专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2020-08-04 公布专利
2020-07-31 公布专利
2020-07-28 公布专利
2020-07-24 公布专利
2020-07-21 公布专利
2020-07-17 公布专利
2020-07-14 公布专利
2020-07-10 公布专利
2020-07-07 公布专利
2020-07-03 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置-CN201810972334.3在审
  • 日本- 流慧株式会社
  • 2018-08-24 - 2019-03-05 - H01L29/872
  • 本发明提供一种具有p型半导体层、n型半导体层和i型半导体层间的良好的接合且半导体特性优异的半导体装置。本发明制造一种半导体装置,所述半导体装置至少包括:n型半导体层,包括第一半导体作为主要成分;i型半导体层,包括第二半导体作为主要成分;以及p型半导体层,包括第三半导体作为主要成分,第一半导体、第二半导体和第三半导体均为具有刚玉结构的氧化物半导体,将得到的半导体装置用于功率器件等。
  • 半导体装置半导体氧化物半导体半导体特性功率器件接合刚玉制造
  • [发明专利]包括半导体本体的二极管-CN201910455223.X在审
  • 德国- 赛米控电子股份有限公司
  • 2019-05-29 - 2019-12-17 - H01L29/06
  • 本发明涉及包括半导体本体的二极管,半导体本体具有第一和第二半导体本体主侧面,半导体本体具有:第一半导体区;第二半导体区,其在半导体本体的内部区域中布置在第一半导体区上且不延伸远至半导体本体的半导体本体边缘;第三半导体区,其布置在第二半导体区上且具有比第二半导体区更高的掺杂浓度;第四半导体区,其在半导体本体边缘区域中布置在第一半导体区上且从第二半导体区在朝向半导体本体边缘的方向上延伸远至半导体本体边缘。半导体本体具有从形成第二半导体本体主侧表面区域的第三半导体区的平面外表面开始并且到达远至半导体本体边缘的切口,其沿着半导体本体边缘延伸,第二、第三和第四半导体区具有界定切口的相应的外部界面。
  • 半导体本体半导体区平面外表面边缘区域边缘延伸内部区域主侧表面二极管主侧面界定延伸掺杂外部
  • [发明专利]具有半导体本体的晶闸管-CN201711351368.2在审
  • 德国- 赛米控电子股份有限公司
  • 2017-12-15 - 2018-06-26 - H01L29/06
  • 本发明涉及一种具有半导体本体的晶闸管,晶闸管具有第一半导体本体主侧、第二半导体本体主侧及围绕半导体本体并连接第一和第二半导体本体主侧的半导体本体边缘,半导体本体具有:第一半导体区,第一半导体区在半导体本体边缘区域中延伸直到第二半导体本体主侧,第一半导体区的第二外表面形成半导体本体边缘,第一半导体区的邻接半导体本体边缘的第三外表面形成第二半导体本体主侧的第一表面区域;布置在第一半导体区上并且不延伸到半导体本体边缘的第二半导体区;布置在第二半导体区上的第三半导体区和布置在第三半导体区中的第四半导体区;从第二半导体本体主侧的第一表面出现且平行于半导体本体边缘伸展并到达第二半导体区的凹部。
  • 半导体本体半导体区晶闸管第一表面面形边缘区域邻接延伸凹部平行伸展
  • [发明专利]晶闸管和用于制造晶闸管的方法-CN201711347764.8在审
  • 德国- 赛米控电子股份有限公司
  • 2017-12-15 - 2018-06-26 - H01L29/745
  • 该晶闸管具有半导体本体,半导体本体具有第一导体类型的第一半导体区,半导体本体具有第二导体类型且与第一半导体区的内侧接触并延伸到半导体本体边缘的第二半导体区,半导体本体具有在第二半导体区上布置的第一导体类型的第三半导体区和在第三半导体区中布置的第二导体类型的第四半导体区,半导体本体具有第二导体类型且被布置在半导体本体的边缘区中的第二半导体区上的第五半导体区,第五半导体区的第一外表面构成第二半导体本体主侧的区,第五半导体区与半导体本体边缘平行布置,半导体本体包含第一凹槽,其源自第二半导体本体主侧的第一表面,平行于半导体本体边缘伸展并延伸到第二半导体区。
  • 半导体本体半导体区导体类型晶闸管第一表面平行布置边缘区延伸平行伸展制造
  • [发明专利]半导体器件以及半导体器件的制造方法-CN201310325362.3有效
  • --- 创世舫电子日本株式会社
  • 2013-07-30 - 2017-03-01 - H01L29/778
  • 本发明提供半导体器件以及半导体器件的制造方法。半导体器件包括形成在衬底上的第一半导体层;形成在第一半导体层上的第二半导体层和第三半导体层;形成在第三半导体层上的第四半导体层;形成在第四半导体层上的栅电极;以及形成为与第二半导体层接触的源电极和漏电极第三半导体层和第四半导体层形成在栅极正下方的区域中,第四半导体层由p型半导体材料形成,并且第二半导体层和第三半导体层由AlGaN形成,以及第三半导体层具有比第二半导体层的Al组成比低的Al组成比。
  • 半导体器件以及制造方法
  • [发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201510195898.7在审
  • 中国台湾- 新唐科技股份有限公司
  • 2015-04-23 - 2016-02-10 - H01L29/739
  • 本发明实施例提供一种半导体元件及其制作方法,该半导体元件包含第一半导体层、绝缘栅结构、第一半导体区、第二半导体区及轻掺杂半导体区。绝缘栅结构形成于沟槽形态中,此沟槽形态嵌入第一半导体层中。第一半导体区、第二半导体区及轻掺杂半导体区形成于第一半导体层中。第二半导体区接触第一半导体区及绝缘栅结构。第二半导体区形成于轻掺杂半导体区上,轻掺杂半导体区形成于第一半导体区及绝缘栅结构之间,且轻掺杂半导体区接触第一半导体区及绝缘栅结构。
  • 半导体元件及其制作方法
  • [发明专利]半导体装置-CN201510092349.7无效
  • 日本- 株式会社东芝
  • 2015-03-02 - 2016-10-05 - H01L29/861
  • 本发明关于半导体装置。半导体装置具备:第一导电型的第一半导体区域;第二导电型的第二半导体区域,设置在第一半导体区域表面;绝缘层,设置在第一及第二半导体区域上;配线层,设置在绝缘层上,与第二半导体区域电连接;第三半导体区域,设置在绝缘层下,与第一半导体区域相接;第四半导体区域,由第四与第二半导体区域夹隔第一半导体区域;第五半导体区域,设置在第一与第四半导体区域之间,杂质浓度比第一半导体区域高;第六半导体区域,设置在第一与第四半导体区域之间,杂质浓度比第四半导体区域低;以及第七半导体区域,由第七与第六半导体区域夹隔第一半导体区域,第七半导体区域杂质浓度比第一半导体区域高,且连接于配线层。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN201510296856.2有效
  • 日本- 株式会社东芝
  • 2015-06-03 - 2019-11-05 - H01L29/778
  • 根据一个实施方式,半导体装置包括:第1半导体层,设置在基板上;第2半导体层,设置在第1半导体层上,包含n型杂质;第3半导体层,设置在第2半导体层上,电阻比第2半导体层大;第4半导体层,设置在第3半导体层上,包含氮化物半导体;以及第5半导体层,设置在第4半导体层上,包含带隙比第4半导体层大的氮化物半导体
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN201910022134.6在审
  • --- 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2019-01-10 - 2020-02-25 - H01L29/739
  • 半导体装置具备:第1导电型第1半导体层;第2导电型第2半导体层,选择性地设置在第1半导体层上;第1导电型第3半导体层,选择性地设置在第2半导体层上;第1绝缘膜,覆盖第1半导体层与第3半导体层之间的一部分第2半导体层;控制电极,隔着第1绝缘膜与一部分第2半导体层相对;第2导电型第4半导体层,设置在第1半导体层的下表面侧;第1导电型第5半导体层,在沿第1半导体层下表面的第1方向上与第4半导体层并列;第6半导体层,设置在第1半导体层与第5半导体层之间,与第4半导体层相连,连接部分,为在第1半导体层与第5半导体层之间不存在第6半导体层的部分。第6半导体层与第4半导体层相比第2导电型杂质的有效浓度低。
  • 半导体装置
  • [实用新型]半导体模块-CN201220188240.5有效
  • 日本- 三垦电气株式会社
  • 2012-04-27 - 2012-11-28 - H01L23/495
  • 本实用新型提供能够搭载多个功率半导体元件,并具有简单的结构的半导体模块。本实用新型的半导体模块的特征在于,将功率半导体元件配置为大致一条直线,将控制半导体元件配置为相对于功率半导体元件的大致直角状。另外,其特征在于,控制半导体元件为驱动半导体元件和控制性半导体元件,在驱动半导体元件上具有过热保护电路,驱动半导体元件与功率半导体元件侧邻接配置。另外,其特征在于,半导体元件除了搭载有功率半导体元件和控制半导体元件以外还搭载有保护半导体元件。
  • 半导体模块
  • [发明专利]半导体装置-CN201310068994.6无效
  • 日本- 株式会社东芝
  • 2013-03-05 - 2014-02-12 - H01L29/36
  • 本发明的半导体装置具备在第1方向上延伸的半导体部、控制电极和第1电极。控制电极在与第1方向正交的第2方向上与半导体部分离设置。半导体部包含第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域和第2导电型的第4半导体区域。第1半导体区域具有第1导电型。第2半导体区域设在第1半导体区域之上并与控制电极相对。第3半导体区域设在第2半导体区域之上,杂质浓度比第1半导体区域高。第4半导体区域与第3半导体区域并排,杂质浓度比第2半导体区域高。第1电极与第3半导体区域以及第4半导体区域导通。第4半导体区域偏向设置于半导体部的与控制电极相反的一侧。
  • 半导体装置

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