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[发明专利]半导体发光器件及其制造方法-CN03164978.5无效
发明人：谷健太郎 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2003-07-23 - 公布日： 2004-05-19 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体发光器件，包括：半导体衬底；在半导体衬底上形成的堆叠状半导体结构；带条纹的脊状结构；以及，位于带条纹的脊状结构的侧面上的半导体电流限制层。堆叠状半导体结构包括第一半导体盖层、半导体有源层、第二半导体盖层和半导体蚀刻停止层。带条纹的脊状结构包括第三半导体盖层、半导体中间层和半导体帽层。带条纹的脊状结构位于半导体蚀刻停止层之上。半导体电流限制层与半导体蚀刻停止层之间的界面上和半导体电流限制层与带条纹的脊状结构之间的界面上含有的杂质含量均少于1×10¹⁷/cm³。
半导体发光器件及其制造方法

[发明专利]形成键合半导体结构的方法和用该方法形成的半导体结构-CN201210090879.4有效
发明人： M·佐高 -专利权人： SOITEC公司
申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种形成键合半导体结构的方法和用该方法形成的半导体结构，形成键合半导体结构的方法包括：提供包括器件结构的第一半导体结构；在低于大约400℃的温度下将第二半导体结构键合到第一半导体结构；通过第二半导体结构进入第一半导体结构形成贯通晶片互连；以及在与第一半导体结构的相反侧将第三半导体结构键合到第二半导体结构。在另外的实施例中，提供第一半导体结构。将离子注入到第二半导体结构中。第二半导体结构仍然键合到第一半导体结构。使第二半导体结构沿离子注入平面断裂，至少部分通过第一和第二半导体结构形成贯通晶片互连，在与第一半导体结构相反侧将第三半导体结构键合到第二半导体结构。键合半导体结构是使用这种方法形成的。
形成半导体结构方法

[发明专利]功率半导体元件-CN201310367702.9无效
发明人：中村和敏;松田正;二宫英彰 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-08-21 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种功率半导体元件，具备第1电极、第1半导体层、第2半导体层、第3半导体层、第4半导体层、第2电极、第1控制电极和第1绝缘膜。第1半导体层设在第1电极之上，是第1导电型。第2半导体层设在第1半导体层之上，是第2导电型。第3半导体层在第1半导体层之上、与第2半导体层离开地设置，是第2导电型。第4半导体层设在第3半导体层之上，是第1导电型。第2电极设在第4半导体层之上，与第4半导体层电连接。第1控制电极在第2半导体层与第3半导体层之间、靠近第3半导体层侧设置。第1绝缘膜设在第1半导体层与第1控制电极之间、第2半导体层与第1控制电极之间、以及第3半导体层与第1控制电极之间。
功率半导体元件

[发明专利]半导体光催化结构及其制备方法和具有其的光催化剂-CN202010846668.3在审
发明人：吕锋仔;黄文财 -专利权人：吕锋仔;厦门大学
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： B01J27/185 文献下载
摘要：本发明公开了半导体光催化结构及其制备方法和具有其的光催化剂，半导体光催化结构包括半导体过渡层、第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层和半导体过渡层中半导体层直接接触，第二半导体层和半导体过渡层中半导体层直接接触，第一半导体层与第二半导体层不接触；第一半导体层和第二半导体层带隙能不低于1.8ev，第一半导体层厚度和与其直接接触半导体层厚度均超出空间电荷区宽度、其内建电场方向由第一半导体层指向与其直接接触半导体层、第一半导体层导带底比H2O/H2还原电势更负，第二半导体层厚度和与其直接接触半导体层厚度均超出空间电荷区宽度、其内建电场方向由与其直接接触的半导体层指向第二半导体层、第二半导体层价带顶比O2/H2O氧化电势更正。
半导体光催化结构及其制备方法具有光催化剂

[发明专利]半导体异质结/同质结及其制备方法和具有其的光催化剂-CN202010641110.1在审
发明人：吕锋仔;黄文财 -专利权人：吕锋仔;厦门大学
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： B01J27/185 文献下载
摘要：本发明公开了半导体异质结/同质结及其制备方法和具有其的光催化剂，半导体异质结/同质结包括半导体过渡层、第一半导体层和第二半导体层，半导体过渡层包括半导体层，第一半导体层和半导体过渡层中半导体层直接接触，第二半导体层和半导体过渡层中半导体层直接接触，第一半导体层与第二半导体层不接触，第一半导体层和与其直接接触的半导体层至少之一的厚度不超出它们所形成的半导体异质结/同质结的空间电荷区宽度、和/或第二半导体层和与其直接接触的半导体层至少之一的厚度不超出它们所形成的半导体异质结该半导体异质结/同质结具有优异的氧化还原能力、最大化的有效活性表面、可控的内建电场、灵活的能带结构匹配和良好的稳定性。
半导体异质结同质及其制备方法具有光催化剂

[发明专利]半导体器件-CN201310397355.4在审
发明人：原田峻丞;中野敬志;奥野卓也 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2013-09-04 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：半导体衬底（5），包括在所述半导体衬底（5）上的第一半导体层（2）；在半导体衬底（5）中的多个半导体元件（50）；及无效区（30）。每一个半导体元件（50）都包括：在所述第一半导体层（2）的表面部分中的第二半导体层（21）；第三半导体层（17），设置在所述第一半导体层（2）的另一个表面部分中，并与所述第二半导体层（21）间隔开；及控制层（34），设置在所述第一半导体层（2）在所述第二半导体层（21）与所述第三半导体层（17）之间的部分上。所述无效区（30）设置在至少两个相邻的半导体元件（50）之间的半导体衬底（5）中；并且不提供所述半导体元件（50）的功能。
半导体器件

[发明专利]半导体封装件-CN202111305903.7在审
发明人：南杰;张根豪;张喆容;崔东朱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：公开的是一种半导体封装件，所述半导体封装件包括下半导体芯片和垂直堆叠在所述下半导体芯片的顶表面上的上半导体芯片。所述上半导体芯片包括第一上半导体芯片和第二上半导体芯片。所述第一上半导体芯片位于所述下半导体芯片与所述第二上半导体芯片之间。每一个所述第一上半导体芯片的厚度是所述下半导体芯片的厚度的0.4倍至0.95倍。所述第二上半导体芯片的厚度与所述第一上半导体芯片的厚度相同或大于所述第一上半导体芯片的厚度。所述第一上半导体芯片和所述第二上半导体芯片的总数是4n，其中n是等于或大于三的自然数。
半导体封装

[发明专利]半导体合金鳍片场效应晶体管及其形成方法-CN201310447383.2有效
发明人： K.程;T.N.亚当;A.卡基菲鲁兹;A.瑞兹尼塞克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：通过凹陷包括第一半导体材料的半导体材料层以形成沟槽，并且在沟槽内外延沉积第一半导体材料和第二半导体材料的半导体合金材料可以形成半导体合金鳍片结构。半导体合金材料与半导体材料层中的第一半导体材料外延对齐。包括第一半导体材料的第一半导体鳍片和包括半导体合金材料的第二半导体鳍片可以同时形成。在一个实施例中，第一半导体鳍片和第二半导体鳍片可以形成在绝缘层上，防止第二半导体材料向第一半导体鳍片扩散。在另一个实施例中，采用浅沟槽隔离结构和反向偏置阱可以在相邻的半导体鳍片之间提供电隔离。
半导体合金场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]半导体器件和封装半导体管芯的方法-CN201610402516.8有效
发明人： S.金努萨米 -专利权人：商升特公司
申请日： 2016-06-08 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件和封装半导体管芯的方法。半导体器件具有半导体晶片。半导体晶片包括多个半导体管芯。绝缘层形成在半导体管芯的有源表面之上。沟槽形成在半导体管芯之间的半导体晶片的非有源区域中。沟槽部分地延伸通过半导体晶片。提供具有粘合层的载体。同时作为单个单元而将半导体管芯设置在粘合层和载体之上。执行背面研磨操作以去除半导体晶片的部分并且暴露沟槽。粘合层在背面研磨操作期间将半导体管芯保持在适当位置。将密封剂沉积在半导体管芯之上以及沉积到沟槽中。去除载体和粘合层。对经封装的半导体管芯清洗并且将经封装的半导体管芯单体化成个体半导体器件。测试半导体器件的电气性能和功能性。
半导体器件封装半导体管芯方法

[发明专利]半导体装置-CN201210052700.6无效
发明人：下條亮平 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-03-02 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：实施方式提供一种半导体装置，具备：第1导电型的第1半导体层；单元部，在第1半导体层的表面具有第2导电型的扩散区域；多个第2导电型的第2半导体层，形成在第1半导体层的表面，使得分别包围单元部；第1导电型的第3半导体层，在第1半导体层的表面与第2半导体层的外周离开地形成，浓度比第1半导体层高；第4半导体层，设置在第1半导体层的表面的第2半导体层与第3半导体层之间，浓度比第2半导体层低；以及多个第5半导体层，在多个第2半导体层的各自的内侧，浓度比第2半导体层低，杂质浓度或者导电型与第4半导体层不同。
半导体装置

[发明专利]半导体元件的选取方法、半导体器件及其制造方法-CN200780100082.5有效
发明人：金野吉人;山田豊 -专利权人：富士通微电子株式会社
申请日： 2007-08-10 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明的目的是提供半导体元件的选取方法、半导体器件及其制造方法。能够从在半导体衬底(半导体晶片)上形成的多个半导体元件(半导体芯片)中，高效地并且可靠地选出无缺陷(合格品)的半导体元件。本发明的半导体元件的选取方法包括：在半导体衬底的有效区域内配设多个半导体元件的工序；在上述半导体衬底上，在上述有效区域外配设基准半导体元件的工序；在上述多个半导体元件以及上述基准半导体元件上形成凸块的工序；对上述有效区域内的上述多个半导体元件进行测试的工序；以上述基准半导体元件为基点，生成配置图的工序；根据上述配置图，从上述多个半导体元件中摘出在上述测试中被判断为合格品的半导体元件的工序。
半导体元件选取方法半导体器件及其制造

[发明专利]半导体装置-CN202110570493.2在审
发明人：杨智铨;徐国修 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。一种半导体装置的范例包含第一半导体堆叠以及第二半导体堆叠、虚设间隔物和栅极结构，这些堆叠位于基板上方，其中各第一半导体堆叠与第二半导体堆叠包含层叠的且相互分开的半导体层；虚设间隔物位于第一半导体堆叠以及第二半导体堆叠之间，其中虚设间隔物接触第一半导体堆叠与第二半导体堆叠的各半导体层的第一侧壁；栅极结构环绕第一半导体堆叠与第二半导体堆叠的各半导体层的第二侧壁、顶面以及底面。
半导体装置

[发明专利]半导体器件以及用于制造半导体器件的方法-CN201310378765.4无效
发明人：中村哲一;山田敦史;石黑哲郎;小谷淳二;今西健治 -专利权人：富士通株式会社;富士通半导体股份有限公司
申请日： 2013-08-27 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。半导体器件包括：形成在衬底上的第一半导体层；形成在第一半导体层上的第二半导体层；形成在第二半导体层上的第三半导体层和第四半导体层；形成在第三半导体层上的栅电极；以及形成在第四半导体层上并接触第四半导体层的源电极和漏电极，其中第三半导体层在栅电极正下方的区域上由用于实现p型的半导体材料形成，并且第四半导体层中的硅的浓度高于第二半导体层中的硅的浓度。
半导体器件以及用于制造方法

[发明专利]用于集成封装件的半导体晶圆-CN201610525328.4在审
发明人：李正德;喻中一;刘人诚;黄冠杰;杜友伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-07-05 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种示例性半导体晶圆包括具有第一掺杂浓度的底部半导体层、位于底部半导体层上方的中间半导体层和位于中间半导体层上方的顶部半导体层。中间半导体层具有大于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度，并且顶部半导体层具有小于第二掺杂浓度的第三掺杂浓度。底部半导体层的横向表面是半导体晶圆的外表面，并且底部半导体层、中间半导体层和顶部半导体层的侧壁基本对齐。本发明实施例涉及用于集成封装件的半导体晶圆。
用于集成封装半导体

[发明专利]半导体封装件及其制造方法-CN201910730049.5在审
发明人：金孝恩;金知晃;杨志善;延承勋;赵汊济;韩相旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-08 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本公开提供了半导体封装件及其制造方法。一种半导体封装件，包括：第一半导体芯片；第二半导体芯片，其位于第一半导体芯片上；第一半导体结构和第二半导体结构，其位于第一半导体芯片上并且在第二半导体芯片上彼此间隔开；以及含树脂构件，其插入在第二半导体芯片和第一半导体结构之间，并插入在第二半导体芯片和第二半导体结构之间。半导体封装件可以在晶片级制造。
半导体封装及其制造方法