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[发明专利]具有氮化物层的半导体元件-CN201210315883.6有效
发明人：吉冈启;齐藤泰伸;斋藤涉 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-08-30 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：根据一个实施方式，提供一种半导体元件，该半导体元件具有半导体基板、氮化物的第一至第四半导体层、第一至第三电极以及栅电极。上述第一半导体层直接或隔着缓冲层设置在上述半导体基板上。上述第二半导体层从上述第一半导体层离开地设置。上述第三半导体层设置在上述第二半导体层上，具有比上述第二半导体层大的带隙。上述第四半导体层将上述第一半导体层及上述第二半导体层进行绝缘。上述第一电极与上述第一至上述第三半导体层形成欧姆接合。上述第二电极设置在上述第三半导体层上。上述栅电极设置在上述第一电极和上述第二电极之间。上述第三电极与上述第一半导体层形成肖特基结。
具有氮化物半导体元件

[发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN201110298318.9有效
发明人：尹海洲;朱慧珑;骆志炯 -专利权人：中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构，包括衬底、半导体鳍片、栅堆叠、源/漏区以及半导体基体，其中：所述半导体鳍片位于所述半导体基体之上，且与所述半导体基体相连接，所述半导体基体的两端与所述衬底相连接；所述栅堆叠覆盖所述半导体鳍片的中心部分、并延伸至所述衬底表面；所述源/漏区位于所述半导体鳍片的端部分；其中，位于所述半导体鳍片两侧的衬底中具有空腔，所述空腔中具有绝缘材料。相应地，本发明还提供了一种半导体结构的制造方法。通过将半导体鳍片下方的半导体基体与位于该半导体基体下方的衬底隔离开，不但有效地减小了所述半导体鳍片下方的衬底区域，还降低了半导体器件与衬底之间的漏电流，提高了半导体器件的性能。
一种半导体结构及其制造方法

[发明专利]一种半导体结构及其形成方法-CN201010501685.X有效
发明人：梁擎擎;徐秋霞;钟汇才;朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体结构，所述半导体结构形成于第一半导体层上，所述半导体结构包括纳米线组和两个半导体基体；各所述半导体基体包括至少两个第二半导体层，各所述第二半导体层形成于绝缘层上；在各所述半导体基体之间，各所述第二半导体层及各所述绝缘层一一对应；所述纳米线组包括至少两个纳米线，各所述纳米线分立且包含第三半导体层，所述第二半导体层与所述第一半导体层和/或所述第三半导体层材料不同，各所述纳米线与各对应的所述第二半导体层一一相接，各所述纳米线在所述第一半导体层上的投影重合以及，一种半导体结构的形成方法。利于增加集成度。
一种半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置-CN201310455051.9有效
发明人：小川嘉寿子 -专利权人：三垦电气株式会社
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：半导体装置。具有高耐压/低导通电压且抑制制造工序增加。具有第1导电型的第1半导体区域；第2导电型的第2半导体区域，配置在第1半导体区域上；第1导电型的第3半导体区域，配置在第2半导体区域上；多个第2导电型的第4半导体区域，它们相互分离地配置在第3半导体区域上；绝缘膜，配置在从第4半导体区域的上表面延伸、贯穿第4半导体区域和第3半导体区域而到达第2半导体区域的沟槽的内壁上，与第3半导体区域的侧面相对；控制电极，在沟槽的内部配置在绝缘膜上；第1主电极，与第1半导体区域电连接；第2主电极，与第3半导体区域和第4半导体区域电连接，沟槽的宽度相对于第3半导体区域与第2主电极接触的宽度的比值为1以上。
半导体装置

[发明专利]具有过载电流承载能力的半导体器件-CN201510947755.7有效
发明人： R.巴布尔斯克;T.巴斯勒;P.C.布兰特;M.科托罗格亚;J.G.拉文 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及具有过载电流承载能力的半导体器件。提出一种半导体器件。半导体器件包括：半导体区域，半导体区域呈现第一导电类型的电荷载流子；晶体管单元，被包含在半导体区域中；半导体沟道区域，被包含在晶体管单元中，半导体沟道区域呈现与第一导电类型互补的第二导电类型的第一掺杂浓度的电荷载流子，其中半导体沟道区域和半导体区域之间的过渡区形成第一pn结。半导体器件进一步包括被包含在半导体区域中并且不同于半导体沟道区域的半导体辅助区域，半导体辅助区域呈现第二导电类型的第二掺杂浓度的电荷载流子，第二掺杂浓度与第一掺杂浓度相比更高至少30%，其中半导体辅助区域和半导体区域之间的过渡区形成第二
具有过载电流承载能力半导体器件

[实用新型]P沟道大功率半导体恒电流二极管-CN200720200016.2无效
发明人：刘桥 -专利权人：贵州大学
申请日： 2007-01-15 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种P沟道大功率半导体恒电流二极管，它包括N型半导体衬底(2)，在N型半导体衬底(2)上设有P型半导体区域(4)和P型半导体区域(3)，P型半导体区域(4)和P型半导体区域(3)通过电极(7)连接；在P型半导体区域(4)上设有N⁺型半导体区域(6)，N型半导体衬底(2)、P型半导体区(4)和N⁺型半导体区(6)通过电极(8)连接；在P型半导体区域(3)上设有N⁺型半导体(5)，N⁺型半导体(5)连接电极(9)。本实用新型的特点是通过半导体器件结构的物理过程实现恒流特性，具有利用半导体物理特性、实现恒流电路的功能，结构简单，采用电流扩展方法可以直接恒流驱动负载的优点。
沟道大功率半导体电流二极管

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202080100676.1在审
发明人：芹泽晴彦;千千松达夫 -专利权人：株式会社索思未来
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体装置,具有:基板；第一半导体层,其配置于上述基板之上；第一半导体区域以及第二半导体区域,其在上述基板之上,在俯视时在第一方向中,隔着上述第一半导体层配置；第二半导体层,其配置于上述第一半导体层的上方；第三半导体区域以及第四半导体区域,其分别在上述第一半导体区域以及上述第二半导体区域的上方,在上述第一方向中,隔着上述第二半导体层配置；第三半导体层,其在上述基板之上,在俯视时在与上述第一方向不同的第二方向中与上述第一半导体层并列配置；第五半导体区域以及第六半导体区域,其在上述基板之上,在俯视时在上述第一方向中,隔着上述第三半导体层配置；第四半导体层,其在上述第三半导体层的上方,在俯视时在上述第二方向中与上述第二半导体层并列配置；第七半导体区域以及第八半导体区域；第一栅极电极,其在上述第一半导体层以及上述第二半导体层之上隔着第一栅极绝缘膜配置；以及第二栅极电极,其在上述第三半导体层以及上述第四半导体层之上隔着第二栅极绝缘膜配置,上述第一侧面与上述第一半导体层以及上述第二半导体层相接,上述第二侧面与上述第三半导体层以及上述第四半导体层相接。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]用于降低SIC半导体器件的双极退化的方法和半导体器件-CN201610534208.0在审
发明人： J.P.康拉特;R.鲁普;H-J.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-07-08 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明涉及用于降低SIC半导体器件的双极退化的方法和半导体器件。公开了一种用于形成半导体器件的方法和一种半导体器件。方法包括在SiC半导体主体中通过引入非掺杂粒子到半导体主体中在第一半导体区中形成晶体缺陷；以及形成第二半导体区使得在第一半导体区与第二半导体区之间存在pn结。
用于降低 sic 半导体器件退化方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202010977926.1在审
发明人：江欣哲;高伟智;梁春昇;潘国华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：半导体装置的制造方法，包括：提供半导体基板；从半导体基板的顶表面外延成长阻挡层，其中阻挡层具有与半导体基板不同的晶格常数；于阻挡层之上外延成长半导体层；图案化半导体层以形成半导体鳍片，其中阻挡层位于半导体鳍片之下；形成接触半导体鳍片的源极/漏极部件；以及形成齿合半导体鳍片的栅极结构。
半导体装置制造方法

[发明专利]具有晶圆尺寸不相似的发光电路的集成控制电路-CN202180016898.X在审
发明人：拉金德拉·D·潘西 -专利权人：元平台技术有限公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：在一些示例中，一种物品包括半导体和无机半导体层，该半导体包括至少一个集成电路，该无机半导体层键合到该半导体的第一表面。无机半导体层包括μLED阵列，并且半导体的第一表面延伸超过无机半导体层的第一边缘。无机半导体层的第一边缘基本上垂直于半导体的第一表面而取向。
具有尺寸相似发光电路集成控制电路

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410232029.2有效
发明人：权兑勇;金相秀;梁正吉;崔正达 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，其包括衬底、化合物半导体层和第一半导体图案和第二半导体图案。衬底包括第一区和第二区。第一半导体图案位于第一区的化合物半导体层上，并包括元素半导体。第二半导体图案位于第二区的化合物半导体层上，并包括III‑V族半导体材料。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201210333081.8有效
发明人：朱慧珑;梁擎擎;钟汇才;尹海洲;骆志炯;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-09-10 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。根据一示例，半导体器件可以包括：半导体层；半导体基体，位于半导体层上，所述半导体基体包括延伸穿过该半导体基体的空腔；源极和漏极，在半导体层上形成，且分别接于半导体基体的相对的第一侧面和第二侧面；栅极，分别接于半导体基体的相对的第三侧面和第四侧面
半导体器件及其制造方法

[发明专利]包括互连器的半导体封装-CN201710569111.8有效
发明人：郑然丞;朴津佑;洪周妧 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2017-07-13 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：包括互连器的半导体封装。可提供一种半导体封装和/或制造半导体封装的方法。该半导体封装可包括封装基板。该半导体封装可包括通过第一互连器联接至封装基板的第一半导体晶片。该半导体封装可包括通过第二互连器联接至第一半导体晶片的第二半导体晶片。第二半导体晶片可联接至封装基板。
包括互连半导体封装

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200680033530.X有效
发明人：林哲也;下井田良雄;星正胜;田中秀明;山上滋春 -专利权人：日产自动车株式会社
申请日： 2006-08-22 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种半导体装置，其包括：半导体基体；异质半导体区域，其与半导体基体接触，并且其具有带隙与半导体基体的带隙不同；第一电极，其与异质半导体区域连接；以及第二电极，其与半导体基体欧姆接触。异质半导体区域包括通过层叠多个半导体层形成的层状异质半导体区域，其中，在至少两层之间的界面处的晶格对准不连续。
半导体装置及其制造方法

[其他]一种半导体结构-CN201190000066.0有效
发明人：尹海洲;骆志炯;朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-03-04 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体结构。该半导体结构包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的半导体鳍片，在所述半导体衬底和所述半导体鳍片之间还包括刻蚀停止层，所述半导体鳍片的侧壁方向接近或位于硅的{111}晶面，并且所述半导体衬底为{112}Si所述半导体鳍片具有良好的表面质量和减少的晶体缺陷，可用于制造FinFET。
一种半导体结构