[发明专利]高压加热和极化的静电基板托架有效
申请号: | 201580012658.7 | 申请日: | 2015-02-04 |
公开(公告)号: | CN106165083B | 公开(公告)日: | 2019-11-01 |
发明(设计)人: | F·托瑞格罗萨;L·洛克斯 | 申请(专利权)人: | 离子射线服务公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 郭思宇 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种支架,包括:导电极化台(10),被连接至高压电源(12)并且靠在电绝缘的基座(40)上;柱形的电绝缘基板托架(20),基板托架的上表面具有被设置用于容纳基板(50)的抵靠平面;支脚(15),靠在所述极化台(10)上,用于支承所述基板托架(20)的下表面;至少一个导电连接件(201,202,203,31,30),用于连接所述抵靠平面到所述极化台(10)。支架的特征在于所述基板托架(20)包括发热电阻(26)。 | ||
搜索关键词: | 高压 热和 极化 静电 托架 | ||
【主权项】:
1.一种支架,包括:‑导电的极化台(10),被连接到高压电源(12)并且靠在电绝缘的基座(40)上,‑电绝缘的基板托架(20),呈柱体形状,基板托架(20)的上表面具有被设置用于容纳基板(50)的抵靠平面,‑支脚(15),靠在所述极化台(10)上,用于支承所述基板托架(20)的下表面,‑至少一个导电连接件(201,202,203,31,30),用于连接所述抵靠平面到所述极化台(10),其特征在于,所述基板托架(20)包括发热电阻(26),所述基板托架(20)在其底座具有凸肩(21),所述基板托架(20)包括用于将所述凸肩(21)紧固在所述极化台(10)上的导电的紧固压板(30),所述导电连接件包括:‑布置在所述上表面的外周的第一带(201),‑在所述第一带(201)和所述凸肩(21)之间在所述柱体上延伸的第二带(202),‑与布置在所述凸肩(21)上的所述第二带(202)相接触的第三带(203),‑布置在第三带(203)和所述紧固压板(30)之间的导电弹簧(31)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于离子射线服务公司,未经离子射线服务公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201580012658.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造