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[发明专利]晶片转移方法和晶片转移装置-CN202310113582.3在审
发明人：椙浦一辉;森俊;柿沼良典;细野哲也;天野薰 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供晶片转移方法和晶片转移装置，在不切断粘接带的情况下进行换贴而安全地转移晶片。该晶片转移方法将包含第1环状框架、第1粘接带和晶片的第1工件单元的该晶片转移至第2粘接带而形成第2工件单元，其中，该晶片转移方法具有如下的步骤：环状框架配设步骤，利用该第1环状框架和第2环状框架夹持爪体，由此使该第2环状框架按照不接触该第1环状框架的方式与该第1环状框架重叠；粘贴步骤，在该晶片的未粘贴于该第1粘接带的面上粘贴该第2粘接带，利用该第2环状框架借助该第2粘接带而保持该晶片；以及剥离步骤，从该晶片剥离该第1粘接带，并且从该第1环状框架剥离该第1粘接带。
晶片转移方法装置

[发明专利]加工装置-CN202211237400.5在审
发明人：森俊;柿沼良典;柳琮铉;生岛充;齐藤诚;增田洋平;内保贵;斋藤良信 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供加工装置，其能够自动地进行使晶片与环状框架借助带而成为一体的作业。加工装置包含：对晶片进行支承的晶片台；对环状框架进行支承的框架台；具有将带压接于环状框架的第一压接辊的第一带压接单元；以及具有将有带环状框架的带压接于晶片的正面或背面的第二压接辊的第二带压接单元。在框架台和第一压接辊中的任意一方或双方中配设有第一加热单元，并且在晶片台和第二压接辊中的任意一方或双方中配设有第二加热单元。
加工装置

[发明专利]加工装置-CN202210156484.3在审
发明人：柿沼良典;森俊;斋藤良信 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供加工装置，其容易将晶片的倒角部去除，并且容易借助划片带将晶片配设于环状框架。加工装置包含：晶片搬出单元；晶片台，其对所搬出的晶片进行支承；框架搬出单元；框架台，其对所搬出的环状框架进行支承；带粘贴单元，其将带粘贴于框架；有带框架搬送单元；带压接单元，其将有带框架的带压接于晶片的背面上；框架单元搬出单元；以及倒角部去除单元，其从框架单元的晶片将形成于外周剩余区域的倒角部呈环状切断并去除。
加工装置

[发明专利]保持机构-CN202111121460.6在审
发明人：斋藤良信;柿沼良典;森俊 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明提供保持机构，其即使未充分精密地进行环状框架的定位也能够可靠地对环状框架进行保持。保持机构包含：晶片保持部，其对晶片进行吸引保持；以及框架支承部，其配设于晶片保持部的外周，对框架进行支承。框架支承部包含永久磁铁。
保持机构

[发明专利]加工装置-CN202110784478.8在审
发明人：增田幸容;吉川敏行;土屋利夫;竹中将信;本乡智之;森俊;柿沼良典;斋藤良信;柳琮铉;右山芳国;内保贵;黑泽亮辅 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供加工装置，其容易进行在背面形成有加强部的晶片的背面上粘贴带而使晶片与框架成为一体的作业，将加强部切断而从晶片去除。加工装置包含：晶片搬出机构，其将晶片搬出；晶片台，其支承晶片；框架搬出机构，其将框架搬出；框架台，其支承框架；带粘贴机构，其将带粘贴于框架上；有带框架搬送机构，其将有带框架搬送至晶片台；带压接机构，其将有带框架的带压接于晶片的背面上；框架单元搬出机构，其将压接了有带框架的带和晶片的背面的框架单元从晶片台搬出；加强部去除机构，其从框架单元的晶片切断并去除环状的加强部；无环单元搬出机构，其将去除了加强部的无环单元从加强部去除机构搬出；和框架盒台，其载置收纳无环单元的框架盒。
加工装置

[发明专利]晶片的处理方法和芯片测量装置-CN202010959310.1在审
发明人：森俊;小林真;梅原冲人;田村一成 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供晶片的处理方法和芯片测量装置。该晶片在正面的由交叉的多条分割预定线划分的各区域内分别形成有器件，该晶片的处理方法包含如下的步骤：晶片单元形成步骤，将带粘贴在晶片的背面上并将带的外周安装于环状框架，形成具有晶片、带和环状框架的晶片单元；分割步骤，将晶片沿着分割预定线分割而形成多个芯片(器件芯片)；拾取步骤，从晶片单元拾取芯片；和测量步骤，对通过拾取步骤而拾取的芯片进行测量。在实施拾取步骤之前，实施如下的判别步骤：分别对器件的特性进行检查而判别出良好器件和不良器件并存储判别结果。在测量步骤中，根据判别结果，在通过拾取步骤而拾取的器件芯片包含不良器件的情况下，将芯片破坏而测量抗弯强度。
晶片处理方法芯片测量装置

[发明专利]扩展片-CN201710327584.7有效
发明人：森俊;高泽徹 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：提供扩展片，将成本抑制得较低。一种扩展片(1)，其在粘贴有板状的被加工物(11)的状态下被扩展，该扩展片(1)具有：基材(3)；第1糊层(5a)，其在基材上形成在供被加工物粘贴的位置；以及第2糊层(5b)，其在基材上形成在供环状的框架(21)粘贴的位置，基材在除第1糊层和第2糊层以外的区域露出。
扩展

[发明专利]卡盘工作台-CN201910434221.2在审
发明人：森俊;波冈伸一 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2019-05-23 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：提供卡盘工作台。在销卡盘工作台中，在不容易发生热变形的材质上形成不会在车削加工中剥离的镀层。在对板状工件(W)的下表面(Wb)进行吸引保持而利用刀具工具(64)对上表面(Wa)进行车削加工的加工装置(1)中使用的卡盘工作台(30)具有：外周环状壁(300)，其利用环状的上表面(300a)对板状工件下表面的外周部分进行支承；吸引凹部(301)，其形成于外周环状壁(300)的内侧，具有比外周环状壁的上表面低的底面(301b)；吸引口(301c)，其形成于吸引凹部(301)的底面，与吸引源(36)连通；以及支承销(304)，其在底面(301b)上避开吸引口而等间隔地竖立设置有多个，支承销的上表面(304a)与外周环状壁(300)的上表面(300a)为同一高度，在外周环状壁的侧面(300c、300d)和上表面(300a)上以及支承销(304)的侧面(304c)和上表面(304a)上形成有镀层(M)。
上表面外周环状壁支承销底面车削加工吸引口下表面凹部镀层对板卡盘工作台吸引等间隔地加工装置竖立设置侧面热变形吸引源工作台销卡支承刀具连通剥离避开

[发明专利]保护片配设方法-CN201910260341.5在审
发明人：森俊;右山芳国;谷山优太;生岛充;波冈伸一;齐藤诚;河村慧美子;柿沼良典;椙浦一辉 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：提供保护片配设方法。该方法包含：第一保护片准备工序，准备第一保护片；保护片粘贴工序，将晶片定位于框架的开口部，在外周剩余区域和框架上粘贴第一保护片；盒收纳工序，将配设于框架的晶片收纳在盒中；第一台载置工序，将晶片从盒中搬出而载置于第一台上；敷设工序，在第二台上敷设不具有粘接层的第二保护片；液态树脂滴加工序，将晶片从第一台搬出并使第一保护片与第二保护片面对，对第二保护片的与晶片的中央对应的区域滴加液态树脂；一体化工序，隔着第一保护片将晶片向液态树脂按压，利用第二、第一保护片将液态树脂推开至与晶片对应的整个面而将第一保护片粘贴于第二保护片并一体化；和切断工序，沿着晶片的外周将第一、第二保护片切断。
晶片液态树脂粘贴敷设搬出外周剩余区域按压收纳滴加工序晶片定位晶片收纳切断工序一体化开口部粘接层整个面滴加外周载置推开

[发明专利]晶片生成装置-CN201810658962.4在审
发明人：饭塚健太吕;大宫直树;森俊;北野元己;平田和也;北村宏 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供晶片生成装置，能够从单晶SiC锭自动地生成SiC晶片。该晶片生成装置从单晶SiC锭生成SiC晶片，其中，该晶片生成装置包含：锭磨削组件；激光照射组件，其将对于单晶SiC锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在距离单晶SiC锭的上表面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度而对单晶SiC锭照射激光光线，形成剥离层；晶片剥离组件，其将SiC晶片从单晶SiC锭的剥离层剥离；以及搬送组件，其在锭磨削组件、激光照射组件以及晶片剥离组件之间对单晶SiC锭进行搬送。
单晶SiC 生成装置晶片激光照射晶片剥离磨削组件剥离层照射激光光线激光光线聚光点上表面透过性自动地波长剥离

[发明专利]晶片生成装置-CN201810507100.1在审
发明人：饭塚健太吕;大宫直树;森俊;山中聪;平田和也 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片生成装置，其能够由单晶SiC晶锭自动地生成SiC晶片。晶片生成装置(2)包含：保持单元(4)，其对单晶SiC晶锭(150)进行保持；平坦化单元(6)，其对保持单元(4)所保持的单晶SiC晶锭(150)的上表面进行磨削以将其平坦化；激光照射单元(8)，其将具有对于单晶SiC晶锭(150)来说为透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点(FP)定位在距离保持单元(4)所保持的单晶SiC晶锭(150)的上表面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对单晶SiC晶锭(150)照射激光光线LB，形成剥离层(170)；晶片剥离单元(10)，其对单晶SiC晶锭(150)的上表面进行保持，将SiC晶片(172)从剥离层(170)剥离；以及晶片收纳单元(12)，其收纳剥离得到的SiC晶片(172)。
单晶SiC 晶锭生成装置上表面剥离层平坦化晶片剥离激光照射单元照射激光光线激光光线晶片剥离晶片收纳距离保持收纳聚光点透过性自动地波长磨削种晶

[发明专利]加工装置-CN201710492700.0在审
发明人：森俊 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： B24B27/00 文献下载
摘要：提供加工装置，其具有卡盘工作台，其具有保持被加工物的保持面；和加工构件，其对保持在卡盘工作台上的被加工物实施加工，加工构件包括主轴；电动机，其对主轴进行旋转驱动；轮座，其与主轴的一端连结，与卡盘工作台的保持面相对；第1工具，其装卸自由地安装在轮座的被安装面上，具有第1直径；第2工具用座，其在轮座的与被安装面相反侧的背面侧按照不能旋转且能够在主轴的轴向上移动的方式安装在主轴上，第2工具用座具有收纳部和围绕收纳部的第2工具安装部，收纳部对轮座和安装在轮座上的第1工具进行收纳，第2工具安装部的内径比第1直径大；以及第2工具，其按照能够装卸的方式安装在第2工具用座上，具有比第1直径大的内径。
加工装置

[发明专利]表面加工装置-CN201510711425.8在审
发明人：森俊 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2015-10-28 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：提供表面加工装置，在对晶片实施车刀的旋削和CMP或者干法抛光的情况下提高生产率。表面加工装置(1)所具有的加工单元(30)具有：车刀加工单元(40)，其使车刀(44)以在相对于保持晶片(W)的保持单元(20)的保持面(21)垂直的方向上延伸的旋转轴(49)为轴而旋绕；研磨单元(50)，其使研磨垫(53)在位于旋绕的车刀的旋绕路径的内侧以该旋转轴为轴而旋转；进退单元(60)，其使车刀和研磨垫在相对于保持面接近及分离的方向上相对地移动。能够使车刀和研磨垫中的任意一方选择性地作用于晶片的表面(W1)而进行加工，能够利用1个装置进行车刀的旋削加工和研磨垫的研磨加工，不需要在装置间搬运晶片，生产率提高。
表面加工装置

[发明专利]磨削装置-CN201510520733.2在审
发明人：森俊 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2015-08-21 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供磨削装置，当在晶片的中央部分形成凹部的情况下，高效地磨削晶片而提高凹部的厚度精度。磨削装置(1)具有保持晶片(W)的下表面(Wb)的保持构件(4)以及磨削晶片的上表面(Wa)的中央部分的磨削构件(10)，保持构件具有将保持面(6a)形成为平面的卡盘工作台(5)以及使卡盘工作台旋转的卡盘工作台旋转机构(7)，磨削构件具有在轮基台(111)上将磨石(112)配设成环状的磨轮(11)以及以能够旋转的方式安装磨轮的主轴单元(12)，磨轮的磨石的外侧面(113)与凹部(W3)的内侧面相接，磨石的外周的直径(D)为凹部的半径(r)以上直径(R)以下且磨石采用始终经过晶片的中心(O)的结构。
磨削装置

[发明专利]半导体器件晶片的接合方法-CN201210077907.9无效
发明人：森俊 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2012-03-22 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：半导体器件晶片的接合方法，不会在凸块之间形成导电路径，且使用了各向异性导电材料。将形成有多个具备多个凸起电极的半导体器件的第一半导体器件晶片接合于具备与该凸起电极对应的电极的第二半导体器件晶片，具有以下步骤：绝缘体覆盖步骤，用绝缘体覆盖第一半导体器件晶片的凸起电极侧，将绝缘体填充到凸起电极之间；凸起电极端面露出步骤，使覆盖有该绝缘体的第一半导体器件晶片的凸起电极侧平坦，使凸起电极的端面露出；接合步骤，在实施了凸起电极端面露出步骤后，使各向异性导电体介入到具有与凸起电极对应的电极的第二半导体器件晶片的电极与第一半导体器件晶片的凸起电极之间，将第一半导体器件晶片与第二半导体器件晶片接合，连接电极和凸起电极。
半导体器件晶片接合方法

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