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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]边缘端接区-CN201110230833.3有效
发明人：史蒂文·T·皮克;菲尔·鲁特 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2011-08-12 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：在具有深沟槽(20、34)边缘端接区(2)和中心区(4)之间形成隔离区(14)。隔离区包括从边缘栅极沟槽区(28)延伸至中心区(4)中的栅极沟槽(6)的栅极指状物(18)，以将边缘栅极沟槽区与中心区中的栅极沟槽(6)电连接。隔离区也包括从边缘端接区朝着中心区(4)延伸的隔离指状物(22、24)以及栅极指状物(18)之间的栅极，用于利用RESURF效应减小击穿电压。
边缘端接

[发明专利]显示面板、显示模组和电子设备-CN202310064196.X在审
发明人：赵占强;郭升;马志丽 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2023-01-13 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H10K50/84 文献下载
摘要：本申请涉及发光显示领域，具体涉及一种显示面板、显示模组和电子设备，该显示面板包括显示区和被显示区包围的非显示区，非显示区包括边缘区和多个挖孔区，多个挖孔区间隔排布，边缘区包括第一边缘区和第二边缘区，第一边缘区包围多个挖孔区，第二边缘区包围第一边缘区，第一边缘区设置有挡墙，挡墙隔开挖孔区与第一边缘区，且隔开第一边缘区和第二边缘区，如此，挡墙可以有效隔开第一边缘区和第二边缘区，以及隔开第一边缘区与挖孔区，避免封装油墨从第二边缘区到达挖孔区，以及从挖孔区流出，降低了油墨溢流的风险，提高了显示面板的稳定性。
显示面板模组电子设备

[发明专利]双极性晶体管-CN202210338017.2在审
发明人：卓升;潘贞维 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开一种双极性晶体管，其主要包含一射极区、一基极区以及一集极区，其中射极区的边缘切齐基极区的边缘。此外，基极区的边缘切齐集极区的边缘，射极区的边缘同时切齐基极区与集极区的边缘且射极区的边缘宽度等于基极区的边缘宽度。另外依据双极性晶体管的一俯视角，基极区与集极区各包含矩形。
极性晶体管

[发明专利]双极性晶体管-CN201710311951.4有效
发明人：卓升;潘贞维 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明公开一种双极性晶体管，其主要包含一射极区、一基极区以及一集极区，其中射极区的边缘切齐基极区的边缘。此外，基极区的边缘切齐集极区的边缘，射极区的边缘同时切齐基极区与集极区的边缘且射极区的边缘宽度等于基极区的边缘宽度。另外依据双极性晶体管的一俯视角，基极区与集极区各包含矩形。
极性晶体管

[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置-CN202011480791.4有效
发明人：崔贤植;梁蓬霞;方正;石戈;杨松;李鸿鹏;孙艳六;韩佳慧 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：阵列基板包括基底和设置于基底上的多条扫描信号线和多条数据信号线以及像素单元，像素单元包括板状电极和设置于板状电极远离基底一侧的狭缝电极，狭缝电极包括在第一方向上设置的第一边缘区和第二边缘区，以及在第二方向上设置的第三边缘区和第四边缘区，第一边缘区、第二边缘区、第三边缘区和第四边缘区围成狭缝区，狭缝区包括端部邻近第一边缘区的第一狭缝和端部邻近第二边缘区的第二狭缝，第一狭缝贯通第一边缘区或者第二狭缝贯通第二边缘区。本文通过破坏第一边缘区和第二边缘区形成的对称电场，避免了产生disclination线。
阵列及其制备方法显示装置

[发明专利]一种显示面板及其制作方法和显示装置-CN201910691369.4有效
发明人：梁洁;李灏;窦宇 -专利权人：云谷（固安）科技有限公司
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示面板及其制作方法和显示装置，其中显示面板划分为显示区和围绕显示区的非显示区，显示区包括边缘区域和非边缘区域，显示区的边缘区域与非显示区相接并围绕非边缘区域；显示面板包括光取出层，光取出层在显示区边缘区域的厚度大于在显示区非边缘区域的厚度，可以使得在显示区的边缘区域光取出效率较高，而在显示区的非边缘区域，光取出效率相对较低，进而通过增大光取出层在显示区边缘区域的厚度来增强显示区边缘区域的出光，使得边缘区域的亮度增大，进而缩小非边缘区域和边缘区域的亮度差值，使得显示面板边缘区域的亮度与非边缘区域的亮度趋于一致，提升显示面板的显示均一性，进而提高显示效果。
一种显示面板及其制作方法显示装置

[实用新型]双位式软包锂电池存储吸塑盒-CN201621153937.3有效
发明人：王效松;蔡园清;王瑛;赵成龙;薛嘉渔;高洪森 -专利权人：山东玉皇新能源科技有限公司
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： B65D1/36 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种锂电池储存盒，特别涉及一种双位式软包锂电池储存吸塑盒，包括壳体，所述壳体包括长边缘槽区、宽边缘槽区、电池槽区和极耳槽区；所述长边缘槽区包括第一长边缘槽区和第二长边缘槽区，所述第一长边缘槽区和第二长边缘槽区分别设置于壳体的两长边上，且第一长边缘槽区和第二长边缘槽区上的凹槽呈不对称分布；所述宽边缘槽区包括第一宽边缘槽区和第二宽边缘槽区，所述第一宽边缘槽区和第二宽边缘槽区分别设置于壳体的两短边上，且第一宽边缘槽区和第二宽边缘槽区呈上的凹槽不对称分布
双位式软包锂电池存储吸塑盒

[发明专利]显示面板和显示装置-CN201810043591.9有效
发明人：韩甲伟;王臣;李小和 -专利权人：天马微电子股份有限公司
申请日： 2018-01-17 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： G09F9/302 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示面板和显示装置，属于显示技术领域，包括：显示区和非显示区；显示区包括至少一段异形边缘，显示区包括异形边缘区；在异形边缘区以外的显示区中，栅极线沿第一方向延伸，数据线沿第二方向延伸；异形边缘的延伸方向分别与第一方向和第二方向相交；显示区包括多个像素，多个像素包括多个常规像素和多个异形边缘像素，异形边缘像素位于异形边缘区，常规像素位于所述异形边缘区以外；单个异形边缘像素的面积大于单个常规像素的面积；异形边缘区包括至少两个异形边缘像素行；常规像素的透光区面积为S1；任一异形边缘像素的透光区面积为S2；其中，80％*S1≤S2≤120％*S1。相对于现有技术，可以改善显示区在异形边缘处边缘较暗的现象。
显示面板显示装置

[发明专利]半导体器件及其结边缘区-CN201910184895.1在审
发明人：杜文芳 -专利权人：南京芯舟科技有限公司
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本申请是一种半导体器件及其结边缘区，所述结边缘区包括一个以上的环单元，所述环单元包括半导体衬底，所述半导体衬底上设置多数个槽，每一槽底对应设置与所述半导体衬底相异导电类型的浮空区。所述多数个槽内部设置导电材料，通过第一绝缘介质而与所述半导体衬底及所述浮空区相隔离。所述半导体衬底表面设置第二绝缘介质，其覆盖、邻接或邻近所述第一绝缘介质。
半导体器件及其边缘

[发明专利]改善有源区边缘缺陷的方法-CN200910055776.2有效
发明人：黄玉玲 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-07-31 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提出一种改善有源区边缘缺陷的方法，包括：提供依次形成有垫氧化层和腐蚀阻挡层的半导体衬底；刻蚀腐蚀阻挡层和垫氧化层至露出半导体衬底，定义出有源区，所述有源区边缘的半导体衬底内包含有缺陷；对腐蚀阻挡层进行酸蚀，露出有源区边缘半导体衬底内的缺陷；氧化有源区之间的半导体衬底，形成隔离区。本发明避免了有源区边缘的管道状缺陷的形成，而不会产生较长的“鸟嘴”、晶圆可靠性测试(WAT)偏移等问题。
改善有源边缘缺陷方法

[发明专利]半导体器件及其结边缘区-CN201910724064.9有效
发明人：杜文芳 -专利权人：南京芯舟科技有限公司
申请日： 2019-08-07 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请是一种半导体器件及其结边缘区，所述结边缘区包括同导体类型叠层结构的半导体衬底及其上方的外延层，半导体衬底及外延层之间设有多数个间隔设置有浮空区，外延层邻接有源区部位的表面设有过渡区，半导体衬底另设有半导体区本申请将浮空区埋于所述半导体器件中，以分散外加电压降低电场集中之外，较能避免表面电荷改变了结边缘的电场分布而导致击穿电压的改变，进而提升器件的可靠性和一致性。
半导体器件及其边缘

[发明专利]北部边缘区冬季油茶栽植方法-CN201810259189.4有效
发明人：卜付军;邱林;鄢洪星;申明海;张玉虎;张建设;班龙海;江原猛;张英姿;周传涛;王晓云;闫创新;曾鸣 -专利权人：信阳市林业科学研究所
申请日： 2018-03-27 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： A01G17/00 文献下载
摘要：本发明公开北部边缘区冬季油茶栽植方法，包括如下步骤：(1)起苗前一周喷施抗寒剂；(2)起苗后根部沾抗寒浆并用塑料膜包裹油茶苗根部，放置1‑2天；(3)开挖种植穴；(4)在种植穴内铺设抗寒层；(5)在种植穴内铺设抗寒肥料层
北部边缘冬季油茶栽植方法

[发明专利]边缘区弹性不同的层叠构件-CN96190048.2无效
发明人： W·温默 -专利权人：伊索沃尔塔奥地利绝缘材料厂股份公司
申请日： 1996-01-19 - 公布日： 2002-01-02 - 主分类号： B32B3/02 文献下载
摘要：介绍了一种层叠构件（1），它主要由一种用高弹性纤维增强的合成树脂基体构成，它含有a）一个可由多个叠置和互相热压在一起并时效硬化的合成树脂纤维增强的预浸渍体制成的、弯曲弹性模量为10000—40000MPa的层叠制品区（3、4），b）在层叠制品区的至少两个互相对置的边缘所设的由软弹性材料制成的端子板（5、6），它们与层叠制品区相应的边缘平面连接，以及，c)必要时在层叠制品一个侧面的装饰面层（2）。
边缘弹性不同层叠构件

[实用新型]半导体器件及其结边缘区-CN201922343333.5有效
发明人：杜文芳 -专利权人：南京芯舟科技有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请是一种半导体器件及其结边缘区，结边缘区包括同导体类型叠层结构的半导体衬底及其上方的外延层，结边缘区包括一个以上的环单元，其包括在外延层上设置的多数个槽，邻接槽底的第一浮空区，及半导体衬底与外延层之间的第二浮空区每一个槽内部设置双层的屏蔽多晶硅与栅极多晶硅，通过第一绝缘介质相互隔离，并与半导体衬底及浮空区相隔离。半导体衬底表面设置第二绝缘介质，其覆盖、邻接或邻近第一绝缘介质。第一、二金属层分别设置于结边缘区的上、下两端，第一金属层通过第二绝缘介质上的开口而接触所述栅极多晶硅。
半导体器件及其边缘

[实用新型]半导体器件及其结边缘区-CN201922344952.6有效
发明人：杜文芳 -专利权人：南京芯舟科技有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请是一种半导体器件及其结边缘区，所述结边缘区包括同导体类型叠层结构的半导体衬底及其上方的外延层，所述结边缘区包括一个以上的环单元，其包括在外延层上设置的多数个槽，邻接槽底的第一浮空区，及半导体衬底与外延层之间的第二浮空区所述多数个槽内部设置导电材料，通过第一绝缘介质而与所述半导体衬底及所述浮空区相隔离。所述半导体衬底表面设置第二绝缘介质，其覆盖、邻接或邻近所述第一绝缘介质。
半导体器件及其边缘

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