专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]半导体基板-CN201020593946.0有效
  • 吴孟修;陈永芳;戴煜暐 - 新日光能源科技股份有限公司
  • 2010-10-29 - 2011-09-21 - H01L31/02
  • 本实用新型的一种半导体基板,其包括一基板;至少一半导体层,设置在基板上;一第一抗反射层,设置在半导体层上;以及一第二抗反射层,设置在第一抗反射层上,且第二抗反射层为不连续层,其具有光子转换效应。基板的第二抗反射层的材质可将射入第二抗反射层光线的波长转换为运用在半导体层的光电转换效率较佳的长波长,以提升入射光线的利用率,而有效地提高整体光电转换的效率。
  • 半导体
  • [发明专利]半导体基板-CN201510228814.5在审
  • 赵建昌 - 新日光能源科技股份有限公司
  • 2015-05-07 - 2016-12-07 - H01L31/0392
  • 本发明公开一种半导体基板,包含半导体本体、第一缓冲层、第一非晶硅层、第二缓冲层、第二非晶硅层与第一保护层。半导体本体具有第一表面与相对于第一表面的第二表面。第一缓冲层设置于半导体本体的第一表面上。第二缓冲层设置于半导体本体的第二表面上。第二非晶硅层掺杂有第二型掺质且设置于第二缓冲层上。第一保护层设置于第一非晶硅层上。
  • 半导体
  • [发明专利]半导体基板-CN202210223103.9在审
  • 林大钧;潘国华;廖忠志 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2022-03-09 - 2022-08-19 - H01L27/088
  • 相同半导体基板上的不同种类的电子装置的晶体管,设置为具有不同晶体管特性以增加不同种类的电子装置的效能。可由多种半导体制造工艺如蚀刻、微影、工艺负载、遮罩或其他工艺,使鳍状物高度、浅源极/漏极高度、源极或漏极宽度及/或一或多种其他晶体管特性一起最佳化,以用于不同种类的电子装置。这可增加相同半导体基板上的多种电子装置的效能。
  • 半导体
  • [发明专利]半导体基板-CN202010013803.6有效
  • 林威廷;王鼎;郑君丞 - 友达光电股份有限公司
  • 2020-01-07 - 2022-06-14 - H01L27/12
  • 一种半导体基板,包括基板、第一金属氧化物半导体层、第一绝缘层、第一导电层、第二绝缘层、第二导电层及第二金属氧化物半导体层。第一晶体管包括第一金属氧化物半导体层的第一金属氧化物半导体图案、第一导电层的第一栅极、第二导电层的第一源极和第二导电层的第一漏极。第二晶体管包括第一金属氧化物半导体层的第二金属氧化物半导体图案、第一导电层的第二栅极、第二导电层的第二源极、第二导电层的第二漏极和第二金属氧化物半导体层的第三金属氧化物半导体图案。
  • 半导体
  • [实用新型]半导体基板-CN201921268703.7有效
  • 不公告发明人 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2019-08-07 - 2020-02-18 - H01L23/544
  • 本实用新型提供一种半导体基板,其包括功能区及测量区,所述功能区具有至少一功能膜层,所述测量区具有至少一测量膜层,在俯视方向上,所述测量膜层被划分为至少一测量单元,所述测量单元的形状为多边形,所述多边形的内角大于本实用新型在制备半导体基板的工艺中,在测量区域形成多边形的测量单元,该形状的测量单元的受力力矩小,不易脱落,不会成为缺陷源,从而避免测量单元影响制程质量以及半导体基板的最终良率;同时,多边形的测量单元的应力分布相对更均匀
  • 半导体
  • [发明专利]半导体基板供给方法及半导体基板供给装置-CN201410445924.2有效
  • 德山秀树;高瀬慎二 - 东和株式会社
  • 2014-09-03 - 2017-05-17 - H01L21/677
  • 本发明提供向半导体封装模具的半导体基板供给方法及半导体基板供给装置,使用通常的半导体基板运送机构,向具备浇口块模具结构的半导体封装模具中的半导体基板放置用凹处供给并放置半导体基板。在上下两模的合模时将半导体基板运送至待机在固定操作空间位置的半导体基板接收部的位置上,接着将半导体基板固定在半导体基板接收部上,接着向浇口块的伸出部位的上下移动操作空间侧移送半导体基板接收部,接着使半导体基板接收部上固定的半导体基板的表面(半导体元件安装面)与浇口块的伸出部位接合并设定为浇口块的树脂通道用凹槽与半导体基板的表面不接触,接着将上下两模合模并将半导体基板供给并放置在半导体封装模具中的半导体基板放置用凹处。
  • 半导体供给方法装置
  • [发明专利]半导体基板及其表面研磨方法-CN201811261184.1有效
  • 李荣军 - 东莞新科技术研究开发有限公司
  • 2018-10-26 - 2022-08-26 - B24B37/04
  • 本发明公开了一种半导体基板及其表面研磨方法,其中,所述半导体基板表面研磨方法包括:在半导体基板的正面设置一层保护层;将所述半导体基板放置在研磨装置中,并用研磨液和第一研磨粉对所述半导体基板的背面进行研磨;对所述半导体基板进行洁净处理;将所述半导体基板放置在所述研磨装置中,并用研磨液和第二研磨粉对所述半导体基板的背面进行研磨;对所述半导体基板进行洁净处理;去除所述半导体基板上的所述保护层,将所述半导体基板放置在所述研磨装置中,并用研磨液和第三研磨粉对所述半导体基板的正面进行研磨。本发明能够提高半导体基板表面的研磨精度。
  • 半导体及其表面研磨方法
  • [发明专利]半导体器件和电子电器-CN201380048774.5有效
  • 马场公一;久保寺隆;宫崎俊彦;安茂博章 - 索尼公司
  • 2013-09-19 - 2017-09-08 - H01L27/146
  • 本技术涉及半导体器件和电子电器,其在改进由被堆叠半导体基板构造的器件的信号输出特性的同时能够维持微细晶体管的可靠性。本发明设置有第一半导体基板;第二半导体基板,所述第二半导体基板提供的功能不同于由所述第一半导体基板提供的功能;和扩散防止膜,所述扩散防止膜防止用于减少所述第一半导体基板与所述第二半导体基板之间的界面态的悬垂键终止原子的扩散,至少两个半导体基板被堆叠,所述半导体基板被电连接,所述第一半导体基板和所述第二半导体基板被堆叠成这样的状态所述扩散防止膜插入所述第一半导体基板的界面与所述第二半导体基板的界面之间。
  • 半导体器件电子电器
  • [发明专利]半导体装置的制造方法-CN200980136263.2有效
  • 大场隆之 - 国立大学法人东京大学
  • 2009-09-15 - 2011-08-17 - H01L25/065
  • 本发明的半导体装置的制造方法,将形成有多个半导体芯片的半导体基板进行层叠,半导体芯片在主面一侧具有半导体集成电路,将构成不同层的半导体基板半导体芯片之间进行连接以传递信号,然后对半导体芯片部分进行切片,其特征在于,包含:第一工序,准备第一半导体基板和第二半导体基板;第二工序,对第二半导体基板进行薄型化;第三工序,将进行了薄型化的第二半导体基板的主面的相反面通过绝缘层黏接在第一半导体基板的主面;第四工序,在进行了薄型化的第二半导体基板上形成过孔,过孔从第二半导体基板的主面贯通到主面的相反面;第五工序,通过过孔形成连接部,以在第一半导体基板半导体芯片和第二半导体基板半导体芯片之间传递信号。
  • 半导体装置制造方法
  • [发明专利]半导体装置的制造方法-CN202210176840.8在审
  • 北野三千矢 - 富士电机株式会社
  • 2022-02-25 - 2022-10-21 - H01L21/304
  • 本发明涉及一种半导体装置的制造方法,所述半导体装置具备半导体基板。在半导体装置的制造中,优选半导体基板的厚度均匀。所述制造方法包括:研磨步骤,研磨半导体基板的第一面,在半导体基板的外周形成外周剩余区域;以及旋转蚀刻步骤,用药液对半导体基板的第一面进行蚀刻,在半导体基板的比外周剩余区域靠内侧的区域中半导体基板的区域的端部处的厚度大于半导体基板的区域的中央部处的厚度
  • 半导体装置制造方法
  • [发明专利]半导体装置和制造方法-CN202011526090.X在审
  • 小木纯;藤曲润一郎;井上晋;藤原淳志 - 索尼公司
  • 2016-02-22 - 2021-04-20 - H01L27/146
  • 本发明提供了一种半导体装置,包括:具有矩形形状的第一半导体基板;具有矩形形状的第二半导体基板,其中,所述第二半导体基板的面积小于所述第一半导体基板的面积,并且所述第二半导体基板的至少第一边缘的区域与所述第一半导体基板的至少第一边缘的区域平齐;和具有矩形形状的第三半导体基板,其中,所述第三半导体基板的面积小于所述第一半导体基板的面积,并且所述第三半导体基板的至少第一边缘的区域与所述第一半导体基板的至少第二边缘的区域平齐。
  • 半导体装置制造方法

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