[发明专利]吸嘴装置在审
| 申请号： | 201910752868.X | 申请日： | 2019-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN110391169A | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 何玉平;刘建强;肖康;杨祖洪;曾永强 | 申请（专利权）人： | 业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;英特盛科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 成都希盛知识产权代理有限公司 51226 | 代理人： | 杨冬梅;张行知 |
| 地址： | 611730 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明系揭露一种吸嘴装置，其系包含一吸嘴本体与一中空吸杆。吸嘴本体具有一贯穿自身的吸孔，中空吸杆具有复数个贯穿自身的通孔，中空吸杆设于吸孔中，以连通所有通孔与吸孔，中空吸杆的底部位于吸孔的底部的正上方。本发明利用中空吸杆作为支撑结构，当吸嘴本体吸取薄膜时，起到承载作用，防止薄膜进一步形变。 | ||
| 搜索关键词： | 中空吸杆 吸孔 吸嘴本体 吸嘴装置 通孔 薄膜 支撑结构 形变 贯穿 复数 空吸 连通 承载 | ||
【主权项】：
1.一种吸嘴装置，其特征在于，包含：一吸嘴本体，具有一贯穿自身的吸孔；以及一中空吸杆，具有复数个贯穿自身的通孔，该中空吸杆设于该吸孔中，以连通该些通孔与该吸孔，该中空吸杆的底部位于该吸孔的底部的正上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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