专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置-CN201510075482.1在审
  • 生野徹 - 株式会社东芝
  • 2015-02-12 - 2016-03-30 - H01L27/02
  • 半导体装置具备:第1、第2、第3半导体区域;第1、第2电极;设置在第1半导体区域上并具有第4半导体区域和第5半导体区域的第1整流元件;设置在未设置第2半导体区域并且未设置第1整流元件的第1半导体区域上并具有第6半导体区域和第7半导体区域的第2整流元件;设置在第1半导体区域的上侧、与第3半导体区域电连接、与第1整流元件的第4半导体区域中的任一第4半导体区域及第2整流元件的第6半导体区域的任一第6半导体区域电连接的第3电极;以及设置在第1半导体区域的上侧、与第2电极电连接、与第1整流元件的任一第4半导体区域以外的第4半导体区域及第2整流元件的任一第6半导体区域以外的第6半导体区域电连接的第4电极。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN201410379777.3有效
  • 森塚宏平 - 株式会社东芝
  • 2014-08-04 - 2019-04-16 - H01L29/78
  • 本发明提供一种导通损失较少、元件特性不易劣化的半导体装置。实施方式的半导体装置具备:第1电极;第2电极;第1导电型的第1半导体区域,设在第1电极与第2电极之间;第1导电型的第2半导体区域,设在第1半导体区域与第1电极之间,杂质浓度比第1半导体区域高;第2导电型的第3半导体区域,设在第1半导体区域与第2电极之间;第2导电型的第5半导体区域,设在第1半导体区域与第2电极之间;第1导电型的第4半导体区域,设在第3半导体区域与第2电极之间、以及第5半导体区域与第2电极之间,杂质浓度比第1半导体区域高;第3电极,经由第1绝缘膜接触在第1半导体区域、第3半导体区域及第4半导体区域上;第2绝缘膜,接触在第1半导体区域、第5半导体区域及第4半导体区域上。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN201210461390.3有效
  • 小野昇太郎;泉沢优;大田浩史;山下浩明 - 株式会社东芝
  • 2012-11-16 - 2014-01-15 - H01L29/78
  • 本发明提供一种提高可靠性的半导体装置。半导体装置具备:第1半导体区域;第2半导体区域;设置于第2半导体区域,在相对第1半导体区域和第2半导体区域的叠层方向大致正交的第1方向并排设置的多个第3半导体区域;设置在元件区域的多个第3半导体区域上的第4半导体区域;设置在第4半导体区域上的第5半导体区域;隔着第1绝缘膜与第2半导体区域、第4半导体区域及第5半导体区域相接的第1电极;与第4半导体区域及第5半导体区域电连接的第2电极;与第1半导体区域电连接的第3电极;在接合终端区域的多个第3半导体区域及第2半导体区域上并排设置在第1方向的多个第4电极;与第3电极电连接,设置在多个第4电极的至少1个上的第5电极。
  • 半导体装置
  • [实用新型]具有接触层的发光二极管-CN201720802428.7有效
  • 李熙燮;崔承奎;金材宪 - 首尔伟傲世有限公司
  • 2017-07-04 - 2018-03-09 - H01L33/14
  • 本实用新型提供一种具有接触层的发光二极管,所述发光二极管包括下部n型半导体层;上部n型半导体层,布置于下部n型半导体层上部;p型半导体层,夹设于下部n型半导体层与上部n型半导体层之间;活性层,夹设于下部n型半导体层与p型半导体层之间;高浓度p型半导体层,夹设于p型半导体层与上部n型半导体层之间,并以比p型半导体层高的浓度掺杂;高浓度n型半导体层,夹设于高浓度p型半导体层与上部n型半导体层之间,并以比上部n型半导体层高的浓度掺杂;第一接触层,与下部n型半导体层接触;第二接触层,与上部n型半导体层接触,第一接触层和第二接触层包括与下部n型半导体层和上部n型半导体层接触的相同物质层。
  • 具有接触发光二极管
  • [发明专利]半导体封装组件及其制造方法-CN201610289142.3在审
  • 林子闳;萧景文;彭逸轩 - 联发科技股份有限公司
  • 2016-05-04 - 2016-11-30 - H01L23/48
  • 本发明提供一种半导体封装组件及半导体封装组件的制造方法。半导体封装组件包含第一半导体封装,第一半导体封装包含第一半导体晶片,第一重布层结构与第一半导体晶片耦接。半导体封装组件也包含第二半导体封装与第一半导体封装接合,第二半导体封装包含第二半导体晶片,第二半导体晶片的主动面朝向第一半导体晶片的主动面。第二重布层结构与第二半导体晶片耦接,第一重布层结构位于第一半导体晶片与第二重布层结构之间。本发明有利于改善设计的弹性。
  • 半导体封装组件及其制造方法
  • [发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202210208592.0在审
  • 中村胜光 - 三菱电机株式会社
  • 2022-03-03 - 2022-09-13 - H01L29/739
  • 提供能够对接通电压与通断损耗之间的折衷特性进行控制的半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置具有半导体衬底、第1导电型的漂移层、第1导电型的缓冲层、第1半导体层及第2半导体层。第1半导体层及第2半导体层设置于比缓冲层更靠半导体衬底的第2主面侧处。第1半导体层及第2半导体层在从半导体衬底的第2主面朝向第1主面的方向上依次排列地配置。第1半导体层和第2半导体层具有彼此相同的导电型。第2半导体层与第1半导体层相比每单位体积的杂质的原子数多。
  • 半导体装置制造方法
  • [发明专利]半导体装置-CN201810163702.X有效
  • 堀阳一 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2018-02-27 - 2023-06-23 - H01L27/08
  • 实施方式提供耐量提高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备第1电极、第2电极、第1半导体区域、第2半导体区域、第3半导体区域、第4半导体区域、第5半导体区域以及第6半导体区域。上述第4半导体区域设置在上述第1半导体区域的第1区域与上述第2半导体区域之间,导电型是第1导电型。上述第4半导体区域在第2方向上具有第一宽度。上述第6半导体区域设置在上述第1半导体区域的第2区域与上述第5半导体区域之间,导电型是第1导电型。上述第6半导体区域在上述第2方向上具有比上述第一宽度大的第二宽度。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体器件封装和半导体设备-CN201810258640.0有效
  • 任允赫;李稀裼;申宅均;赵汊济 - 三星电子株式会社
  • 2018-03-27 - 2023-09-12 - H01L23/498
  • 提供了一种半导体器件封装和半导体设备。所述半导体器件封装包括:第一半导体封装、第二半导体封装以及位于第一半导体封装和第二半导体封装之间的内插板。第一半导体封装包括第一半导体封装衬底和第一半导体芯片。第二半导体封装包括第二半导体封装衬底和第二半导体芯片。内插板将第一半导体封装电连接到第二半导体封装,并且包括穿过内插板的第一内插板孔。第一半导体芯片包括从第一部分突出的第二部分,并且第二部分插入到第一内插板孔中。
  • 半导体器件封装半导体设备
  • [发明专利]半导体基板、半导体基板的制造方法、和电子器件-CN201080014399.9有效
  • 市川磨 - 住友化学株式会社
  • 2010-04-02 - 2012-03-07 - H01L21/8222
  • 本发明提供适于在单一半导体基板上形成HBT和FET之类的多个不同种类的器件的化合物半导体基板。所述半导体基板包括:第1半导体、形成于第1半导体上的具有电子捕获中心或空穴捕获中心的载流子阱层、在载流子阱层上外延生长且作为自由电子或自由空穴移动的通道发挥功能的第2半导体、以及第3半导体,所述第三半导体包含在第2半导体上外延生长而成的以N型半导体/P型半导体/N型半导体表示的层叠体、或在所述第2半导体上外延生长而成的以P型半导体/N型半导体/P型半导体表示的层叠体。
  • 半导体制造方法电子器件
  • [发明专利]多孔半导体层形成材料-CN200680018659.3有效
  • 筱原祐治 - 精工爱普生株式会社
  • 2006-04-14 - 2008-05-28 - H01L51/30
  • 本发明的目的是提供半导体层形成材料,从所述半导体层形成材料可以制造具有高载流子运输能力的半导体层,提供形成半导体元件的方法,所述半导体元件具有高载流子运输能力的半导体层,提供由半导体元件制造方法形成的半导体元件,提供装备有所述半导体元件的电子装置,并提供具有高可靠性的电子设备。所述半导体层形成材料包括半导体材料、各自具有许多孔隙的多孔颗粒、和分散介质,其中所述半导体材料以至少一部分半导体材料填充在多孔颗粒孔隙中的状态存在于半导体层形成材料中。根据所述半导体层形成材料,可以形成和制造具有高载流子运输能力的半导体层。
  • 多孔半导体形成材料

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