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- [发明专利]一种半导体取暖装置-CN201510693477.7在审
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唐玉敏;虞红伟
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唐玉敏;虞红伟
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2015-10-24
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2015-12-30
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F24D13/00
- 本发明涉及采暖技术领域,尤其涉及一种半导体取暖装置。包括半导体发热单元、与所述半导体发热单元电连接为所述半导体发热单元供电的供电单元;所述半导体发热单元包括半导体发热板,所述半导体发热板包括用于释放热量的热端、用于吸收热量的冷端、设置在所述热端和所述冷端之间的P型半导体和N型半导体、以及连接所述N型半导体和所述P型半导体的金属导体;所述金属导体设置用于连接所述电源的正负电极;其特征在于:所述N型半导体设置石墨烯层,或者所述P型半导体设置石墨烯层,或者所述N型半导体和所述P型半导体均设置石墨烯层。提高所述半导体发热板热冷端的温度差,达到提高半导体发热板制热能力的目的。
- 一种半导体取暖装置
- [发明专利]半导体器件及其制作方法、电子设备-CN202080101293.6在审
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万光星;黄威森
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华为技术有限公司
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2020-06-30
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2023-01-31
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H01L29/78
- 一种半导体器件及其制作方法、电子设备,涉及半导体技术领域,提供一种包括不同栅长垂直环栅晶体管的半导体器件。该半导体器件包括:基板(01)以及位于基板(01)上的第一半导体鳍(Z1)和第二半导体鳍(Z2);第一半导体鳍(Z1)包括层叠设置的多个隔离半导体图案层和至少一个沟道半导体图案层,其中,每一个沟道半导体图案层夹在两个隔离半导体图案层之间;第二半导体鳍(Z2)包括依次层叠设置的第一隔离半导体图案层、第一沟道半导体层和第二隔离半导体图案层;第一半导体鳍(Z1)中的所有沟道半导体图案层的总厚度与第二半导体鳍(Z2)中的第一沟道半导体层的厚度不同
- 半导体器件及其制作方法电子设备
- [发明专利]半导体装置-CN201410397505.6有效
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小仓常雄
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株式会社东芝
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2014-08-13
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2018-04-06
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H01L29/739
- 本发明提供一种抑制负阻的半导体装置。实施方式的半导体装置,具备在第1电极与第2电极之间设置的第1半导体区域;在第1电极与第1半导体区域之间设置的第2半导体区域;设置在第1电极与第2半导体区域之间,在第2方向上排列的第3半导体区域以及第4半导体区域;位于第3半导体区域与第2电极之间,设置在第1半导体区域与第2电极之间的第5半导体区域;位于第4半导体区域与第2电极之间,设置在第1半导体区域与第2电极之间的第6半导体区域;设置在第5半导体区域与第2电极之间的第7半导体区域;以及隔着第1绝缘膜而与第7半导体区域、第5半导体区域以及第1半导体区域相接的第3电极。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201410376732.0有效
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斋藤尚史;蔵口雅彦;杉山仁
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株式会社东芝
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2014-08-01
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2017-05-31
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H01L29/778
- 实施方式的半导体装置具备第1GaN类半导体的第1半导体层、带隙比第1GaN类半导体小的第2GaN类半导体的第2半导体层、带隙比第2GaN类半导体大的第3GaN类半导体的第3半导体层、带隙比第3GaN类半导体小的第4GaN类半导体的第4半导体层、带隙比第4GaN类半导体大的第5GaN类半导体的第5半导体层、一端位于第5半导体层且另一端位于第3半导体层的沟槽、设置在沟槽内壁上的栅极绝缘膜、设置在栅极绝缘膜上的栅极电极、设置在第5半导体层上的源极电极、以及在第5半导体层上相对于源极电极设置在栅极电极的相反侧的漏极电极。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体基板供给方法及半导体基板供给装置-CN201410445924.2有效
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德山秀树;高瀬慎二
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东和株式会社
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2014-09-03
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2017-05-17
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H01L21/677
- 本发明提供向半导体封装模具的半导体基板供给方法及半导体基板供给装置,使用通常的半导体基板运送机构,向具备浇口块模具结构的半导体封装模具中的半导体基板放置用凹处供给并放置半导体基板。在上下两模的合模时将半导体基板运送至待机在固定操作空间位置的半导体基板接收部的位置上,接着将半导体基板固定在半导体基板接收部上,接着向浇口块的伸出部位的上下移动操作空间侧移送半导体基板接收部,接着使半导体基板接收部上固定的半导体基板的表面(半导体元件安装面)与浇口块的伸出部位接合并设定为浇口块的树脂通道用凹槽与半导体基板的表面不接触,接着将上下两模合模并将半导体基板供给并放置在半导体封装模具中的半导体基板放置用凹处。
- 半导体供给方法装置
- [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410428118.4无效
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太田千春;高尾和人;西尾让司;四户孝
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株式会社东芝
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2014-08-27
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2015-03-25
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H01L27/04
- 根据一个实施例,半导体器件包含第一半导体区域、第二半导体区域、以及第三半导体区域。所述第一半导体区域包含碳化硅。所述第一半导体区域的导电类型是第一导电类型。所述第二半导体区域包含碳化硅。所述第二半导体区域的导电类型是第二导电类型。所述第三半导体区域包含碳化硅。所述第三半导体的导电类型是所述第二导电类型。所述第三半导体区域提供于所述第一半导体区域与所述第二半导体区域之间。当在连接所述第一半导体区域和所述第二半导体区域的方向上看时,所述第二半导体区域与所述第三半导体区域的交叠区域的面积小于所述第一半导体区域与所述第二半导体区域的交叠区域的面积。
- 半导体器件及其制造方法
- [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201310053696.X无效
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野津哲郎
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株式会社东芝
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2013-02-19
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2014-03-26
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H01L29/78
- 提供一种耐性高、使制造成品率提高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备:第1导电型的第1半导体层;设置在第1半导体层之上的第2导电型的第2半导体层;设置在第2半导体层之上的第1导电型的第1半导体区域;与设置在第2半导体层之上的第1半导体区域相接的第2导电型的第2半导体区域,第2半导体区域具有比第2半导体层高的杂质元素浓度;隔着第1绝缘膜而与第1半导体区域、第2半导体层、以及第1半导体层相接的第1电极;隔着第2绝缘膜而与第2半导体区域相接的第2电极;与第1半导体区域以及第2半导体区域连接的第3电极;以及与第1半导体层电连接的第4电极。
- 半导体装置及其制造方法
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