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[发明专利]半导体加工用粘着胶带及半导体装置的制造方法-CN202280017571.9在审
发明人：饭塚亮;前田淳;田村和幸 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明的技术问题在于提供一种在剥离粘着胶带时可以抑制芯片的裂纹的半导体加工用粘着胶带。其解决手段为一种半导体加工用粘着胶带，其为具有基材与粘着剂层的粘着胶带，其中，在将所述粘着胶带的一面暴露于大气气氛的状态下，以照度为220mW/cm2及光量为500mJ/cm2的条件对所述粘着胶带照射紫外线，在23℃、50％RH下将PMMA板以用2kg辊往返一次的条件贴附于该粘着剂层的暴露面并放置30分钟之后，对该粘着胶带进行180°剥离时的剥离强度为1600mN/25mm以下。
半导体工用粘着胶带装置制造方法

[发明专利]半导体芯片的制造方法和基板处理装置-CN202280018474.1在审
发明人：山下阳平;沟本康隆;田之上隼斗 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：半导体芯片的制造方法包括下述(A)～(E)。(A)，准备按第一半导体基板、器件层、剥离层、第三半导体基板的顺序包括第一半导体基板、器件层、剥离层以及第三半导体基板的层叠基板。(B)，对所述第一半导体基板、所述器件层以及所述剥离层进行切割。(C)，将进行所述切割后的所述层叠基板从与所述第三半导体基板相反的一侧与带进行贴合，并藉由所述带安装于框。(D)，在将所述层叠基板安装于所述框之后，对所述剥离层照射透过所述第三半导体基板的激光光线，来在所述第三半导体基板与所述剥离层之间的界面或者所述剥离层的内部形成改性层。(E)，以形成于所述第三半导体基板与所述剥离层之间的界面或者所述剥离层的内部的改性层为起点，来将所述第三半导体基板与所述剥离层剥离。
半导体芯片制造方法处理装置

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202280018923.2在审
发明人：篠田智则;根本拓;加太章生 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置的制造方法，其依次包括下述工序(S1)～(S6)，并进一步在工序(S5)之后包括下述工序(SD)。·工序(S1)：在一面具备凸块的具有凸块形成面的晶片上以包覆其所述凸块及所述凸块形成面的方式形成能够从所述晶片剥离的第一固化性树脂层(X1)的工序，所述晶片具有设置于所述凸块形成面的槽或形成于晶片内部的改性区域；·工序(S2)：将第一固化性树脂层(X1)的与所述凸块形成面为相反侧的表面平坦化的工序；·工序(S3)：使第一固化性树脂层(X1)固化而形成磨削用固化物层(p1)的工序；·工序(S4)：对所述晶片的与所述凸块形成面为相反侧的面进行磨削，将所述晶片沿着所述槽或所述改性区域单片化为多个芯片的工序；·工序(S5)：在所述多个芯片的与所述凸块形成面为相反侧的面粘贴第二固化性树脂膜(x2f)而形成第二固化性树脂层(X2)的工序；·工序(S6)：使第二固化性树脂层(X2)固化而形成保护膜(r)的工序；·工序(SD)：将第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)沿着所述多个芯片间隔切断而分割成与各芯片相对应的形状的工序。
半导体装置制造方法

[发明专利]胶带粘贴装置以及胶带盒-CN202180094438.9在审
发明人：木崎清贵 -专利权人：株式会社东京精密
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：[问题]提供一种胶带粘贴装置以及胶带盒，能够自动地实施切割胶带的切换与交换。[解决方案]粘贴装置(3)包括：基部(31)，在该基部(31)中，将胶带盒(4)以可换装的方式设置，该胶带盒(4)以呈辊状卷绕的切割胶带(DT)的一部分被引出的状态收纳切割胶带(DT)；可动导向辊(32a)、(32b)、固定导向辊(33a)、(33b)以及刀板(35)，其能够移动以将切割胶带(DT)的一部分被引出的引出区域(R)限制到预定轨道。
胶带粘贴装置以及

[发明专利]隐形切割用粘着片及半导体装置的制造方法-CN201880043967.4有效
发明人：福元孝齐;山下茂之;中村优智 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2018-02-02 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明提供一种隐形切割用粘着片1，其至少用于将在内部形成有改质层的半导体晶圆，在室温环境下切断并分离成各个芯片，其具备：基材11与层叠在所述基材11的一面的侧的粘着剂层12，经由粘着剂层12将隐形切割用粘着片1贴附在硅晶圆上时，粘着剂层12与所述硅晶圆的界面在23℃下的剪切力为70N/(3mm×20mm)以上、250N/(3mm×20mm)以下。该隐形切割用粘着片1，即使在室温下进行扩展时，也可良好地将半导体晶圆单片化成芯片。
隐形切割粘着半导体装置制造方法

[发明专利]半导体加工用胶带-CN201880005072.1有效
发明人：内山具朗;五岛裕介 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2018-03-07 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：一种半导体加工用胶带，其为由基材和设置于该基材的单面的粘合剂层构成的胶带，其特征在于，上述基材由多层结构构成，该多层结构的至少1层为含有80质量％以上环状烯烃聚合物的层A，除该层A之外还具有含有线性低密度聚乙烯或高密度聚乙烯的层B。
半导体工用胶带

[发明专利]胶带粘贴装置-CN202180093101.6在审
发明人：木崎清贵 -专利权人：株式会社东京精密
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：[课题]提供一种以适当张力将切割胶带粘贴到工件和切割支架上的胶带粘贴装置。[解决方案]胶带粘贴装置(1)沿着粘贴方向(D1)将切割胶带(DT)粘贴到工件(W)和切割支架(DF)上。胶带粘贴装置(1)包括：按压辊(34)，其将切割胶带(DT)按压到工件(W)和切割支架(DF)上；以及支承销(4)，其使切割胶带(DT)朝向宽度方向(D2)伸展。
胶带粘贴装置

[发明专利]隐形切割用粘着片及半导体装置的制造方法-CN201880040196.3有效
发明人：福元孝齐;山下茂之;中村优智 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2018-02-02 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明提供一种隐形切割用粘着片(1)，其至少用于在室温环境下，将内部形成有改性层的半导体晶圆切断分离成各个芯片，所述隐形切割用粘着片(1)具备基材(11)及层叠于基材(11)的一面侧的粘着剂层(12)，将隐形切割用粘着片(1)经由粘着剂层(12)而贴附于硅晶圆时，粘着剂层(12)与所述硅晶圆的界面在23℃下的剪切力为5N/(3mm×20mm)以上、70N/(3mm×20mm)以下。该隐形切割用粘着片(1)的芯片清洗性优异。
隐形切割粘着半导体装置制造方法

[发明专利]保护膜形成用复合片及其制造方法-CN201880084834.1有效
发明人：佐伯尚哉;古野健太 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明涉及一种保护膜形成用复合片，其具有具备基材且在所述基材上具备粘着剂层的支撑片，并在所述支撑片中的粘着剂层上具有保护膜形成用膜，所述基材的所述粘着剂层侧的面为凹凸面，从所述保护膜形成用复合片的5处切取试验片，并分别求出这5片试验片的粘着剂层的基材侧的面中的凸部的最高部位与凹部的最深部位之间的最大高低差、及保护膜形成用膜的粘着剂层侧的面中的凸部的最高部位与凹部的最深部位之间的最大高低差时，所述粘着剂层的基材侧的面的最大高低差的平均值为1～7μm，且所述保护膜形成用膜的粘着剂层侧的面的最大高低差的平均值为2μm以下。
保护膜形成复合及其制造方法

[发明专利]加工装置及加工品的制造方法-CN202180093604.3在审
发明人：深井元树;堀聡子;坂上雄哉;山本裕子;吉冈翔;片冈昌一 -专利权人：东和株式会社
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明是减少加工装置的占据面积的装置，包括：基板收容部111，收容密封完毕基板W；切断用工作台2A、切断用工作台2B，通过切断机构4加工密封完毕基板W；接收台115，自基板收容部111接收密封完毕基板W；台移动机构117，具有用以使接收台115移动至搬送位置的移动轨道117a；第一保持机构3，为了将密封完毕基板W搬送至切断用工作台2A、切断用工作台2B而保持；以及搬送用移动机构7，具有用以使第一保持机构3在位于搬送位置的接收台115与切断用工作台2A、切断用工作台2B之间移动的传递轴71，传递轴71与移动轨道117a在平面视时相互正交。
加工装置加工品制造方法

[发明专利]支撑片及保护膜形成用复合片-CN201780016815.0有效
发明人：小桥力也 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2017-03-13 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明的支撑片具备基材、以及层叠于上述基材上的粘合剂层，其中，上述基材的具备上述粘合剂层的一侧表面的表面粗糙度(Ra)为0.4μm以下，上述基材的与具备上述粘合剂层的一侧相反侧的表面的表面粗糙度(Ra)大于具备所述粘合剂层的一侧表面的表面粗糙度，并且为0.053～0.48μm。本发明的保护膜形成用复合片具备上述支撑片、且在上述支撑片中的上述粘合剂层上进一步具备保护膜形成用膜而成。
支撑保护膜形成复合

[发明专利]发光二极管芯片的激光切割方法及装置-CN202011628605.7有效
发明人：汪洋;周武;向光胜;马玮辰;徐可;尚修仲;刘璐珉 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管芯片的激光切割方法及装置，属于发光二极管切割技术领域。所述方法包括：获取激光聚焦后光斑的拍摄图像；基于所述光斑的拍摄图像，确定所述激光的能量输出是否稳定；当所述激光的能量输出稳定时，控制所述激光切割待切割的发光二极管芯片。本公开能够保证发光二极管芯片切割后正面、背面、侧面线条的一致性。
发光二极管芯片激光切割方法装置

[发明专利]带剥离衬垫的掩模一体型表面保护带-CN201880008728.5有效
发明人：松原侑弘;横井启时 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明为一种带剥离衬垫的掩模一体型表面保护带，其依次具有基材膜、粘合剂层、剥离膜、掩模材料层和剥离衬垫，其中，上述剥离膜和上述剥离衬垫分别具有一个剥离处理面，该剥离膜和剥离衬垫分别在上述剥离处理面与上述掩模材料层接触，该剥离衬垫与该掩模材料层间的剥离力小于该剥离膜与该掩模材料层间的剥离力。
剥离衬垫掩模一体型表面保护

[发明专利]加工对象物切断方法和半导体芯片-CN201880025364.1有效
发明人：坂本刚志 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：加工对象物切断方法包括：第一步骤，准备具有单晶硅基板和设置于第一主面侧的功能元件层的加工对象物；第二步骤，通过对加工对象物照射激光，分别沿多条切断预定线在单晶硅基板的内部形成至少1列改质区域，并分别沿多条切断预定线在加工对象物以跨至少1列改质区域与加工对象物的第二主面之间的方式形成龟裂；以及第三步骤，通过对加工对象物从第二主面侧实施干式蚀刻，分别沿多条切断预定线在加工对象物形成开口于第二主面的沟槽。在第三步骤中，从第二主面侧实施干式蚀刻而去除至少1列改质区域，由此在沟槽的内表面形成呈现对应于被去除的改质区域的凹凸形状且使单晶硅露出的凹凸区域。
加工对象切断方法半导体芯片

[发明专利]工件加工用片及已加工工件的制造方法-CN201880063344.3有效
发明人：小笠原孝文;坂本美纱季;佐伯尚哉 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明为一种工件加工用片，其具备基材与层叠于所述基材的单面侧的粘着剂层，在所述粘着剂层内的位置中，在距所述粘着剂层的与所述基材为相反侧的面的深度为100nm的位置处，利用X射线光电子能谱分析所测定的氧原子比率为20原子％以上、29原子％以下。该工件加工用片可边抑制水渗入至工件加工用片与被切断物的界面或工件加工用片与所得到的芯片的界面，边利用流水良好地从被切断物上去除在加工半导体晶圆等被切断物时附着于该被切断物的源自粘着剂层的粘着剂。
工件工用加工制造方法

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