[发明专利]吸附装置、吸附装置制作方法及转移系统在审
| 申请号： | 201910605359.4 | 申请日： | 2019-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN110416147A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 陈柏良;林永富;田仲広久;岛田康宪 | 申请（专利权）人： | 深超光电(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 徐丽;谢蓓 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种吸附装置，包括：基板，所述基板一表面上形成有多个收容槽，所述收容槽具有底壁及围绕所述底壁设置的侧壁；多个强磁力膜，由强磁性材料形成，每一所述强磁力膜形成于一收容槽中，完全覆盖所述收容槽的底壁及侧壁；多个磁体，每一所述磁体容置于一所述收容槽中。本发明还提供一种吸附装置制作方法及转移系统。 | ||
| 搜索关键词： | 收容槽 吸附装置 底壁 转移系统 强磁力 侧壁 基板 强磁性材料 膜形成 制作 | ||
【主权项】：
1.一种吸附装置，其特征在于，包括：基板，所述基板一表面上形成有多个收容槽，所述收容槽具有底壁及围绕所述底壁设置的侧壁；多个强磁力膜，由强磁性材料形成，每一所述强磁力膜形成于一收容槽中，完全覆盖所述收容槽的底壁及侧壁；多个磁体，每一所述磁体容置于一所述收容槽中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
