[发明专利]硅环在审
| 申请号： | 201511026767.2 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN105632990A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 刘同玉;严超逸 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01J37/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅环 | ||
【说明书】：
技术领域
本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种干法刻蚀工艺中使用的硅环。
背景技术
干法刻蚀，在半导体生产中，是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。干法刻蚀 的主要目的是完整地把掩膜图形复制到晶圆表面，干法刻蚀相比于湿法刻蚀优点在于： 1.刻蚀剖面是各向异性，具有非常好的侧壁剖面控制。2.好的CD控制。3.最小的光刻 胶脱落或粘附问题。4.好的片内、片间、批次间的刻蚀均匀性。5.晶圆不需要液体化学 品或冲洗，较低的化学制品使用和处理费用。
在干法刻蚀中使用硅环(SiliconInsertRing)来承载晶圆，传统的硅环在俯视 平面上呈中心镂空的圆环状，其环体的横截面环体内侧与外侧具有不同的厚度，使得环 体上具有两级台阶，内侧环体的厚度小于外侧环体的厚度，晶圆放在内侧环体的台阶上， 而厚度较大的外侧环体利用台阶对晶圆形成固定。如图1及图2所示，分别是硅环的俯 视图和承载了晶圆的横断面剖视图。由于干刻EMAX设备硅环使用至频度RF300小时后 废弃。废弃时，内侧厚度b为2.8mm,外侧a为4.4mm。因为硅环内侧晶圆没有盖住的 地方沟槽深度偏深0.8mm,容易导致晶圆作业时背压报警，所以硅环使用至RF300小时 后需要废弃，消耗较大，成本较高。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种硅环，用于在干法刻蚀时承载晶圆，其具有 较长的使用时间。
为解决上述问题，本发明提供一种硅环，在俯视平面上呈中心镂空的圆环状，其环 体的横截面环体内侧与外侧具有不同的厚度，使得环体上具有两级台阶，环体靠内侧的 厚度小于外侧的环体厚度，晶圆放在内侧环体的台阶上，而厚度较大的外侧环体对晶圆 形成固定。
所述的环体横截面呈横放的“凸”字形，从中心线上两侧对称，环体的正反两面均 能承载晶圆。
所述硅环的直径依所需承载的晶圆大小而定，根据所需承载晶圆的直径确定环体内 外直径。
所述硅环的内侧厚度为2.6mm。
所述硅环的外侧厚度为5.2mm。
本发明所述的硅环，利用正反对称的结构，改变传统的硅环单边使用模式为正反两 面均能使用的双边模式，在正面消耗近废弃时再翻转使用反面，达到两倍的使用时间， 有效节约了成本。
附图说明
图1是传统硅环的俯视图。
图2是传统硅环的横截面剖视图。
图3是本发明硅环的横截面剖视图。
具体实施方式
本发明提供一种硅环，用于承载晶圆，在俯视平面上呈中心镂空的圆环状，其环体 的横截面环体内侧与外侧具有不同的厚度，使得环体上具有两级台阶，环体靠内侧的厚 度小于外侧的环体厚度，晶圆放在内侧环体的台阶上，而厚度较大的外侧环体利用台阶 对放置于内侧环体上的晶圆形成固定。所述硅环的直径依所需承载的晶圆大小而定，根 据所需承载晶圆的直径确定环体内外直径。
如图3所示，所述的环体横截面呈横放的“凸”字形，从中心线上两侧对称，环体 的正反两面均能承载晶圆。所述硅环的内侧厚度b为2.6mm，硅环的外侧厚度a为5.2mm。 将硅环设计成双边模式，在保持整体厚度不变的情况下，当使用RF300小时时，内测厚 度b为1.8mm,外侧a为4.4mm。硅环内测晶圆没有盖住的地方沟槽深度偏深0.8mm,这 时可以将硅环翻面使用，可以继续再使用RF300小时后再废弃，此时新的硅环内测厚度 b为1mm,外侧厚度a为3.6mm。充分提高硅环的使用效率，将使用寿命提高一倍，达到 至频度RF600小时。
本发明所述的硅环，利用正反对称的结构，改变传统的硅环单边使用模式为正反两 面均能使用的双边模式，在正面消耗近废弃时再翻转使用反面，达到两倍的使用时间， 有效节约了成本。以每个月硅环使用量10个为例，每个成本4174元人民币，一个月的 使用成本是41740元,每年的成本约为50万元。而本发明的硅环可以将每个月硅环的 使用量减半，每年节约成本25万元。
以上仅为本发明的优选实施例，并不用于限定本发明。对于本领域的技术人员来说， 本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同 替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
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- 2019-04-24 - 2019-10-29 - H01L21/683
- 本实用新型提供了一种芯片粘接机构，涉及芯片封装的技术领域。其包括机架，沿竖直方向由上至下依次设置于所述机架上的芯片供料组件，抓取组件，以及基板供料组件，所述抓取组件包括转动设置于所述机架上的安装板，用于驱动所述安装板转动的第一电机，两个分别沿相反方向滑移连接于所述安装板上的吸料件，以及用于驱动两个所述吸料件同步运动的驱动件，所述驱动件包括沿垂直于所述吸料件运动方向滑移连接于所述安装板上的楔形块，以及与所述楔形块连接的驱动缸，两个所述吸料件分别滑移连接于所述楔形块两侧壁。本实用新型具有无需安装抓取头即可将芯片粘接较为准确的有益效果。
- 静电卡盘、基板处理装置以及基板保持方法-201910293463.4
- 佐佐木康晴 - 东京毅力科创株式会社
- 2019-04-12 - 2019-10-25 - H01L21/683
- 本发明提供静电卡盘、基板处理装置以及基板保持方法，在具有翘曲的基板被支承台保持的情况下提高基板与静电卡盘的密合性。一个实施方式所涉及的静电卡盘具备用于产生对基板进行吸附的静电力的多个电极以及用于载置基板的表面，多个电极的各个电极配置于沿径向和周向划分出的多个区域的各个区域。一个实施方式所涉及的基板处理装置具备：静电卡盘，其具备多个电极和用于载置基板的表面；以及控制装置，其控制对多个电极的各个电极施加直流电压的定时，其中，多个电极的各个电极通过被施加直流电压来产生用于对基板进行吸附的静电力，多个电极的各个电极配置于沿径向和周向划分出的多个区域的各个区域。
- 微发光二极管的转移设备及转移方法-201710369880.3
- 卢马才;姚江波 - 深圳市华星光电技术有限公司
- 2017-05-23 - 2019-10-25 - H01L21/683
- 本发明提供一种微发光二极管的转移设备及转移方法。所述微发光二极管的转移设备包括：本体、设于所述本体上的吐液模块、冷却模块和加热模块，可通过吐液模块向待转移的微发光二极管吐出金属粘附液，通过冷却模块冷却待转移的微发光二极管上的金属粘附液，使得金属粘附液固化，将本体和待转移的微发光二极管粘结到一起进行微发光二极管的转移，转移到位后通过加热模块加热固化后的金属粘附液，使得金属粘附液熔化，分离本体和待转移的微发光二极管，能够降低微发光二极管的转移难度，提升微发光二极管的转移效率。
- 一种自动吸收压缩余量的固晶摆臂组件-201920240015.3
- 邓朝旭 - 深圳市朝阳光科技有限公司
- 2019-02-25 - 2019-10-25 - H01L21/683
- 本实用新型涉及一种自动吸收压缩余量的固晶摆臂组件，包括伺服马达、马达座、旋转座、左摆臂、右摆臂、左摆臂挡板、右摆臂挡板、摆臂弹片、限位螺栓、拉紧螺栓和弹簧，所述伺服马达固定在马达座上，所述伺服马达带动旋转座旋转，所述左摆臂挡板和右摆臂挡板固定设置在旋转座上，所述左摆臂和右摆臂的下端通过摆臂弹片固定在旋转座上，左摆臂的上部通过限位螺栓和拉紧螺栓与左摆臂挡板活动固定，右摆臂的上部通过限位螺栓和拉紧螺栓与右摆臂挡板活动固定。由于设置了摆臂弹片，使固晶摆臂部分具有一定的弹性，采用弹性连接方式来自动吸收压缩余量，因此可以有效防止产品刮伤及吸嘴的磨损，既能提升产品良率，也能延长零件使用寿命，降低成本。
- 保护片配设方法-201910260341.5
- 森俊;右山芳国;谷山优太;生岛充;波冈伸一;齐藤诚;河村慧美子;柿沼良典;椙浦一辉 - 株式会社迪思科
- 2019-04-02 - 2019-10-22 - H01L21/683
- 提供保护片配设方法。该方法包含：第一保护片准备工序，准备第一保护片；保护片粘贴工序，将晶片定位于框架的开口部，在外周剩余区域和框架上粘贴第一保护片；盒收纳工序，将配设于框架的晶片收纳在盒中；第一台载置工序，将晶片从盒中搬出而载置于第一台上；敷设工序，在第二台上敷设不具有粘接层的第二保护片；液态树脂滴加工序，将晶片从第一台搬出并使第一保护片与第二保护片面对，对第二保护片的与晶片的中央对应的区域滴加液态树脂；一体化工序，隔着第一保护片将晶片向液态树脂按压，利用第二、第一保护片将液态树脂推开至与晶片对应的整个面而将第一保护片粘贴于第二保护片并一体化；和切断工序，沿着晶片的外周将第一、第二保护片切断。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
