之下)的另一外延生长区域，其与位于所述鳍状物或主体的相反侧的外延区域相比具有对应掺杂剂类型，但是具有较低掺杂剂浓度。
具有背面外延生长二极管结构

[发明专利]半导体装置-CN202110346506.8在审
发明人：耿文骏;徐国修;杨智铨;洪连嵘;王屏薇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：半导体装置包括第一源极/漏极结构、第二源极/漏极结构、第三源极/漏极结构、第一虚置鳍状物以及第二虚置鳍状物。第一虚置鳍状物沿着方向位于第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构之间，以隔离第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构；第二虚置鳍状物沿着方向位于第二源极/漏极结构与第三源极/漏极结构之间，以隔离第二源极/第一虚置鳍状物包括外侧介电层、内侧介电层位于外侧介电层上与第一盖层位于外侧介电层与内侧介电层上。第二虚置鳍状物包括底部与第二盖层位于底部上。
半导体装置

[发明专利]纳米尺度模板结构上的Ⅲ族-N晶体管-CN201810011903.8有效
发明人： H·W·田;S·达斯古普塔;M·拉多萨夫列维奇;B·舒金;S·K·加德纳;S·H·宋;R·S·周 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-06-24 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明描述了纳米尺度模板结构上的Ⅲ族‑N晶体管。Ⅲ‑N半导体沟道形成在Ⅲ‑N过渡层上，Ⅲ‑N过渡层形成在诸如鳍状物侧壁的硅模板结构的(111)或(110)表面上。在实施例中，硅鳍状物具有可与Ⅲ‑N外延膜厚度相比拟的宽度，以实现更兼容的晶种层，允许较低的缺陷密度和/或减小的外延膜厚度。在实施例中，过渡层为GaN并且半导体沟道包括铟(In)，以增大半导体沟道的导带与硅鳍状物的导带的偏离。在其它实施例中，鳍状物是牺牲性的并且在晶体管制造期间被去除或氧化，或者通过其它方式被转换成电介质结构。在采用牺牲鳍状物的某些实施例中，Ⅲ‑N过渡层和半导体沟道大体上是纯GaN，允许击穿电压高于存在硅鳍状物的情况下可维持的击穿电压。
纳米尺度模板结构晶体管

[发明专利]纳米尺度模板结构上的Ⅲ族‑N晶体管-CN201380060176.X有效
发明人： H·W·田;S·达斯古普塔;M·拉多萨夫列维奇;B·舒金;S·K·加德纳;S·H·宋;R·S·周 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-06-24 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明描述了纳米尺度模板结构上的Ⅲ族‑N晶体管。Ⅲ‑N半导体沟道形成在Ⅲ‑N过渡层上，Ⅲ‑N过渡层形成在诸如鳍状物侧壁的硅模板结构的(111)或(110)表面上。在实施例中，硅鳍状物具有可与Ⅲ‑N外延膜厚度相比拟的宽度，以实现更兼容的晶种层，允许较低的缺陷密度和/或减小的外延膜厚度。在实施例中，过渡层为GaN并且半导体沟道包括铟(In)，以增大半导体沟道的导带与硅鳍状物的导带的偏离。在其它实施例中，鳍状物是牺牲性的并且在晶体管制造期间被去除或氧化，或者通过其它方式被转换成电介质结构。在采用牺牲鳍状物的某些实施例中，Ⅲ‑N过渡层和半导体沟道大体上是纯GaN，允许击穿电压高于存在硅鳍状物的情况下可维持的击穿电压。
纳米尺度模板结构晶体管

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201510785696.8有效
发明人：王志豪;蔡庆威;刘继文;江国诚;廖忠志;连万益 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-16 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一实施例的形成方法包含形成鳍状物于基板上。鳍状物包含第一结晶半导体材料于基板上，以及第二结晶半导体材料于第一结晶半导体材料上。此方法也包含将鳍状物中的至少部份第一结晶半导体材料与第二结晶半导体材料转换成介电材料，并移除至少部份的介电材料。此方法也包含形成栅极结构于鳍状物上，并形成源极/漏极区于栅极结构的相反两侧上。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]无衬底垂直二极管集成电路结构-CN202111438853.X在审
发明人： A·贾扬提纳拉辛哈姆;B·格林;S·维什瓦纳特 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：例如，无衬底集成电路结构包括在电介质层中的半导体鳍状物，半导体鳍状物具有顶部和底部，并且电介质层具有顶表面和底表面。第一外延半导体结构在半导体鳍状物的顶部上。第二外延半导体结构在半导体鳍状物的底部上。第一导电触点在第一外延半导体结构上。第二导电触点在第二外延半导体结构上。
衬底垂直二极管集成电路结构