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[发明专利]具有半导体本体的晶闸管-CN201711351368.2有效
发明人： 伯恩哈德·柯尼希;保罗·施特罗贝尔 -专利权人：赛米控电子股份有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有半导体本体的晶闸管，晶闸管具有第一半导体本体主侧、第二半导体本体主侧及围绕半导体本体并连接第一和第二半导体本体主侧的半导体本体边缘，半导体本体具有：第一半导体区，第一半导体区在半导体本体边缘区域中延伸直到第二半导体本体主侧，第一半导体区的第二外表面形成半导体本体边缘，第一半导体区的邻接半导体本体边缘的第三外表面形成第二半导体本体主侧的第一表面区域；布置在第一半导体区上并且不延伸到半导体本体边缘的第二半导体区；布置在第二半导体区上的第三半导体区和布置在第三半导体区中的第四半导体区；从第二半导体本体主侧的第一表面出现且平行于半导体本体边缘伸展并到达第二半导体区的凹部。
具有半导体本体晶闸管

[发明专利]晶闸管和用于制造晶闸管的方法-CN201711347764.8在审
发明人： 伯恩哈德·柯尼希;保罗·施特罗贝尔 -专利权人：赛米控电子股份有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L29/745 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶闸管和用于制造晶闸管的方法。该晶闸管具有半导体本体，半导体本体具有第一导体类型的第一半导体区，半导体本体具有第二导体类型且与第一半导体区的内侧接触并延伸到半导体本体边缘的第二半导体区，半导体本体具有在第二半导体区上布置的第一导体类型的第三半导体区和在第三半导体区中布置的第二导体类型的第四半导体区，半导体本体具有第二导体类型且被布置在半导体本体的边缘区中的第二半导体区上的第五半导体区，第五半导体区的第一外表面构成第二半导体本体主侧的区，第五半导体区与半导体本体边缘平行布置，半导体本体包含第一凹槽，其源自第二半导体本体主侧的第一表面，平行于半导体本体边缘伸展并延伸到第二半导体区。
半导体本体半导体区导体类型晶闸管第一表面平行布置边缘区延伸平行伸展制造

[发明专利]具有两级掺杂曲线的功率半导体器件-CN201110170424.9有效
发明人： 伯恩哈德·柯尼希 -专利权人：赛米控电子股份有限公司
申请日： 2011-06-20 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有pn结的功率半导体器件，包括带第一基础导电性的主体、具有第一两级掺杂曲线和从第一主面到主体内的第一渗透深度的带第二导电性水平居中设置在主体内的槽形区域。这种功率半导体器件此外具有设置在槽形区域与其边缘之间、由多个具有单级掺杂曲线、第二导电性和第二渗透深度的场环组成的边缘结构，其中，第一渗透深度最大为第二渗透深度百分之五十。
具有两级掺杂曲线功率半导体器件