|
钻瓜专利网为您找到相关结果 400320个,建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]半导体装置-CN201980025303.X在审
-
斋藤雄;增田健良
-
住友电气工业株式会社
-
2019-03-14
-
2020-11-17
-
H01L29/861
- 一种半导体装置,其包含:第一半导体层,所述第一半导体层为第一导电型并且包含其中要形成多个半导体元件的元件区域;环状第二半导体层,所述环状第二半导体层为第二导电型,以包含所述第一半导体层的第一表面的方式形成,并且在俯视图中围绕所述元件区域;第三半导体层,所述第三半导体层为第二导电型,形成在所述第一半导体层中并且相比于所述第二半导体层更远离所述第一表面,并且将所述第一半导体层的一部分夹在所述第二半导体层与所述第三半导体层之间;第四半导体层,所述第四半导体层为第二导电型并且将所述第二半导体层和所述第三半导体层彼此电连接;以及第一电极,所述第一电极在俯视图中在所述第二半导体层内侧与所述第四半导体层电连接,其中所述第二半导体层中包含的第二导电型杂质的有效浓度高于所述第一半导体层中包含的第一导电型杂质的有效浓度,并且所述第三半导体层中包含的第二导电型杂质的有效浓度高于所述第二半导体层中包含的第二导电型杂质的有效浓度。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201110051720.7无效
-
二宫英彰
-
株式会社东芝
-
2011-03-03
-
2011-09-21
-
H01L29/739
- 本实施方式的半导体装置包括:第一导电型的第一半导体区域;第二导电型的第二半导体区域,选择性地形成在所述第一半导体区域的一主面;第二导电型的第三半导体区域,选择性地形成在所述第一半导体区域的所述一主面的未形成着所述第二半导体区域的区域;第一导电型的第四半导体区域,选择性地形成在所述第二半导体区域的主面;第一控制电极,形成在所述第二半导体区域与所述第三半导体区域之间,且隔着绝缘膜形成在与所述第四半导体区域接触的沟槽内部;第一主电极,与所述第二半导体区域及所述第四半导体区域电连接;第一导电型的第五半导体区域,形成在所述第一半导体区域的与所述一主面为相反侧的另一主面上;第二导电型的第六半导体区域,形成在所述第五半导体区域上;第二主电极,与所述第六半导体区域电连接;及半导体元件,连接在所述第一主电极与所述第三半导体区域之间;且所述半导体元件包含:使用所述第一半导体区域的一部分的沟道,及在所述第一半导体区域的所述一主面上控制所述沟道的第二控制电极。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201610094153.6在审
-
松下宪一
-
株式会社东芝
-
2016-02-19
-
2017-03-08
-
H01L27/02
- 实施方式的半导体装置具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第2导电型的第4半导体区域、及绝缘部。第4半导体区域与第3半导体区域相隔。第4半导体区域的第2导电型的载子密度高于第2半导体区域的第2导电型的载子密度。第4半导体区域的从第2半导体区域朝向第1半导体区域的第1方向上的端部相对于第3半导体区域的第1方向的端部,设置在第1方向侧。绝缘部设置在第4半导体区域之上、和第2半导体区域中位于第3半导体区域与第4半导体区域之间的部分的至少一部分之上。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201910676386.0在审
-
井野匡贵;加藤浩朗
-
株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
-
2019-07-25
-
2020-08-25
-
H01L29/78
- 根据一个实施方式,半导体装置具有第1电极、第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、栅极电极、第1导电层及第2电极。第1半导体区域设置于第1电极的上方。第2半导体区域设置于第1半导体区域的上方。第3半导体区域设置于第2半导体区域的上方。栅极电极与第1半导体区域的一部分、第2半导体区域及第3半导体区域,隔着栅极绝缘层而对置。第1导电层隔着第1绝缘层而设置于第1半导体区域中。在第1导电层与第2半导体区域之间及第1导电层与栅极电极之间,设置第1半导体区域的一部分。第2电极与第2半导体区域、第3半导体区域及第1导电层电连接。
- 半导体装置
|