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[发明专利]形成场效晶体管的方法-CN201811248710.0在审
发明人：范玮寒;吕伟元;杨玉麟;范纯祥;杨世海 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：方法包括提供结构，其具有基板与自基板延伸的鳍状物，其中鳍状物包括第一半导体材料并具有用于晶体管的源极区、通道区、与漏极区；形成栅极堆栈于通道区上；对源极区与漏极区中的鳍状物进行表面处理，使源极区与漏极区中的鳍状物的外侧部分转变成不同于第一半导体材料的材料；蚀刻源极区与漏极区中的鳍状物其转变的外侧部分，以减少源极区与漏极区中的鳍状物宽度；以及沉积外延层于源极区与漏极区中的鳍状物上。
鳍状物漏极区源极区半导体材料通道区基板蚀刻场效晶体管栅极堆栈外延层晶体管沉积延伸

[发明专利]用于高级集成电路结构制造的外延源极或漏极结构-CN201811297813.6在审
发明人： S·乔希;M·J·杰克逊;M·L·哈藤多夫 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：在示例中，一种集成电路结构包括：包括硅的鳍状物，所述鳍状物具有下鳍状物部分和上鳍状物部分。栅极电极在所述鳍状物的所述上鳍状物部分之上，所述栅极电极具有与第二侧相对的第一侧。第一外延源极或漏极结构在所述栅极电极的所述第一侧嵌入于所述鳍状物中。第二外延源极或漏极结构在所述栅极电极的所述第二侧嵌入于所述鳍状物中，所述第一和第二外延源极或漏极结构包括硅和锗并具有火柴棍轮廓。
鳍状物漏极结构栅极电极源极高级集成电路集成电路结构结构制造嵌入火柴棍制造

[发明专利]用于高级集成电路结构制造的外延源极或漏极结构-CN202110664368.8在审
发明人： S·乔希;M·J·杰克逊;M·L·哈藤多夫 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：在示例中，一种集成电路结构包括：包括硅的鳍状物，所述鳍状物具有下鳍状物部分和上鳍状物部分。栅极电极在所述鳍状物的所述上鳍状物部分之上，所述栅极电极具有与第二侧相对的第一侧。第一外延源极或漏极结构在所述栅极电极的所述第一侧嵌入于所述鳍状物中。第二外延源极或漏极结构在所述栅极电极的所述第二侧嵌入于所述鳍状物中，所述第一和第二外延源极或漏极结构包括硅和锗并具有火柴棍轮廓。
用于高级集成电路结构制造外延

[发明专利]防止子沟道漏电流的半导体装置-CN201480083566.3有效
发明人： K·贾姆布纳坦;G·A·格拉斯;C·S·莫哈帕特拉;A·S·默西;S·M·塞亚;T·加尼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-12-22 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施例包括一种装置，该装置包括：衬底上的鳍状物结构，鳍状物结构包括鳍状物顶部和底部部分、包括多数载流子的沟道、以及外延(EPI)层；绝缘层，其包括邻近鳍状物顶部和底部部分的绝缘层顶部和底部部分；其中(a)EPI层包括IV族和III‑V族材料中的一种或多种，(b)鳍状物底部部分包括掺杂剂的鳍状物底部部分浓度，掺杂剂与多数载流子极性相反，(c)鳍状物顶部部分包括掺杂剂的鳍状物顶部部分浓度，其低于鳍状物底部部分浓度
防止沟道漏电半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201711214100.4有效
发明人：张世杰;李承翰;沙哈吉·B·摩尔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体装置的制造方法，包括：形成第一鳍状物与第二鳍状物于基板上；沉积隔离材料包围第一鳍状物与第二鳍状物；形成栅极结构沿第一鳍状物与第二鳍状物的侧壁与上表面上；使栅极结构外部的第一鳍状物与第二鳍状物形成凹陷，以形成第一鳍状物中的第一凹陷与第二鳍状物中的第二凹陷；外延生长第一源极/漏极材料，自第一凹陷与第二凹陷凸出；以及外延生长第二源极/漏极材料于第一源极/漏极材料上，其中第二源极/漏极材料生长于第一源极/
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201811011635.6在审
发明人：沙哈吉·B·摩尔;李承翰;张世杰;杨怀德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：此方法包含形成一或多个栅极结构于鳍状物上，其中鳍状物包括鳍状物高度、第一侧壁、以及与第一侧壁对向的第二侧壁。方法亦包括形成第一间隔物于鳍状物的第一侧壁上，并形成第二间隔物于鳍状物的第二侧壁上；蚀刻鳍状物以降低栅极结构之间的鳍状物高度；以及蚀刻栅极结构之间的第一间隔物与第二间隔物，使蚀刻后的第一间隔物比蚀刻后的第二间隔物短，且蚀刻后的第一间隔物与蚀刻后的第二间隔物比蚀刻后的鳍状物短。方法还包括形成外延堆叠于栅极结构之间的蚀刻后的鳍状物上。
蚀刻鳍状物间隔物栅极结构第一侧壁半导体结构第二侧壁堆叠硅锗通道外部应力硅锗源硼掺杂对向漏极诱发

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410025155.0在审
发明人：朴栽永;车知勋;白在职;具本荣;文康薰;尹普彦 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-01-20 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：所述制造半导体器件的方法包括提供鳍状物和多个栅极，该鳍状物形成为从衬底突出，该栅极形成在鳍状物上以与所述鳍状物相交；在所述鳍状物内在相应栅极的至少一侧上形成第一凹陷；在所述第一凹陷的表面上形成氧化物层；以及通过去除所述氧化物层将第一凹陷扩展到第二凹陷中。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]集成电路装置的形成方法-CN201910514750.3在审
发明人：廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：此处公开的鳍状物图案化方法可达优先切割鳍状物技术与最后切割鳍状物技术的优点，并提供不同数目的鳍状物于不同集成电路区中。例示性的方法实施间隔物微影技术，其形成的鳍状图案包括第一鳍状线与第二鳍状线于基板中。第一鳍状线与第二鳍状线在对应单一鳍状物的鳍状场效晶体管的第一区中具有第一空间，并在对应多鳍状物的鳍状场效晶体管的第二区中具有第二空间。第一空间大于第二空间，以缓解最后切割鳍状物时的制程容许范围，其部分地移除第二区中的第二鳍状线的一部分，以形成虚置鳍尖于第二区中。第二区中的虚置鳍尖与第一鳍状物之间的空间大于第二空间。
鳍状物鳍状线第二空间鳍状场效晶体管切割第一空间集成电路区鳍状物图案方法实施微影技术第一区间隔物基板移除制程鳍状图案缓解

[发明专利]半导体装置与其形成方法-CN201910234384.6有效
发明人：詹佳玲;陈亮吟;简薇庭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在一实施例中，装置包括鳍状物于基板上，且鳍状物具有靠近基板的硅部分与远离基板的硅锗部分；栅极堆叠，位于鳍状物的通道区上；源极/漏极区，与栅极堆叠相邻；第一掺杂区，位于鳍状物的硅锗部分中，第一掺杂区位于通道区与源极/漏极区之间，且第一掺杂区具有一致的掺质浓度；以及第二掺杂区，位于鳍状物的硅锗部分中，第二掺杂区位于源极/漏极区下，而第二掺杂区具有梯度的掺质浓度，且掺质浓度随着自鳍状物顶部朝鳍状物底部延伸的方向增加。
半导体装置与其形成方法

[实用新型]半导体结构-CN202222077507.X有效
发明人：赖彦良;陈春宇;张永丰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：半导体结构包括基板以及密封环区，封闭基板上的电路区。密封环区还包括鳍状物环，自基板凸起且具有第一宽度；隔离环位于基板上并与鳍状物环相邻；栅极环，位于鳍状物环上且具有第二宽度，且第二宽度小于第一宽度；外延环，位于鳍状物环与隔离环之间；以及接点环，着陆于外延环与隔离环上鳍状物环、隔离环、外延环、与接点环各自的延伸方向彼此平行且完全围绕电路区以形成封闭圈。
半导体结构

[发明专利]具有背面金属接触部和子鳍状物区域的无衬底FINFET二极管结构-CN202010231923.3在审
发明人： N·汤姆森;A·卡尔;K·科柳鲁;N·杰克;R·马;M·博尔;R·米恩德鲁;H·A·拉奥 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：二极管器件包括第一导电区域和绝缘体区域之上的第一鳍状物区域以及在第二导电区域和绝缘体区域之上的第二鳍状物区域，其中第二鳍状物区域与第一鳍状物区域横向相邻，并且绝缘体区域在第一和第二导电区域之间。二极管器件包括：第一导电区域上的第一导电过孔，其中第一导电过孔与第一鳍状物区域垂直相邻；以及第二导电区域上的第二导电过孔，其中第二导电过孔与第二鳍状物区域垂直相邻。二极管器件可以包括导电接触部、第一鳍状物区域上的第一部分、第二鳍状物区域上的第二部分、以及第一部分和第二部分与导电接触部之间的栅电极。
具有背面金属接触子鳍状物区域衬底 finfet 二极管结构

[发明专利]集成电路器件-CN201910103246.4有效
发明人：李敏成;金一龙;吕京奂;郑在烨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种集成电路器件包括：衬底，包括第一器件区和第二器件区；在第一器件区上的第一鳍状物分隔绝缘部分；成对的第一鳍型有源区，在第一器件区中彼此隔开且其间具有第一鳍状物分隔绝缘部分，并沿第一水平方向共线地延伸；第二鳍状物分隔绝缘部分，在第一器件区和第二器件区上沿第二水平方向延伸；以及成对的第二鳍型有源区，彼此隔开且其间具有第二鳍状物分隔绝缘部分，并沿第一水平方向共线地延伸，其中第一鳍状物分隔绝缘部分和第二鳍状物分隔绝缘部分彼此竖直地重叠
集成电路器件

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201510308293.4有效
发明人：林烙跃 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-06-08 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体元件的制造方法，其包括以下步骤：在基底上形成鳍状结构，相邻的鳍状结构问具有开口；形成导体材料层，覆盖鳍状结构并填满开口；图案化导体材料层及鳍状结构，以形成网状结构，该网状结构具有在第一方向延伸的第一条状物与在第二方向延伸的第二条状物，第一条状物与第二条状物交叉，且网状结构具有孔洞。第一条状物位于基底上且位于与鳍状结构对应的位置。第二条状物位于基底上且第二条状物中的导体材料层横跨鳍状结构。孔洞位于开口中，孔洞的周围环绕第一条状物与第二条状物，并且该些孔洞延伸至较该些鳍状结构的底部更靠近该基底的位置。基于此制造方法，本发明还提供了一种半导体元件。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]FinFET器件的制造方法及结构-CN201110374595.3无效
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-11-21 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种FinFET器件的制造方法及结构，采用沙漏状的鳍形应变硅沟道区替换传统的长方状或方状的鳍形应变硅沟道区，增大了鳍形应变硅沟道的宽长比，使得FinFET器件的驱动电流显著提高，制造工艺简单。
finfet 器件制造方法结构

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201910456037.8在审
发明人：王培宇;林志昌;蔡庆威;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：半导体结构的形成方法包括提供结构，其具有基板、自基板延伸的第一半导体鳍状物与第二半导体鳍状物、以及第一半导体鳍状物与第二半导体鳍状物之间的介电鳍状物；形成暂时栅极于第一半导体鳍状物、第二半导体鳍状物、与介电鳍状物的顶部及侧壁上；形成多个栅极间隔物于暂时栅极的侧壁上；移除栅极间隔物之间的介电鳍状物的第一部分与暂时栅极；形成栅极于栅极间隔物之间及第一半导体鳍状物及第二半导体鳍状物的顶部与侧壁上，其中介电鳍状物物理接触栅极的侧壁；移除介电鳍状物的第二部分，以露出栅极的侧壁；以及经由栅极的露出侧壁对栅极进行蚀刻制程，以将该栅极分成第一栅极部件与第二栅极部件。
半导体鳍状物鳍状物侧壁介电栅极间隔物栅极部件基板移除半导体结构露出侧壁蚀刻制程物理接触导体延伸