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专利名称

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公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置-CN201810971991.6有效
发明人：杉本雅裕;髙桥勲;四户孝;人罗俊实 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明提供一种具有p型半导体层、n型半导体层和i型半导体层间的良好接合且半导体特性优异的半导体装置。技术方案为制造一种半导体装置，并将所获得的半导体装置用于功率器件等，所述半导体装置至少包括n型半导体层、i型半导体层及p型半导体层，其中n型半导体层包括第一半导体以作为主要成分，第一半导体为含有选自铝、铟和镓中的一种或两种以上的金属的氧化物半导体。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201810972334.3有效
发明人：杉本雅裕;髙桥勲;四户孝;人罗俊实 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种具有p型半导体层、n型半导体层和i型半导体层间的良好的接合且半导体特性优异的半导体装置。本发明制造一种半导体装置，所述半导体装置至少包括：n型半导体层，包括第一半导体作为主要成分；i型半导体层，包括第二半导体作为主要成分；以及p型半导体层，包括第三半导体作为主要成分，第一半导体、第二半导体和第三半导体均为具有刚玉结构的氧化物半导体，将得到的半导体装置用于功率器件等。
半导体装置

[发明专利]设计支援装置、设计支援程序以及设计支援方法-CN202280005195.1在审
发明人：伊藤将人;三竹雅也;竹内健吾;人罗俊实;奥井富士雄 -专利权人：株式会社FLOSFIA;三菱重工业株式会社
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G06F115/12 文献下载
摘要：提供一种设计支援装置、设计支援程序以及设计支援方法，能够在包括部件内置基板的所需最小面积的导出在内的设计中考虑部件内置基板特有的要素来进行设计。所述设计支援装置是部件内置基板的设计支援装置，所述部件内置基板内置有半导体部件，所述半导体部件构成电路的至少一部分，所述设计支援装置至少具备：部件信息获取部，获取与欲搭载在所述部件内置基板内的电子部件有关的部件信息；以及所需最小面积计算部，基于所述部件信息中包括的所述电子部件的形状信息及所述电路和/或所述电子部件的电气特性信息，来计算所述部件内置基板表面的所需最小面积。
设计支援装置程序以及方法

[发明专利]成膜方法、导电性层压结构体及电子装置-CN201810293622.6有效
发明人：柳生慎悟;井川拓人;人罗俊实 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法、导电性层压结构体及电子装置。本发明的成膜方法简单且容易地、在工业上有利地对基材密合性良好地形成导电性金属氧化膜。在通过将对含有金属的原料溶液进行雾化或液滴化而生成的雾或液滴利用载气运送到基体，接着在该基体上使该雾或液滴进行热反应，从而在该基体上形成导电性金属氧化膜的成膜方法中，使用表面的一部分或全部含有铜或铜合金、铝或铝合金、镁或镁合金、或者不锈钢作为主要成分的基体作为所述基体来进行成膜。
方法导电性层压结构电子装置

[发明专利]结晶性多层结构、半导体装置及多层结构-CN202210758521.8在审
发明人：髙桥勲;四户孝;德田梨绘;织田真也;人罗俊实 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明涉及结晶性多层结构、半导体装置及多层结构。本发明提供一种电特性优异的结晶性氧化物半导体膜。使用雾化CVD装置使包含掺杂剂的原料溶液雾化或液滴化，通过载气将所得的雾或液滴运送到成膜室内的a面或m面刚玉结构晶体基板附近，之后在成膜室内使所述雾或液滴进行热反应，从而在晶体基板上获得结晶性氧化物半导体膜，所述结晶性氧化物半导体膜具有刚玉结构，并且其主面为a面或m面，所述掺杂剂为n型掺杂剂。
结晶多层结构半导体装置

[发明专利]晶体、结晶膜、包括结晶膜的半导体装置和用于制造结晶膜的方法-CN201810954980.7有效
发明人：大岛佑一;藤田静雄;金子健太郎;嘉数诚;河原克明;四户孝;松田时宜;人罗俊实 -专利权人：株式会社FLOSFIA;国立研究开发法人物质·材料研究机构;国立大学法人京都大学;国立大学法人佐贺大学
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：根据本发明主题的方面，晶体包括：刚玉结构的氧化物半导体作为主要组分，该刚玉结构的氧化物半导体包括镓和/或铟并掺杂有含锗的掺杂剂；主平面；1×1018/cm3或更高的载流子浓度；以及20cm2/Vs或更高的电子迁移率。
晶体结晶包括半导体装置用于制造方法

[发明专利]用于制造结晶膜的方法-CN201810948079.9有效
发明人：大岛佑一;藤田静雄;金子健太郎;嘉数诚;河原克明;四户孝;松田时宜;人罗俊实 -专利权人：株式会社FLOSFIA;国立研究开发法人物质·材料研究机构;国立大学法人京都大学;国立大学法人佐贺大学
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： C30B25/04 文献下载
摘要：根据本发明主题的方面，用于制造结晶膜的方法包括：气化含金属的金属源以将金属源转化为含金属的原料气体；将含金属的原料气体和含氧的原料气体供应到反应室中到包括缓冲层的基板上；以及将反应气体供应到反应室中到基板上，以在反应气体的气流下在基板上形成结晶膜。
用于制造结晶方法

[发明专利]金属膜形成方法-CN201911347903.6有效
发明人：织田真也;人罗俊实 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：提供一种能够有利于工业上形成密合性优良的金属膜的金属膜形成方法以及通过其方法形成的金属膜。一种在基体上形成金属膜的金属膜形成方法，包括在氧化剂、胺化合物或者质子酸的有机溶剂中,使金属溶解或分散形成原料溶液，将原料溶液雾化产生雾的雾化工序，将载气提供给所述雾的载气供给工序,通过所述载气将所述雾提供给所述基体的供给工序和使所述雾热反应，在所述基体表面的一部分或者全部层积金属膜的金属膜形成工序。
金属膜形成方法

[发明专利]用于制造结晶膜的方法-CN201810948015.9有效
发明人：大岛佑一;河原克明;四户孝;松田时宜;人罗俊实 -专利权人：株式会社FLOSFIA;国立研究开发法人物质·材料研究机构
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：根据本发明的方面，用于制造结晶膜的方法包括气化金属源以将金属源转化为含金属的原料气体；将含金属的原料气体和含氧的原料气体供应到反应室中到基板上；以及将反应气体供应到反应室中到基板上，以在反应气体的气流下形成结晶膜。
用于制造结晶方法

[发明专利]结晶膜、包括结晶膜的半导体装置以及制造结晶膜的方法-CN201810948461.X有效
发明人：大岛佑一;藤田静雄;金子健太郎;嘉数诚;河原克明;四户孝;松田时宜;人罗俊实 -专利权人：株式会社FLOSFIA;国立研究开发法人物质·材料研究机构;国立大学法人京都大学;国立大学法人佐贺大学
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：根据本发明主题的方面，结晶膜包括结晶金属氧化物作为主要组分，结晶膜包括刚玉结构、9μm2或更大的表面积和小于5×106cm‑2的位错密度。
结晶包括半导体装置以及制造方法

[发明专利]结晶性氧化物半导体膜、半导体装置及半导体系统-CN201710772734.5有效
发明人：德田梨绘;织田真也;人罗俊实 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：本发明提供一种电特性优异的结晶性氧化物半导体膜。本发明提供一种结晶性氧化物半导体装置，以及结晶性氧化物半导膜的结晶性氧化物半导体系统。作为本发明的目的之一，提出一种结晶性氧化物半导体膜。结晶性氧化物半导体膜含有：结晶性氧化物半导体，具有刚玉结构，含有结晶性氧化物作为主成分；以及掺杂剂，结晶性氧化物半导体的电子迁移率为30cm2/Vs以上。
结晶氧化物半导体装置系统

[发明专利]用于制造结晶膜的方法-CN202210479527.1在审
发明人：大岛佑一;河原克明;四户孝;松田时宜;人罗俊实 -专利权人：株式会社FLOSFIA;国立研究开发法人物质·材料研究机构
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：根据本发明的方面，用于制造结晶膜的方法包括气化金属源以将金属源转化为含金属的原料气体；将含金属的原料气体和含氧的原料气体供应到反应室中到基板上；以及将反应气体供应到反应室中到基板上，以在反应气体的气流下形成结晶膜。
用于制造结晶方法

[发明专利]晶体、结晶性氧化物半导体、包含结晶性氧化物半导体的半导体膜、包含晶体和/或半导体膜的半导体装置以及包含半导体装置的系统-CN202080039782.3在审
发明人：松田时宜;佐佐木贵博;人罗俊实;高桥勲 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： C01G45/00 文献下载
摘要：作为实施方式之一，本发明涉及一种晶体，包含金属氧化物，所述金属氧化物包含Ga和Mn并具有刚玉结构。
晶体结晶氧化物半导体包含装置以及系统

[发明专利]半导体装置-CN201611159323.0有效
发明人：织田真也;德田梨绘;神原仁志;河原克明;人罗俊实 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2016-12-15 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体特性和肖特基特性优异的半导体装置。该半导体装置至少具备：含有具有刚玉结构的结晶性氧化物半导体作为主成分的半导体层，以及上述半导体层上的肖特基电极，形成上述肖特基电极时，通过使上述肖特基电极含有元素周期表第4族～第9族的金属，能够在不损害半导体特性的情况下制造半导体特性和肖特基特性优异的半导体装置，并将所得半导体装置用于功率器件等。
半导体装置

[发明专利]成膜方法-CN201680075857.7有效
发明人：香取重尊;广木一亮;织田真也;人罗俊实 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： B05D1/02 文献下载
摘要：为了提供具有工业优势质量的薄膜的目的，本发明提出了一种成膜方法。本发明的方法的实施方式包括：将含有非质子溶剂(可以是内酯或内酰胺)的原料溶液变成雾或液滴(雾化步骤)，将雾或液滴携带至设置在成膜室的基体上(雾的运送步骤)，以及优选在250℃或以下的温度使雾或液滴反应，从而在基体上成膜(成膜步骤)。
方法

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