[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201780031354.4 | 申请日： | 2017-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN109314049A | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 大野克巳;平野兼史;根岸将人;铃木正人;吉野达郎 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;B23K26/53 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 肖靖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体装置的制造方法包含：准备包含第1半导体层和第2半导体层的半导体基板的步骤和从第1半导体层侧对半导体基板照射激光从而将半导体基板切片为半导体芯片的步骤。第1半导体层包含对激光透明的半导体材料。第2半导体层包含对激光不透明的半导体材料。关于激光，照射使第1半导体层的半导体材料变化为对激光不透明的强度的激光。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 激光 半导体材料 半导体基板 半导体装置 不透明 照射 半导体芯片 透明的 切片 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包含：准备包含第1半导体层和第2半导体层的半导体基板的步骤；和从所述第1半导体层侧对所述半导体基板照射激光，从而将所述半导体基板切片为半导体芯片的步骤，所述第1半导体层包含对所述激光透明的半导体材料，所述第2半导体层包含对所述激光不透明的半导体材料，在照射所述激光的步骤中，照射使所述第1半导体层的半导体材料变化为对所述激光不透明的强度的激光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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