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[发明专利]用于结合基板的装置及方法-CN201910180698.2有效
发明人： M.温普林格;V.德拉戈伊;C.弗勒特根 -专利权人： EV 集团 E·索尔纳有限责任公司
申请日： 2013-09-25 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于在第一基板(1)的结合侧与第二基板(14)的结合侧之间生产能够导电直接结合的装置以及相对应的方法，具有下列特征：具有能够相对于环境气体密封地闭合的并且能够加载有真空的工作空间(22)，所述工作空间(22)包括：a)至少一个等离子体腔室(4)，用于更改所述结合侧的至少一个；及至少一个结合腔室(5)，用于结合所述结合侧和/或b)至少一个组合的结合等离子体腔室(20)，用于更改所述结合侧的至少一个并且用于结合所述结合侧。
用于结合装置方法

[发明专利]用于永久接合晶片的方法-CN201810604777.7有效
发明人： T.普拉赫;K.欣格尔;M.温普林格;C.弗勒特根 -专利权人： EV集团E·索尔纳有限责任公司
申请日： 2011-01-25 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明涉及用于永久接合晶片的方法。具体地，本发明涉及将第一基板(1)的第一接触表面(3)接合至第二基板(2)的第二接触表面(4)的方法，该方法具有以下步骤：‑在所述第一接触表面(3)的表面层(6)中形成贮液槽(5)，其中孔分布随厚度增加而减小趋于零，‑用第一起始物或第一组起始物至少部分填充该贮液槽(5)，‑使第一接触表面(3)与第二接触表面(4)接触以形成预接合连接。
用于永久接合晶片方法

[发明专利]用于永久接合晶片的方法-CN201810607031.1有效
发明人： T.普拉赫;K.欣格尔;M.温普林格;C.弗勒特根 -专利权人： EV 集团 E·索尔纳有限责任公司
申请日： 2011-01-25 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明涉及用于永久接合晶片的方法。具体地，本发明涉及将第一基板(1)的第一接触表面(3)接合至第二基板(2)的第二接触表面(4)的方法，该方法具有以下步骤：‑通过将第一接触表面(3)暴露于N2气和/或O2气和/或Ar气和/或包含95%Ar和5%H2的形成气体，在所述第一接触表面(3)的表面层(6)中形成贮液槽(5)，‑用第一起始物或第一组起始物至少部分填充该贮液槽(5)，‑使第一接触表面(3)与第二接触表面(4)接触以形成预接合连接，和在所述第一和第二接触表面(3,4)之间形成永久接合，通过使所述第一起始物与在所述第二基板(2)的反应层(7)中含有的第二起始物反应来至少部分强化该永久接合。
用于永久接合晶片方法

[发明专利]用于永久接合晶片的方法-CN201810608288.9有效
发明人： T.普拉赫;K.欣格尔;M.温普林格;C.弗勒特根 -专利权人： EV 集团 E·索尔纳有限责任公司
申请日： 2011-01-25 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明涉及用于永久接合晶片的方法。具体地，本发明涉及将第一基板(1)的第一接触表面(3)接合至第二基板(2)的第二接触表面(4)的方法，该方法具有以下步骤：‑在第一接触表面(3)的表面层(6)中形成贮液槽(5)，‑用第一起始物或第一组起始物至少部分填充该贮液槽(5)，‑使第一接触表面(3)与第二接触表面(4)接触以形成预接合连接，和‑在所述第一和第二接触表面(3,4)之间形成永久接合，通过使第一起始物与第二基板(2)的反应层(7)中含有的第二起始物反应来至少部分强化所述永久接合，其中该贮液槽(5)是由等离子体活化作用而形成的，其中等离子体处理中存在的离子的还原种类位于该贮液槽(5)中。
用于永久接合晶片方法

[发明专利]永久结合晶圆的方法及装置-CN201710599033.6有效
发明人： T.普拉赫;K.欣格尔;M.温普林格;C.弗勒特根 -专利权人： EV集团E·索尔纳有限责任公司
申请日： 2012-07-24 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种永久结合晶圆的方法及装置，其中该第二衬底具有最少一个反应层：将该衬底容纳于第一电极与第二电极之间或线圈内，通过对第一接触面施加借助于电极的电容耦合所产生的等离子体而在第一接触面上的储存器形成层中形成储存器，其中在等离子体产生或借助于线圈的电感耦合产生等离子体期间向该第一电极施加与该第二电极的第二频率不同的第一频率，其中在等离子体产生期间在第一发生器产生与第二发生器的第二频率不同的第一频率。此外，本发明涉及一种相应装置。
永久结合方法装置

[发明专利]静电的基层保持部-CN201780086299.9在审
发明人： C.弗勒特根 -专利权人： EV集团E·索尔纳有限责任公司
申请日： 2017-03-09 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：用于容纳和保持基层（4）的静电的基层保持部（2），所述基层保持部具有：转子（6、6'、6''、6'''），所述转子具有保持件（7、7'、7''）用于在保持面（7h、7h'、7h''）上固定所述基层（4），定子（5、5'、5''、5ⁱⁱⁱ、5^iv），所述定子用于容纳和支承所述转子（6、6'、6''、6'''），电极（11、11'、11''），所述电极用于产生静电的保持力以固定所述基层（4）。其中，所述定子（5、5'、5''、5ⁱⁱⁱ、5^iv）具有所述电极（11、11'、11''）。
转子静电电极基层容纳保持件支承

[发明专利]用于结合基板的装置及方法-CN201910180697.8在审
发明人： M.温普林格;V.德拉戈伊;C.弗勒特根 -专利权人： EV集团E·索尔纳有限责任公司
申请日： 2013-09-25 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于在第一基板(1)的结合侧与第二基板(14)的结合侧之间生产能够导电直接结合的装置以及相对应的方法，具有下列特征：具有能够相对于环境气体密封地闭合的并且能够加载有真空的工作空间(22)，所述工作空间(22)包括：a)至少一个等离子体腔室(4)，用于更改所述结合侧的至少一个；及至少一个结合腔室(5)，用于结合所述结合侧和/或b)至少一个组合的结合等离子体腔室(20)，用于更改所述结合侧的至少一个并且用于结合所述结合侧。
等离子体腔室工作空间闭合第二基板第一基板环境气体结合基板直接结合结合腔导电密封生产

[发明专利]用于衬底的等离子体处理的方法和装置-CN201480078566.4有效
发明人： T.格林斯纳;C.弗勒特根;J.伯瑙尔;T.瓦根莱特纳;T.韦泽;F.施密德;T.普拉赫;R.安岑格鲁贝尔;A.诺内斯;U.克里比施 -专利权人： EV集团E·索尔纳有限责任公司
申请日： 2014-05-09 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种装置，其用于将至少一个衬底(7)施加以等离子体，该装置具有第一电极(1)和可与该第一电极相对布置的第二电极(12)，该电极构造成在该电极(1、12)之间产生该离子体，其特征在于，该电极(1、12)中的至少一个由至少两个电极单元(2、3)形成。此外，本发明涉及相应方法。
用于衬底等离子体处理方法装置

[发明专利]用于结合基板的装置及方法-CN201380079847.7有效
发明人： M.温普林格;V.德拉戈伊;C.弗勒特根 -专利权人： EV集团E·索尔纳有限责任公司
申请日： 2013-09-25 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于在第一基板(1)的结合侧与第二基板(14)的结合侧之间生产能够导电直接结合的装置以及相对应的方法，具有下列特征：具有能够相对于环境气体密封地闭合的并且能够加载有真空的工作空间(22)，所述工作空间(22)包括：a)至少一个等离子体腔室(4)，用于更改所述结合侧的至少一个；及至少一个结合腔室(5)，用于结合所述结合侧和/或b)至少一个组合的结合等离子体腔室(20)，用于更改所述结合侧的至少一个并且用于结合所述结合侧。
用于结合装置方法

[发明专利]用于永久接合晶片的方法-CN201510911760.2有效
发明人： T.普拉赫;K.欣格尔;M.温普林格;C.弗勒特根 -专利权人： EV集团E·索尔纳有限责任公司
申请日： 2011-01-25 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明涉及用于永久接合晶片的方法。具体地，本发明揭示一种将第一基板(1)的第一接触表面(3)接合至第二基板(2)的第二接触表面(4)的方法，该方法包含以下步骤，尤其包含以下顺序：‑在第一接触表面(3)的表面层(6)中形成贮液槽(5)，‑利用第一起始物或第一组起始物至少部分填充该贮液槽(5)，‑使第一接触表面(3)与第二接触表面(4)接触以形成预接合连接，‑在第一与第二接触表面(3、4)之间形成永久接合，通过使第一起始物与第二基板的反应层(7)中含有的第二起始物反应来至少部分强化该永久接合。
用于永久接合晶片方法

[发明专利]用于永久接合晶片的方法-CN201180065964.9有效
发明人： T.普拉赫;K.欣格尔;M.温普林格;C.弗勒特根 -专利权人： EV集团E·索尔纳有限责任公司
申请日： 2011-01-25 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明揭示一种将第一基板(1)的第一接触表面(3)接合至第二基板(2)的第二接触表面(4)的方法，该方法包含以下步骤，尤其包含以下顺序：‑在第一接触表面(3)的表面层(6)中形成贮液槽(5)，‑利用第一起始物或第一组起始物至少部分填充该贮液槽(5)，‑使第一接触表面(3)与第二接触表面(4)接触以形成预接合连接，‑在第一与第二接触表面(3、4)之间形成永久接合，通过使第一起始物与第二基板的反应层(7)中含有的第二起始物反应来至少部分强化该永久接合。
用于永久接合晶片方法

[发明专利]永久结合晶圆的方法及装置-CN201280074902.9有效
发明人： T.普拉赫;K.欣格尔;M.温普林格;C.弗勒特根 -专利权人： EV集团E·索尔纳有限责任公司
申请日： 2012-07-24 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种依以下步骤、尤其以下顺序使第一衬底的第一接触面与第二衬底的第二接触面结合的方法，其中该第二衬底具有最少一个反应层将该衬底容纳于第一电极与第二电极之间或线圈内，通过对第一接触面施加借助于电极的电容耦合所产生的等离子体而在第一接触面上的储存器形成层中形成储存器，其中在等离子体产生或借助于线圈的电感耦合产生等离子体期间向该第一电极施加与该第二电极的第二频率不同的第一频率，其中在等离子体产生期间在第一发生器产生与第二发生器的第二频率不同的第一频率。此外，本发明涉及一种相应装置。
永久结合方法装置

[发明专利]永久性粘合晶片的方法-CN201180069932.6有效
发明人： T.普拉赫;K.欣格尔;M.温普林格;C.弗勒特根 -专利权人： EV集团E·索尔纳有限责任公司
申请日： 2011-04-08 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及第一衬底(1)的第一接触面(3)与第二衬底(2)的第二接触面(4)的粘合方法，所述方法具有下列步骤，尤其是下列过程：‑ 在第一接触面(3)上的表面层(6)中形成储库(5)，其中表面层(6)至少主要由天然氧化物材料组成，‑ 用第一原料物或第一组原料物至少部分填充储库(5)，‑使第一接触面(3)与第二接触面(4)接触以形成预粘合连接，‑在第一和第二接触面(3,4)之间形成永久粘合，其通过第一原料物与第二衬底的反应层(7)中所含的第二原料物的反应至少部分增强。
永久性粘合晶片方法

[发明专利]晶片的永久粘合方法-CN201180069928.X有效
发明人： T.普拉赫;K.欣格尔;M.温普林格;C.弗勒特根 -专利权人： EV集团E·索尔纳有限责任公司
申请日： 2011-04-08 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及第一衬底(1)的第一接触面(3)与第二衬底(2)的第二接触面(4)的粘合方法，其中第二衬底(2)具有至少一个反应层(7)，所述方法具有下列步骤，尤其是下列过程：-在第一接触面(3)上的储库形成层(6)中形成储库(5)，-用第一原料物或第一组原料物至少部分填充储库(5)，-使第一接触面(3)与第二接触面(4)接触以形成预粘合连接，-减薄第二衬底(2)和-在第一和第二接触面(3,4)之间形成永久粘合，其通过第一原料物与第二衬底(2)的反应层(7)中所含的第二原料物的反应至少部分增强。
晶片永久粘合方法

[发明专利]晶片的永久粘合方法-CN201180069894.4有效
发明人： T.普拉赫;K.欣格尔;M.温普林格;C.弗勒特根 -专利权人： EV集团E·索尔纳有限责任公司
申请日： 2011-04-08 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及第一衬底(1)的第一接触面(3)与第二衬底(2)的第二接触面(4)的粘合方法，其具有下列步骤，尤其是下列序列：在第一衬底(1)和/或第二衬底(2)上的至少一个储库形成层(6,6’)中形成至少一个储库(5,5’)，其中所述储库(5,5’)至少主要由非晶材料构成，用第一原料物或第一组原料物至少部分填充储库(5,5’)，在储库(5)和/或储库(5’)上形成或施加含有第二原料物或第二组原料物的反应层(17)，使第一接触面(3)与第二接触面(4)接触以形成预-粘合-连接，在第一和第二接触面(3,4)之间形成永久粘合，其通过第一原料物或第一组原料物与第二原料物或第二组原料物的反应至少部分增强。
晶片永久粘合方法

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