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[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201510195898.7在审
发明人：伊牧 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2015-04-23 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包含第一半导体层、绝缘栅结构、第一半导体区、第二半导体区及轻掺杂半导体区。绝缘栅结构形成于沟槽形态中，此沟槽形态嵌入第一半导体层中。第一半导体区、第二半导体区及轻掺杂半导体区形成于第一半导体层中。第二半导体区接触第一半导体区及绝缘栅结构。第二半导体区形成于轻掺杂半导体区上，轻掺杂半导体区形成于第一半导体区及绝缘栅结构之间，且轻掺杂半导体区接触第一半导体区及绝缘栅结构。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]晶闸管和用于制造晶闸管的方法-CN201711347764.8在审
发明人：伯恩哈德·柯尼希;保罗·施特罗贝尔 -专利权人：赛米控电子股份有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L29/745 文献下载
摘要：该晶闸管具有半导体本体，半导体本体具有第一导体类型的第一半导体区，半导体本体具有第二导体类型且与第一半导体区的内侧接触并延伸到半导体本体边缘的第二半导体区，半导体本体具有在第二半导体区上布置的第一导体类型的第三半导体区和在第三半导体区中布置的第二导体类型的第四半导体区，半导体本体具有第二导体类型且被布置在半导体本体的边缘区中的第二半导体区上的第五半导体区，第五半导体区的第一外表面构成第二半导体本体主侧的区，第五半导体区与半导体本体边缘平行布置，半导体本体包含第一凹槽，其源自第二半导体本体主侧的第一表面，平行于半导体本体边缘伸展并延伸到第二半导体区。
半导体本体半导体区导体类型晶闸管第一表面平行布置边缘区延伸平行伸展制造

[发明专利]包括半导体本体的二极管-CN201910455223.X在审
发明人： B·科尼尔;P·斯托贝尔 -专利权人：赛米控电子股份有限公司
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及包括半导体本体的二极管，半导体本体具有第一和第二半导体本体主侧面，半导体本体具有：第一半导体区；第二半导体区，其在半导体本体的内部区域中布置在第一半导体区上且不延伸远至半导体本体的半导体本体边缘；第三半导体区，其布置在第二半导体区上且具有比第二半导体区更高的掺杂浓度；第四半导体区，其在半导体本体边缘区域中布置在第一半导体区上且从第二半导体区在朝向半导体本体边缘的方向上延伸远至半导体本体边缘。半导体本体具有从形成第二半导体本体主侧表面区域的第三半导体区的平面外表面开始并且到达远至半导体本体边缘的切口，其沿着半导体本体边缘延伸，第二、第三和第四半导体区具有界定切口的相应的外部界面。
半导体本体半导体区平面外表面边缘区域边缘延伸内部区域主侧表面二极管主侧面界定延伸掺杂外部

[发明专利]包含绝缘体上半导体区和主体区的半导体结构及形成方法-CN201310566556.2有效
发明人： S·弗莱克豪斯基;M·凯斯勒;J·亨治尔 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种包含绝缘体上半导体区和主体区的半导体结构及形成方法，该结构包含半导体衬底、绝缘体上半导体区以及主体区。该绝缘体上半导体区包含第一半导体区、设于该半导体衬底与该第一半导体区之间的电介质层、以及包含设于该第一半导体区中的有源区的第一晶体管。该电介质层提供该第一半导体区与该半导体衬底之间的电气隔离。该主体区包含直接设于该半导体衬底上的第二半导体区。
包含绝缘体上半导体主体半导体结构形成方法

[发明专利]具有半导体本体的晶闸管-CN201711351368.2有效
发明人：伯恩哈德·柯尼希;保罗·施特罗贝尔 -专利权人：赛米控电子股份有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有半导体本体的晶闸管，晶闸管具有第一半导体本体主侧、第二半导体本体主侧及围绕半导体本体并连接第一和第二半导体本体主侧的半导体本体边缘，半导体本体具有：第一半导体区，第一半导体区在半导体本体边缘区域中延伸直到第二半导体本体主侧，第一半导体区的第二外表面形成半导体本体边缘，第一半导体区的邻接半导体本体边缘的第三外表面形成第二半导体本体主侧的第一表面区域；布置在第一半导体区上并且不延伸到半导体本体边缘的第二半导体区；布置在第二半导体区上的第三半导体区和布置在第三半导体区中的第四半导体区；从第二半导体本体主侧的第一表面出现且平行于半导体本体边缘伸展并到达第二半导体区的凹部。
具有半导体本体晶闸管

[发明专利]可用高栅极电压操作的高电压晶体管-CN201610042535.4有效
发明人： A.莫德;H-J.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2016-01-22 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提出一种半导体器件。半导体器件包括第一负载接点、第二负载接点和位于第一负载接点与第二负载接点之间的半导体区。半导体区包括：第一半导体接触区，第一半导体接触区与第一负载接点接触；第二半导体接触区，第二半导体接触区与第二负载接点接触；半导体漂移区，半导体漂移区位于第一半导体接触区与第二半导体接触区之间并且用第一导电性类型的第一掺杂剂掺杂，其中半导体漂移区将第一半导体接触区耦合到第二半导体接触区。半导体器件还包括：沿着从第一半导体接触区指向第二半导体区的延伸方向延伸到半导体区中的沟槽，沟槽包括控制电极和绝缘体，绝缘体使控制电极从半导体区绝缘。
可用栅极电压操作晶体管

[发明专利]包括第一和第二半导体材料的半导体器件-CN201210279823.3有效
发明人：弗朗茨·约瑟夫·尼德尔诺什特海德;汉斯-约阿希姆·舒尔茨;斯特凡·福斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2012-08-07 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括具有第一半导体材料的第一半导体区。半导体器件进一步包括与第一半导体区邻接的第二半导体区。第二半导体区包括不同于第一半导体材料的第二半导体材料。半导体器件进一步包括第一半导体区中的漂移或基极区。半导体器件进一步包括第二半导体区中的发射极区。第二半导体区包括至少一种深能级掺杂剂。该至少一种深能级掺杂剂的溶解度在第二半导体区高于第一半导体区。
包括第一第二半导体材料半导体器件

[发明专利]具有半导体本体的晶闸管-CN201811509621.7在审
发明人：保罗·施特罗贝尔 -专利权人：赛米控电子股份有限公司
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及具有半导体本体的晶闸管，半导体本体具有第一传导类型的第一半导体区、布置在第一半导体区上的第二传导类型的第二半导体区、布置在第二半导体区上的第一传导类型的第三半导体区和布置在第三半导体区中的第二传导类型的第四半导体区，第四半导体区与半导体本体的半导体本体边缘间隔开布置并且具有第一面，第一面构造出半导体本体的第二半导体本体主侧的第一区域，第三半导体区具有穿过第四半导体区伸展直至第二半导体本体主侧的引脚，晶闸管包括布置在第四半导体区和引脚上的并且具有与第四半导体区和引脚的导电接触部的第一金属化部，第四半导体区沿垂直于第一面的法向方向的方向朝向半导体本体边缘的方向伸展超出第一金属化部。
半导体区半导体本体传导类型晶闸管引脚金属化部伸展导电接触部边缘间隔第一区域面构造法向垂直穿过

[发明专利]半导体器件-CN200580000611.5无效
发明人：岩渊昭夫;相泽和也 -专利权人：三垦电气株式会社
申请日： 2005-02-25 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：P－型半导体衬底(15)；在P－型半导体衬底(15)上形成的N型半导体区(21)；在N型半导体区(21)的表面区域形成、且与接地电极(1)电连接的上侧P型半导体区(13)；在上侧P型半导体区(13)之下形成的下侧P型半导体区(14)；与漏电极(2)电连接的第1N⁺型半导体区(22)；起沟道形成区作用的P型半导体区(19)；与背栅电极(5)电连接的P⁺型半导体区(12)；与源电极(4)电连接的第2 N⁺型半导体区(23)；以及P型半导体区(19)上的栅电极(3)和栅绝缘膜(31)；下侧P型半导体区(14)延伸到第1N⁺型半导体区(22)侧。
半导体器件

[实用新型]半导体器件-CN201320426298.3有效
发明人：伊藤明 -专利权人：美国博通公司
申请日： 2013-07-17 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：源区，被布置于半导体衬底；漏区，被布置于半导体衬底；栅区，被布置到半导体衬底上，并位于源区和漏区之间。半导体器件还包括：栅氧区，被布置到半导体衬底上，与栅区接触；以及阱区，被植入到半导体衬底上并位于栅区和栅氧区下面。栅氧区具有与阱区接触的下外沿部分。该半导体器件可以是低阈值电压金属氧化物半导体。
半导体器件

[发明专利]槽型半导体功率器件-CN201010610944.2无效
发明人：罗小蓉;姚国亮;雷天飞;王元刚;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2010-12-29 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件，该器件包括半导体衬底，所述半导体衬底上是半导体漂移区，所述半导体漂移区包括第一导电类型的半导体区和第二导电类型的半导体区，所述第一导电类型的半导体区和所述第二导电类型的半导体区形成超结结构所述半导体衬底上是高K介质，所述高K介质与所述第二导电类型的半导体区相邻。所述半导体漂移区上是有源区。所述高K介质上是槽栅结构，所述槽栅结构与所述有源区相邻。其中，所述第二导电类型的半导体区通过小倾角离子注入形成，因此宽度窄且浓度高。
半导体功率器件

[发明专利]混合式垂直功率器件、制备方法及电子设备-CN202210286889.9在审
发明人：曾健忠 -专利权人：天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请属于半导体器件技术领域，提供了一种混合式垂直功率器件、制备方法及电子设备，混合式垂直功率器件包括漂移层、第一半导体区、第一隔离区、第二半导体区、第一掺杂半导体柱、第二掺杂半导体柱、功函数金属、介电层、第三半导体区、第四半导体区，其中，第一半导体区、第一隔离区、第二半导体区依序形成于漂移层的下表面，介电层的上表面形成第三半导体区和第四半导体区，第三半导体区通过第一掺杂半导体柱与第一漂移区连接，第四半导体区通过第二掺杂半导体柱与第二漂移区连接
混合式垂直功率器件制备方法电子设备

[发明专利]固态图像传感器、制造固态图像传感器的方法和照相机-CN201110410224.6有效
发明人：篠原真人 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2011-12-12 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：固态图像传感器包括：第一导电类型的第一半导体区；第二导电类型的第二半导体区，所述第二半导体区被布置为与第一半导体区的底面接触并且用作电荷蓄积区域；第三半导体区，所述第三半导体区包括由第二半导体区包围的侧面；与第二半导体区分隔地布置的第二导电类型的第四半导体区；以及传递栅极，所述传递栅极用于形成用于将第二半导体区中蓄积的电荷传递到第四半导体区的沟道。第三半导体区是第一导电类型的半导体区和杂质浓度比第二半导体区中的杂质浓度低的第二导电类型的半导体区中的一个。
固态图像传感器制造方法照相机

[发明专利]半导体部件及其制造方法-CN03824815.8有效
发明人：维舒努·赫姆卡;维嘉·帕撒萨拉丝;朱荣华;阿米塔瓦·博斯 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2003-09-23 - 公布日： 2005-11-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体部件包括一RESURF晶体管(100，200，300，400，500)，该晶体管包括具有第一导电类型的第一半导体区(110，210，310，410，510)和位于第一半导体区上面并具有第二导电类型的电浮动半导体区RESURF晶体管进一步包括位于电浮动半导体区上面并具有第一导电类型的第二半导体区(120，220，320，420，520)，位于第二半导体区上面并具有第一导电类型的第三半导体区(130，230)，和第二半导体区上面并具有第二导电类型的第四半导体区在一个特定实施例中，当在第三半导体区和第四半导体区之间施加反向偏压时，第四半导体区和电浮动半导体区使第二半导体区耗尽。
半导体部件及其制造方法

[发明专利]半导体装置和用于制造半导体装置的方法-CN201210549401.3无效
发明人：石塚刚;田代浩子 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2012-12-17 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体装置和用于制造半导体装置的方法。该半导体装置包括电容器，该电容器包括：第一导电型的第一半导体区；布置在第一半导体区上的、第一导电型的第二半导体区，第二半导体区具有比第一半导体区更高的第一导电型杂质浓度；布置在第二半导体区上的、第一导电型的第三半导体区，第三半导体区包括接触区并且具有比第二半导体区更高的第一导电型杂质浓度；布置在第三半导体区上的介电膜；以及在接触区旁的、布置在介电膜上的上电极。
半导体装置用于制造方法

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