专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置-CN201510297332.5在审
  • 洪洪;矶部康裕;吉冈启 - 株式会社东芝
  • 2015-06-03 - 2016-12-07 - H01L29/778
  • 根据一个实施方式,半导体装置包括:第1半导体层,设置在基板上;第2半导体层,设置在所述第1半导体层上,包含掺杂有碳的氮化物半导体;第3半导体层,设置在所述第2半导体层上,包含掺杂有铟的氮化物半导体;以及第4半导体层,设置在所述第3半导体层上,包含带隙比所述第3半导体层大的氮化物半导体。第3半导体层的铟浓度大于1×1018cm-3且小于1×1019cm-3
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置结构-CN201611024334.8在审
  • 李东颖;叶致锴;徐振峰 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2016-11-15 - 2017-06-27 - H01L27/06
  • 本公开提供半导体装置结构。半导体装置结构包括第一半导体层及第二半导体层,纵向地堆叠于半导体基底上。第一半导体层及第二半导体层包括不同的材料。半导体装置结构也包括栅极堆叠,覆盖第一半导体层的第一部分。半导体装置结构还包括间隔元件,位于栅极堆叠的侧壁上。间隔元件覆盖第二半导体层以及第一半导体层的第二部分。第二半导体层的厚度不同于第二部分的厚度。
  • 半导体装置结构
  • [发明专利]半导体结构-CN202011051566.9在审
  • 周钰杰;林琮翔 - 世界先进积体电路股份有限公司
  • 2020-09-29 - 2022-04-12 - H01L29/778
  • 一种半导体结构,包括基板、半导体磊晶层、半导体阻障层、第一半导体元件、绝缘掺杂区、及至少一绝缘柱。基板包括基材和复合材料层,半导体磊晶层设置于基板上,半导体阻障层设置于半导体磊晶层上。第一半导体元件设置于基板上,其中第一半导体元件包括位于半导体阻障层上的第一半导体盖层。绝缘掺杂区位于第一半导体元件的一侧。至少部分的绝缘柱位于绝缘掺杂区内,绝缘柱围绕至少部分第一半导体元件且贯穿复合材料层。
  • 半导体结构
  • [发明专利]半导体装置-CN201210222983.4有效
  • 白井浩司;清水茉莉子 - 株式会社东芝
  • 2012-06-28 - 2013-07-24 - H01L29/06
  • 一种半导体装置,该半导体装置具备:第1导电型的第1半导体层;设置在上述第1半导体层上的第1导电型的第2半导体层;在上述第2半导体层上与上述第2半导体层接合设置的第2导电型的第3半导体层;包围上述第3半导体层的周围、比上述第3半导体层深的元件分离层;以及设在上述第3半导体层与上述元件分离层之间、与上述第3半导体层邻接、比上述第3半导体层深的第2导电型的保护环层。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体激光装置-CN201010264997.3无效
  • 谷川巧;清水源;三桥大树 - 三洋电机株式会社
  • 2010-08-26 - 2011-04-06 - H01S5/32
  • 本发明提供一种能够抑制半导体激光元件的大型化,并且抑制发光部间隔变大,提高生产率的半导体激光装置。该半导体激光装置具备:第一半导体激光元件;第二半导体激光元件,其是单片型的多波长半导体激光元件。第二半导体激光元件包括半导体基板,第二半导体激光元件的半导体基板的侧面中的与第一半导体激光元件相对置的侧面相对于半导体基板的主面的法线方向倾斜成随着离开搭载部件而与第一半导体激光元件的距离变大。
  • 半导体激光装置
  • [发明专利]半导体装置-CN201980025303.X在审
  • 斋藤雄;增田健良 - 住友电气工业株式会社
  • 2019-03-14 - 2020-11-17 - H01L29/861
  • 一种半导体装置,其包含:第一半导体层,所述第一半导体层为第一导电型并且包含其中要形成多个半导体元件的元件区域;环状第二半导体层,所述环状第二半导体层为第二导电型,以包含所述第一半导体层的第一表面的方式形成,并且在俯视图中围绕所述元件区域;第三半导体层,所述第三半导体层为第二导电型,形成在所述第一半导体层中并且相比于所述第二半导体层更远离所述第一表面,并且将所述第一半导体层的一部分夹在所述第二半导体层与所述第三半导体层之间;第四半导体层,所述第四半导体层为第二导电型并且将所述第二半导体层和所述第三半导体层彼此电连接;以及第一电极,所述第一电极在俯视图中在所述第二半导体层内侧与所述第四半导体层电连接,其中所述第二半导体层中包含的第二导电型杂质的有效浓度高于所述第一半导体层中包含的第一导电型杂质的有效浓度,并且所述第三半导体层中包含的第二导电型杂质的有效浓度高于所述第二半导体层中包含的第二导电型杂质的有效浓度。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN201110051720.7无效
  • 二宫英彰 - 株式会社东芝
  • 2011-03-03 - 2011-09-21 - H01L29/739
  • 本实施方式的半导体装置包括:第一导电型的第一半导体区域;第二导电型的第二半导体区域,选择性地形成在所述第一半导体区域的一主面;第二导电型的第三半导体区域,选择性地形成在所述第一半导体区域的所述一主面的未形成着所述第二半导体区域的区域;第一导电型的第四半导体区域,选择性地形成在所述第二半导体区域的主面;第一控制电极,形成在所述第二半导体区域与所述第三半导体区域之间,且隔着绝缘膜形成在与所述第四半导体区域接触的沟槽内部;第一主电极,与所述第二半导体区域及所述第四半导体区域电连接;第一导电型的第五半导体区域,形成在所述第一半导体区域的与所述一主面为相反侧的另一主面上;第二导电型的第六半导体区域,形成在所述第五半导体区域上;第二主电极,与所述第六半导体区域电连接;及半导体元件,连接在所述第一主电极与所述第三半导体区域之间;且所述半导体元件包含:使用所述第一半导体区域的一部分的沟道,及在所述第一半导体区域的所述一主面上控制所述沟道的第二控制电极。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN201610094153.6在审
  • 松下宪一 - 株式会社东芝
  • 2016-02-19 - 2017-03-08 - H01L27/02
  • 实施方式的半导体装置具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第2导电型的第4半导体区域、及绝缘部。第4半导体区域与第3半导体区域相隔。第4半导体区域的第2导电型的载子密度高于第2半导体区域的第2导电型的载子密度。第4半导体区域的从第2半导体区域朝向第1半导体区域的第1方向上的端部相对于第3半导体区域的第1方向的端部,设置在第1方向侧。绝缘部设置在第4半导体区域之上、和第2半导体区域中位于第3半导体区域与第4半导体区域之间的部分的至少一部分之上。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN201910676386.0在审
  • 井野匡贵;加藤浩朗 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2019-07-25 - 2020-08-25 - H01L29/78
  • 根据一个实施方式,半导体装置具有第1电极、第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、栅极电极、第1导电层及第2电极。第1半导体区域设置于第1电极的上方。第2半导体区域设置于第1半导体区域的上方。第3半导体区域设置于第2半导体区域的上方。栅极电极与第1半导体区域的一部分、第2半导体区域及第3半导体区域,隔着栅极绝缘层而对置。第1导电层隔着第1绝缘层而设置于第1半导体区域中。在第1导电层与第2半导体区域之间及第1导电层与栅极电极之间,设置第1半导体区域的一部分。第2电极与第2半导体区域、第3半导体区域及第1导电层电连接。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体器件及制作方法-CN202111495135.6在审
  • J·A·叶迪纳克 - 半导体元件工业有限责任公司
  • 2021-12-08 - 2022-06-14 - H01L29/78
  • 公开了一种半导体器件及制作方法。半导体器件可以包括半导体衬底、形成在半导体衬底中的沟槽和衬在沟槽上的第一介电层。半导体器件可以进一步包括布置在沟槽的下部中的第一半导体材料。第一介电层可以布置在半导体衬底和第一半导体材料之间。半导体器件还可以包括布置在第一半导体材料上的第二介电层和布置在沟槽的上部中的第二半导体材料。第一介电层可以布置在半导体衬底和第二半导体材料之间。第二介电层可以布置在第一半导体材料与第二半导体材料之间。半导体器件还可以包括限定在第二半导体材料中的二极管或电阻器中的至少一者。
  • 半导体器件制作方法

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