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[发明专利]光学环形谐振器的热稳定电路-CN202310305308.6在审
发明人： M·拉科夫斯基;V·A·鲁帕雷利亚;R·南迪;P·K·夏尔马;A·查特吉;V·R·库皮雷迪;I·索姆 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H05B1/02 文献下载
摘要：本发明涉及光学环形谐振器的热稳定电路，公开一种热稳定电路，包括加热器和模拟反馈电路，加热器与光学环形谐振器的闭合曲线波导相邻并热耦合，模拟反馈电路包括从光学环形谐振器的总线波导的分端口到加热器的完全自主的模拟反馈回路。此模拟反馈电路被配置为动态控制提供给加热器的电功率，从而动态控制加热器的热输出，以便将环形谐振波长调谐到工作激光波长。模拟反馈电路还被配置为独立于输入功率，具有功率效率，具有相对小的占地面积，具有可调谐的时间常数，并有利于可调节波长的锁定。还公开了一种装置(如基于环形的收发器等)，其包括多个光学环形谐振器和相应的热稳定电路。
光学环形谐振器稳定电路

[发明专利]具有多厚度波导芯的波导和边缘耦合器-CN202310304997.9在审
发明人：卞宇生 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本公开涉及具有多厚度波导芯的波导和边缘耦合器。用于波导或边缘耦合器的光子学结构和制造用于波导或边缘耦合器的光子学结构的方法。该光子学结构包括波导芯，波导芯具有第一部分、与第一部分纵向相邻的第二部分、从第一部分沿竖直方向突出的第一多个段、以及从第二部分沿竖直方向突出的第二多个段。波导芯的第一部分具有第一厚度，以及波导芯的第二部分具有大于第一厚度的第二厚度。
具有厚度波导边缘耦合器

[发明专利]用于毫米波半导体装置的本地振荡器分配-CN202310923367.X在审
发明人：阿贝拉特·贝拉尔;亚若·巴拉萨伯拉马尼彦 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01S13/32 文献下载
摘要：本发明涉及用于毫米波半导体装置的本地振荡器分配，其中，本文中揭示一种CMOS增益元件。本文中还揭示包括该CMOS增益元件的分配器，以及包括该分配器及该CMOS增益元件的本地振荡器分配电路。相对现有技术装置，包括该本地振荡器分配电路的半导体装置可具有较小的足印(footprint)以及减小的功耗。
用于毫米波半导体装置本地振荡器分配

[发明专利]具有用于层间波导耦合的耦合器的光子集成电路结构-CN202310272436.5在审
发明人：卞宇生;K·J·吉旺特 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本申请涉及具有用于层间波导耦合的耦合器的光子集成电路结构，公开一种光子集成电路(PIC)结构，包括具有第一端部的第一波导芯、具有覆盖第一端部并与第一端部物理分离的第二端部的第二波导芯、及配置成促进波导芯间的低损耗光信号传输的耦合器。耦合器可包括由嵌入端部间的包层材料中的光子材料元件(如光子晶体元件或光子超材料元件)组成的至少一个阵列。或者，耦合器可包括位于端部间并与其物理分离的至少一个光子材料层(如光子晶体层或光子超材料层)和由延伸穿过光子材料层的包层材料元件组成的阵列。还公开一种包括芯片上系统(如光子计算系统)的PIC结构，芯片上系统包括使用上述耦合器中的任一个实现的交叉阵列。
具有用于波导耦合耦合器光子集成电路结构

[发明专利]局部互连电源轨和上部电源轨-CN202310269460.3在审
发明人： J·P·马扎;N·K·贾恩;朱雪莲;曾伽;M·拉希德 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本公开涉及局部互连电源轨和上部电源轨。本公开涉及半导体结构，更具体地涉及与上部电源轨合并的局部互连电源轨和制造方法。该结构包括：有源基元，其包括包围在有源区中的接触；至少一个局部互连电源轨，其连接到有源区的接触；以及至少一个电源轨，其位于至少一个局部互连电源轨上方并且连接到至少一个局部互连电源轨。
局部互连电源上部

[发明专利]包括可控硅整流器的静电放电保护器件-CN202310269660.9在审
发明人： P·马哈詹;阿贾;V·加内桑;R·贾因;S·米特拉 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开涉及包括可控硅整流器的静电放电保护器件。用于包括可控硅整流器的静电放电器件的结构和形成用于包括可控硅整流器的静电放电器件的结构的方法。该结构包括位于半导体衬底中的第一阱、位于第一阱中的第二阱和第三阱、以及位于第一阱中的第四阱。第一阱具有第一导电类型，并且第二阱和第三阱具有第一导电类型。第四阱在横向方向上定位在第二阱和第三阱之间，并且第四阱具有与第一导电类型相反的第二导电类型。第二阱、第三阱和第四阱在竖直方向上定位在第一阱和半导体衬底的顶表面之间。
包括可控硅整流器静电放电保护器件

[发明专利]具有导电氧化物带的堆叠波导偏振器-CN202110274393.5有效
发明人：卞宇生;李袁熙 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：本发明涉及具有导电氧化物带的堆叠波导偏振器，涉及偏振器的结构以及形成偏振器的结构的方法。偏振器包括第一波导芯以及位于邻近该第一波导芯的侧表面的层。该层由第一材料组成，该第一材料具有虚部在从0至约15的范围的介电常数。第二波导芯位于该第一波导芯上方。该第二波导芯由第二材料组成，该第二材料的组分不同于该第一材料。
具有导电氧化物堆叠波导偏振

[发明专利]具有非线性锥的边缘耦合器-CN202310175912.1在审
发明人：卞宇生 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明涉及具有非线性锥的边缘耦合器，提供用于边缘耦合器的结构以及制造此类结构的方法。该结构包括位于衬底上方的后端工艺堆叠。该后端工艺堆叠包括波导芯，该波导芯具有纵轴及锥形段，该锥形段的宽度基于非线性函数随着沿该纵轴的位置而变化。
具有非线性边缘耦合器

[发明专利]用于层间波导耦合的耦合器的光子集成电路结构-CN202310177437.1在审
发明人：卞宇生 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本申请涉及用于层间波导耦合的耦合器的光子集成电路结构，公开了一种结构，包括具有第一端部的第一波导芯和具有第二端部的第二波导芯，第二波导芯覆盖第一端部并与第一端部物理分离。所述结构包括配置用于层间波导耦合的耦合器。具体地，所述耦合器包括垂直堆叠在第一端部和第二端部间并与第一端部和第二端部物理分离的附加波导芯。可选地，耦合器包括多个附加波导芯。各种波导芯的形状被配置为实现模式匹配，使得光信号在第一波导芯的第一端部和第二波导芯的第二端部间依次通过每个附加波导芯。本文还公开了一种包括使用耦合器实现的交叉阵列的结构。
用于波导耦合耦合器光子集成电路结构

[发明专利]高保持电压双极结器件-CN202310197258.4在审
发明人： P·马哈詹 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本申请涉及高保持电压双极结器件，所公开的半导体结构实施例包括被配置为具有高保持电压的双极结器件。所述器件包括基极、集电极和发射极端子。由于独特配置的发射极端子，实现了高保持电压。具体地，所述器件包括具有第一类型导电性的基极阱区。发射极端子包括邻近基极阱区(例如，在基极阱区内和/或在基极阱区上)的发射极接触区和辅助发射极区，所述发射极接触区具有第二类型导电性，所述辅助发射极区邻接所述发射极接触区并具有比所述基极阱区更高导电性水平的第一类型导电性。实施例根据发射极接触区和辅助发射极区的形状而变化。实施例还根据用于将集电极端子与发射极端子隔离的结构以及由硅化物层覆盖的区域而变化。
保持电压双极结器件

[发明专利]光子芯片的后段制程堆叠中的堆叠边缘耦合器-CN202310204430.4在审
发明人：卞宇生 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本公开涉及光子芯片的后段制程堆叠中的堆叠边缘耦合器。提供了用于光子芯片的堆叠边缘耦合器。该堆叠边缘耦合器包括绝缘层、波导芯、第一辅助波导和后段制程堆叠。第一辅助波导位于绝缘层上。波导芯位于第一辅助波导上方并包括锥形部。后段制程堆叠位于波导芯上方。后段制程堆叠包括侧边缘、电介质层和第二辅助波导。第二辅助波导位于电介质层上并邻近侧边缘布置。第二辅助波导具有与波导芯的锥形部重叠的布置。
光子芯片后段堆叠中的边缘耦合器

[发明专利]使用位置不同于工作光学端子的测试光学端子测试光学接收器光电二极管-CN202310175518.8在审
发明人：丁汉屹;颜爱东;曹荣涛 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本公开涉及使用位置不同于工作光学端子的测试光学端子测试光学接收器光电二极管。一种使用光栅耦合器测试PIC中的光电二极管的结构，该光栅耦合器与一光学端子光通信，该光学端子在光电二极管中的位置不同于在PIC的工作期间使用的另一光学端子。该光电二极管包括工作光学端子和测试光学端子，其中测试光学端子位于与工作光学端子不同的位置。光学部件与光电二极管的工作光学端子光通信，并且在光电二极管和PIC的工作期间被使用。为了测试目的，光栅耦合器与光电二极管的测试光学端子光通信。
使用位置不同于工作光学端子测试接收器光电二极管

[发明专利]具有局部参考单元的电阻式存储器阵列-CN202310182129.8在审
发明人： C·R·丁尼帕提;R·拉加万;B·C·保罗 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本申请涉及具有局部参考单元的电阻式存储器阵列，提供一种结构，包括由多个非易失性存储器单元构成的阵列、连接到所述多个非易失存储器单元的多个字线和多个位线、连接到所述多个非易失性存储器单元的多个感测放大器以及连接到所述多个感测放大器的多个参考单元。所述多个参考单元中的每一个具有晶体管，所述晶体管连接可变电阻器、所述多个字线中的一个、与所述多个位线分离的参考位线与所述多个感测放大器。
具有局部参考单元电阻存储器阵列

[发明专利]用于抗辐射存储器基元的电路结构和相关方法-CN202310203550.2在审
发明人： V·拉杰;S·G·达恩;M·拉希德 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本公开涉及用于抗辐射存储器基元的电路结构和相关方法。本公开的实施例提供了一种电路结构和相关方法，以提供抗辐射存储器基元。电路结构可以包括具有输入节点和输出节点的第一锁存器。第二锁存器具有输入节点和输出节点，其中，第二锁存器的输出节点耦接到第一锁存器的输入节点，并且第二锁存器的输入节点耦接到第一锁存器的输出节点。读取/写入(R/W)电路包括将字线、位线和反相位线耦接到至少两个输出的多个晶体管。至少两个输出中的一个输出耦接到第一锁存器的输入节点，而这些输出中的另一个输出耦接到第二锁存器的输入节点。
用于辐射存储器电路结构相关方法

[发明专利]通过选择性金属沉积形成的无衬里硅通孔-CN202310174076.5在审
发明人： D·托马斯;C·索尔;J·G·通布利;M·布里汉姆;B·波思;V·卡拉帕希 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明涉及通过选择性金属沉积形成的无衬里硅通孔，提供用于硅通孔的结构以及形成用于硅通孔的结构的方法。该结构包括衬底，该衬底具有沟槽以及与该沟槽接壤的多个表面。该结构还包括硅通孔，该硅通孔具有位于该沟槽内部的层。该层与该衬底的该些表面直接接触。
通过选择性金属沉积形成衬里硅通孔

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