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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法-CN202210690763.8在审
发明人：陈弘耀;梁品筑;宋学昌;郑培仁;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体装置及制造半导体装置的方法，在一实施例中，一种方法包括：在基板上方的绝缘材料内形成第一鳍片及第二鳍片，第一鳍片及第二鳍片包括不同材料，绝缘材料插入第一鳍片与第二鳍片之间，第一鳍片具有第一宽度且第二鳍片具有第二宽度；在第一鳍片上方形成第一覆盖层；以及在第二鳍片上方形成第二覆盖层，第一覆盖层具有第一厚度，第二覆盖层具有与第一厚度不同的第二厚度。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201710464387.X有效
发明人： 宋学昌;李昆穆 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：具有第一鳍状结构与第二鳍状结构于基板上的半导体装置其形成方法包括：形成第一外延区于第一鳍状结构上；以及形成第二外延区于第二鳍状结构上。方法亦包括形成缓冲区于第一鳍状结构的第一外延区上；以及回蚀刻部份的第二外延区。缓冲区有助于避免回蚀刻步骤蚀刻第一外延区的上表面。此外，盖区形成于缓冲区与蚀刻后的第二外延区上。
半导体装置

[发明专利]用于制造集成电路结构的方法和集成电路结构-CN202210292794.8在审
发明人：余德伟;谢明峰;宋学昌;郑培仁;杨育佳;程健家 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于制造集成电路结构的方法和一种集成电路结构。一种方法包括蚀刻半导体衬底，以形成位于第一半导体条带和第二半导体条带之间的沟槽。第一半导体条带在第一半导体条带的顶端下方约5nm处具有第一宽度，并在第一半导体条带的顶端下方约60nm处具有第二宽度。第一宽度小于约5nm，第二宽度小于约14.5nm。利用介电材料填充沟槽以形成隔离区，使该隔离区凹陷以具有深度。第一半导体条带的顶部突出高于隔离区以形成突出鳍。突出鳍具有小于该深度的高度。形成在突出鳍的侧壁和顶表面上延伸的栅极堆叠。
用于制造集成电路结构方法

[发明专利]半导体装置-CN202210331109.8在审
发明人：刘威民;宋学昌;舒丽丽;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括第一装置区和第二装置区。第一装置区包括从基板延伸的第一源极/漏极区以及第一及第二对间隔物。第一源极/漏极区延伸于第一对间隔物及第二对间隔物之间。第一对间隔物及第二对间隔物具有第一高度。第二装置区包括从基板延伸的第二及第三源极/漏极区以及第三及第四对间隔物。第三源极/漏极区与第二源极/漏极区间隔开。第二源极/漏极区延伸于第三对间隔物之间。第三源极/漏极区延伸于第四对间隔物之间。第三对间隔物及第四对间隔物具有大于第一高度的第二高度。
半导体装置

[发明专利]形成半导体元件的方法-CN202110087887.2在审
发明人：张家敖;余德伟;李啟弘;杨育佳;宋学昌;郑培仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种形成半导体元件的方法，包括：在介电层上沉积膜。介电层位于第一鳍片及第二鳍片上方，并且在第一鳍片与第二鳍片之间的沟槽内。方法进一步包括：蚀刻膜的顶部；在蚀刻膜的顶部之后，对介电层执行处理以去除杂质；以及在膜的保留部分上填充沟槽。处理包括用自由基轰击介电层。
形成半导体元件方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201610953747.8有效
发明人：张智强;宋学昌;李昆穆;游明华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括：衬底；在衬底上设置的多个鳍结构；在多个鳍结构的每个上设置的多个第一应变材料；在多个第一应变材料的每个上分别形成的多个覆盖层，其中，至少两个覆盖层彼此连接；在彼此连接的至少两个覆盖层上设置第二应变材料。本发明的实施例还提供了一种用于制造半导体器件的方法。
半导体器件及其形成方法

[实用新型]一种突出煤层巷道两帮加固用金属骨架注浆装置-CN202120312575.2有效
发明人：魏小龙;梁祖军;宋学昌;金上星;彭沛;张延年;李云龙;张超;乔能维;王德建;毛大鹏;徐兆鹏;常海涛 -专利权人：平煤神马建工集团有限公司
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： E21D11/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种突出煤层巷道两帮加固用金属骨架注浆装置，包括金属骨架，所述金属骨架内设置有防堵装置，所述防堵装置包括挡板，所述挡板设置在旋转盘上，所述防堵装置内设置有抽气管，所述金属骨架内侧还活动连接有注浆管，所述金属骨架上开设有注浆孔。本实用新型结构简单，使用便捷，可有效减少支护成本，增加煤体强度，增强煤岩交界面附近围岩的整体性，同时阻隔巷道周围瓦斯向巷道内运移。
一种突出煤层巷道加固金属骨架装置

[实用新型]一种井下监测监控系统抗干扰装置-CN202120313796.1有效
发明人：彭沛;杨进军;梁祖军;宋学昌;金上星;赵威威;郭纪刚;魏小龙;李云龙;乔能维;王德建;杨柳;李耀武;朱亚东 -专利权人：平煤神马建工集团有限公司
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： E21F17/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种井下监测监控系统抗干扰装置，属于抗干扰技术领域；包括中心站、分站和传感器，在所述分站的信号输入端设有两个发光二极管，使所述传感器到分站的频率信号进行有效过滤；在所述分站的信号输入端正负之间增加一个电容，使干扰的信号通过电容而短路，不会流入分站引起干扰；在所述分站的信号输入端并上一个500Ω的电阻，降低输入电瓶的幅度，控制分站上信号隔离光耦的通断次数，降低干扰信号。解决了因其他频率与传感器频率相同使瓦斯未达到报警值而发生误报警的技术问题。
一种井下监测监控系统抗干扰装置

[发明专利]半导体器件和方法-CN202011178973.6在审
发明人：刘威民;宋学昌;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件和方法。一种方法，包括：在从半导体衬底突出的鳍之上形成栅极结构；形成围绕鳍的隔离区域；在栅极结构之上和鳍之上沉积间隔件层，其中，间隔件层填充在成对的相邻鳍之间延伸的区域；对间隔件层执行第一蚀刻，其中，在执行第一蚀刻之后，间隔件层的在成对的相邻鳍之间延伸的内部区域内的第一剩余部分具有第一厚度，并且间隔件层的不在内部区域内的第二剩余部分具有小于第一厚度的第二厚度；以及形成与栅极结构相邻并且在鳍之上延伸的外延源极/漏极区域，其中，外延源极/漏极区域的在内部区域内的部分与间隔件层的第一剩余部分分开。
半导体器件方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202010277936.4在审
发明人：李健玮;宋学昌;李彦儒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体装置的形成方法，其是以高温热处理和选择性的氢等离子体处理来处理源极/漏极凹口的方式。高温热处理将凹口中的表面变平滑，并移除氧化物以及蚀刻副产物。氢等离子体处理垂直及水平地扩大凹口，并抑制凹口中的表面的进一步氧化。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体装置-CN202010848363.6在审
发明人：林衍廷;宋学昌;李彦儒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体装置，其包括从基板延伸而出的鳍片、位于鳍片的通道区之上的栅极堆叠以及位于鳍片中且邻近于通道区的源极/漏极区。源极/漏极区包括接触鳍片侧壁的第一外延层与位于第一外延层上的第二外延层。第一外延层包括以掺质掺杂的硅与锗，且第一外延层具有第一浓度的掺质。第二外延层包括以上述掺质掺杂的硅与锗，且第二外延层具有第二浓度的掺质，第二浓度大于第一浓度。第一外延层与第二外延层具有相同的锗浓度。
半导体装置

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202010311490.2在审
发明人：李健玮;宋学昌;李彦儒;林俊池;徐梓翔;杨丰诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：此处提供半导体装置与半导体装置的形成方法，且半导体装置包括的源极/漏极区具有V形下表面并延伸于与栅极堆叠相邻的栅极间隔物之下。在一实施例中，方法包括形成栅极堆叠于鳍状物上；形成栅极间隔物于栅极堆叠的侧壁上；由非等向的第一蚀刻工艺蚀刻鳍状物，以形成与栅极间隔物相邻的第一凹陷；由第二蚀刻工艺蚀刻鳍状物，以自第一凹陷移除蚀刻残留物，且第二蚀刻工艺与第一蚀刻工艺采用的蚀刻剂不同；由非等向的第三蚀刻工艺蚀刻第一凹陷的表面以形成第二凹陷，第二凹陷延伸至栅极间隔物之下且具有V形下表面，且第三蚀刻工艺与第一蚀刻工艺采用的蚀刻剂不同；以及外延形成源极/漏极区于第二凹陷中。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体装置-CN202010377179.8在审
发明人：李昆穆;丁姮彣;宋学昌;李彦儒;李健玮 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括一鳍部、一隔离区、一栅极结构、一栅极间隔件及一外延区。鳍部位于一基底上方，包括第一端及第二端，其中鳍部的第一端具有凸形轮廓；一隔离区与鳍部相邻；一栅极结构沿着鳍部的侧壁，且位于鳍部的上表面上；一栅极间隔件侧向相邻于栅极结构；一外延区与鳍部的第一端相邻。
半导体装置

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202010424968.2在审
发明人：李昆穆;丁姮彣;李彦儒;宋学昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体装置的形成方法，包括在基板上方形成半导体鳍片，蚀刻半导体鳍片以形成凹陷，其中凹陷延伸到基板中，以及在凹陷中形成源极/漏极区，其中形成源极/漏极区的步骤包括在凹陷的侧壁上外延成长第一半导体材料，其中第一半导体材料包括硅锗，其中第一半导体材料具有第一锗浓度，在第一半导体材料上方外延成长第二半导体材料，第二半导体材料包括硅锗，其中第二半导体材料具有大于第一锗浓度的第二锗浓度，以及在第二半导体材料上方形成第三半导体材料，第三半导体材料包括硅锗，其中第三半导体材料具有小于第二锗浓度的第三锗浓度。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN201911201611.1在审
发明人：丁姮彣;宋学昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种具有改善的源极/漏极区域轮廓的半导体装置以及其形成方法。在一实施例中，此方法包含蚀刻半导体鳍片以形成第一凹槽；以及形成源极/漏极区域，其包含在第一凹槽中外延生长第一半导体材料且第一半导体材料为硅；于第一半导体材料上外延生长第二半导体材料且第二半导体材料包含硅锗；以及于第二半导体材料上外延生长第三半导体材料且第三半导体材料具有60‑80原子％的锗浓度，第三半导体材料的锗浓度大于第二半导体材料的锗浓度。
半导体装置及其形成方法

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