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[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202210524245.9在审
发明人：赖韦仁;吕伟元;林家彬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：根据本公开的方法包括在基板上方沉积包括由牺牲层交错的通道层的堆叠，在基板的第一区和第二区中形成第一鳍状结构和第二鳍状结构，在第一鳍状结构上方沉积第一虚设栅极堆叠并且在第二鳍状结构上方沉积第二虚设栅极堆叠，凹蚀第一鳍状结构和第二鳍状结构的源极/漏极区以形成第一源极/漏极沟槽和第二源极/漏极沟槽，选择性地和部分地蚀刻牺牲层以形成第一内部间隔物凹槽和第二内部间隔物凹槽，在第一内部间隔物凹槽中形成第一内部间隔部件，以及在第二内部间隔物凹槽中形成第二内部间隔部件。
半导体装置形成方法

[发明专利]用于MOS器件制作的自对准3-D外延结构-CN201380033495.1在审
发明人： G·A·格拉斯;D·B·奥贝蒂内;A·S·默西;G·塔雷亚;T·加尼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-06-12 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了用于鳍式晶体管器件的定制化的技术，以在同一集成电路管芯内提供不同范围的沟道配置和/或材料系统。根据一个示例性实施例，去除牺牲鳍状物，并且利用具有适合于给定应用的任意成分和应变的定制半导体材料来进行替换。在一个这种情况下，使第一组所述牺牲鳍状物中的每个牺牲鳍状物凹陷，或者将其去除并且利用p型材料来进行替换，以及使第二组所述牺牲鳍状物中的每个牺牲鳍状物凹陷，或者将其去除并且利用n型材料来进行替换。
用于 mos 器件制作对准外延结构

[发明专利]一种宽鳍鱲DNA条形码序列及其应用-CN201910647179.2在审
发明人：熊飞;曹梦西;王莹;刘红艳;文涵宇 -专利权人：江汉大学
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： C12Q1/6888 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽鳍鱲DNA条形码序列及其应用，属于物种鉴定技术领域。该所述宽鳍鱲DNA条形码为宽鳍鱲COI基因，该DNA条形码序列可以作为宽鳍鱲DNA的标准检测序列，有效的对宽鳍鱲特有种进行鉴定。
宽鳍标准检测序列物种鉴定应用

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202110136219.4在审
发明人：连建洲;林群能;叶明熙;陈玠玮;江子昂 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：半导体装置的形成方法包括：自半导体鳍状物上移除虚置栅极；沉积粘着层与填充金属层于半导体鳍状物上；以及以湿蚀刻溶液同时蚀刻粘着层与填充金属层，且湿蚀刻溶液蚀刻粘着层的速率大于蚀刻填充金属层的速率，并再成形填充金属
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201710422448.6有效
发明人：王喻生;洪奇成;李家庆;吴仲强;苏庆煌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-07 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：半导体装置的形成方法包括：形成自基板凸起的第一半导体鳍状物，以及形成栅极堆叠于第一半导体鳍状物上。形成栅极堆叠的步骤包括：沉积栅极介电层于第一半导体鳍状物上，沉积第一籽晶层于栅极介电层上，沉积第二籽晶层于第一籽晶层上，其中第二籽晶层的结构与第一籽晶层的结构不同，以及沉积导电层于第二籽晶层上，其中第一籽晶层
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202011026866.1在审
发明人：陈稚轩;陈瑞麟;林祐宽 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：半导体装置的形成方法，包括提供结构，其包括基板、第一鳍状物与第二鳍状物、接合第一鳍状物的第一栅极结构、与接合第二鳍状物的第二栅极结构；沉积介电层于第一栅极结构与第二栅极结构上；蚀刻介电层，以形成第一栅极接点开口露出第一栅极结构
半导体装置形成方法

[发明专利]对于高迁移率沟道器件的载流子限制-CN201480083476.4有效
发明人： G·杜威;M·V·梅茨;J·T·卡瓦列罗斯;W·拉赫马迪;T·加尼;A·S·默西;C·S·莫哈帕特拉;H·W·肯内尔;G·A·格拉斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-12-17 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施例包括一种器件，该器件包括掺杂沟槽材料，所述掺杂沟槽材料具有：(a)(ⅰ)第一体晶格常数以及(a)(ⅱ)Ⅲ‑Ⅴ族材料和Ⅳ族材料中的至少一种；鳍状物结构，其直接位于所述沟槽之上，该鳍状物结构包括鳍状物材料，所述鳍状物材料具有：(b)(ⅱ)第二体晶格常数以及(b)(ⅱ)Ⅲ‑Ⅴ族材料和Ⅳ族材料中的至少一种；阻挡层，其位于所述沟槽内并直接接触所述鳍状物的底表面，所述阻挡层包括具有第三体晶格常数的阻挡层材料；其中
对于迁移率沟道器件载流子限制

[发明专利]具有在栅极结构中的掺杂的半导体区的高电子迁移率晶体管-CN202110115134.8在审
发明人： T·德切尔;O·赫贝尔伦;G·普雷希特尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：晶体管器件包括：栅极鳍状物，其是半导体本体的被部署在成对的栅极沟槽之间的分段，成对的栅极沟槽被形成在半导体本体的上表面中；多个二维电荷载流子气沟道，其被部署在栅极鳍状物内的不同的竖向深度处；源极接触和漏极接触，其被布置在栅极鳍状物的在栅极鳍状物的电流流动方向上的任一侧上，源极接触和漏极接触的每个被电连接到二维电荷载流子气沟道中的每个沟道；以及栅极结构，其被配置为控制源极接触和漏极接触之间的导电连接。栅极结构包括：掺杂的III族氮化物类型的半导体材料的区，其覆盖栅极鳍状物并且延伸到栅极沟槽中；以及导电的栅极电极，其被形成在掺杂的III族氮化物类型的半导体材料的区上。
具有栅极结构中的掺杂半导体电子迁移率晶体管

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201710368881.6有效
发明人：詹佳玲;王参群;陈亮吟;张惠政 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种等离子体掺杂制程，其对鳍状物中的淡掺杂源极/漏极区提供共形的掺杂轮廓，并减少由等离子体掺杂引起的鳍状物高度减损。上述等离子体掺杂制程克服了在鳍状物结构的传统的等离子体掺杂制程造成的限制，例如结构的具挑战性的高宽比及紧密的节距。已证实，具有共形的淡掺杂源极/漏极区及减少鳍状物高度损失的半导体装置的并联电阻较低且晶体管效能得到改善。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体装置-CN202210218242.2在审
发明人：陈定业;陈彦廷;李威养;林家彬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：半导体装置包括鳍状结构，其沿着第一方向纵向延伸。鳍状结构包括半导体层堆叠物，半导体层堆叠物的多个半导体层沿着正交于第一方向的第二方向逐一堆叠。装置亦包括第一掺杂物形式的第一源极/漏极部件，在鳍状结构上并与半导体层堆叠物隔开。装置还包括第二掺杂物形式的第二源极/漏极部件，在鳍状结构上，沿着第二方向在第一源极/漏极部件的上方并连接于半导体层堆叠物。第一掺杂物形式不同于第二掺杂物形式。
半导体装置

[发明专利]具有流体改性表面的鳍状物套环-CN201080050892.6无效
发明人：大卫·约翰·拉塞尔·伍德;迈克尔·约翰·霍特;安东尼·丰塔纳;埃里克·沃林斯基 -专利权人：奥瑞根芬系统有限公司
申请日： 2010-11-10 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： B63B35/79 文献下载
摘要：一种鳍状物套环，包括：主体，其具有邻近水运工具的下侧可定位的近侧区域。鳍状物套环还包括远侧区域，主体包括适于容纳水运工具鳍状物的纵向延伸狭缝，狭缝在近侧和远侧区域之间延伸通过主体。
具有流体改性表面鳍状物套环

[发明专利]通过子鳍状物半导体材料的背面处理减小源极/漏极泄漏的晶体管-CN202211025428.2在审
发明人： R·米恩德鲁;S·塞亚;P·基斯;A·利拉克;C·韦伯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：集成电路包括具有在鳍状物的基部部分上方的沟道部分的晶体管结构。鳍状物的基部部分是绝缘非晶氧化物或反掺杂的晶体材料。可以首先利用通过晶体衬底的正面引晶的外延工艺来形成诸如鳍状物的沟道部分以及源极和漏极材料的晶体管结构。在正面处理之后，可以暴露晶体管结构的背面，并且使用避免使沟道材料劣化同时减少晶体管截止状态泄漏的背面处理和低温将鳍状物的基部部分从晶体衬底组成修改为非晶氧化物或反掺杂晶体材料。
通过子鳍状物半导体材料背面处理减小泄漏晶体管

[实用新型]复合式散热鳍片及散热模块-CN201921565084.8有效
发明人：李燐育;杨胜智;侯信良 -专利权人：恩斯迈电子(深圳)有限公司
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种复合式散热鳍片，适用于散热模块。复合式散热鳍片包括第一子鳍片以及第二子鳍片。第二子鳍片压合于第一子鳍片。第一子鳍片的热传导系数不同于第二子鳍片的热传导系数。本实用新型还提供一种散热模块，包括框架结构以及多个上述的复合式散热鳍片。复合式散热鳍片相互平行且间隔地排列于框架结构上。
复合散热模块

[发明专利]半导体装置与其形成方法-CN202110285717.5在审
发明人：林士尧;邱志忠;高魁佑;陈振平;林志翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：半导体装置的形成方法包括形成鳍状物于装置区中，并形成半导体材料的多层堆叠中的其他鳍状物于多通道装置区中。自多层堆叠顶部移除牺牲层，以露出多通道装置区中的最顶部的纳米结构。形成第一厚度的原生氧化物于最顶部的纳米结构上，并形成第二厚度的原生氧化物层于堆叠的保留的纳米结构上，且第一厚度大于第二厚度。栅极介电层形成于装置区中的鳍状物上。栅极形成于装置区中的栅极介电层上，并围绕多通道装置区中的原生氧化物。
半导体装置与其形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202110855917.X在审
发明人：谌俊元;苏焕杰;庄正吉;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括形成鳍状结构于基板上，其中鳍状结构包括基底层、隔离层位于基底层上、与多个通道层与多个第一牺牲层交错的堆叠位于隔离层上。方法还包括形成隔离结构以与鳍状结构的侧壁相邻，其中隔离结构的上表面高于隔离层的下表面并低于隔离层的上表面。方法还包括沉积第二牺牲层于隔离结构上与鳍状结构的侧壁上；蚀刻第二牺牲层与鳍状结构，以形成两个源极/漏极沟槽，其中源极/漏极沟槽露出基底层；经由源极/漏极沟槽部分地移除第一牺牲层与第二牺牲层以形成多个间隙；以及沉积介电间隔物于间隙中。
半导体结构形成方法