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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种半导体器件及其制作方法-CN202310886454.2在审
发明人： 王蓝翔;曹立;刘坤 -专利权人：思瑞浦微电子科技（上海）有限责任公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括第一类型衬底，位于第一类型衬底顶部的第一类型体区与第二类型飘移区，其中，第一类型体区与第二类型飘移区接触，位于第一类型体区表面的第一电极区，位于第一类型体区与第二类型飘移区表面的控制电极区，位于第二类型飘移区表面的第二电极区，位于控制电极区与第二电极区之间的阶梯场板结构，其中，阶梯场板结构与控制电极区相连并与的第二电极区隔离；且阶梯场板结构的中间区域最厚，并沿控制电极区与第二电极区的方向逐渐变薄。本申请提供的半导体器件及其制作方法具有降低了器件导通电阻，提升了器件可靠性的优点。
一种半导体器件及其制作方法

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法-CN202310885779.9在审
发明人：刘坤;曹立;王蓝翔 -专利权人：思瑞浦微电子科技（上海）有限责任公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括第一类型衬底，位于第一类型衬底顶部的第一类型体区与第二类型飘移区，位于第一类型体区表面的第一电极区，位于第一类型体区与第二类型飘移区表面的控制电极区，位于第二类型飘移区表面的第二电极区，位于控制电极区与第二电极区之间的场板结构，其中，场板结构包括平板与至少一个凸起，凸起和/或平板连接有导电柱，每个导电柱与第一电极区或控制电极区互连。本申请提供的半导体器件及其制作方法具有降低了器件导通电阻，提升了器件可靠性的优点。
一种半导体器件及其制作方法

[发明专利]半导体装置-CN202210648048.8在审
发明人： 王蓝翔;段志刚 -专利权人：联发科技(新加坡)私人有限公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置，包括：第一端子；第二端子，定位于远离该第一端子；第一电阻段，耦接在该第一端子和该第二端子之间；第三端子，定位于远离该第一端子和该第二端子；第二电阻段，耦接在该第二端子和第三端子之间；第一浮板，物理上靠近该第一电阻段设置，并且包括耦接到该第一端子和该第二端子之一的第一端；以及第二浮板，物理上靠近该第二电阻段设置，并且包括耦接到该第二端子和该第三端子之一的第一端。浮板的设置可以改变电阻段周围的电场，使电阻内的电子分布更加均匀和平衡，从而使得各个电阻段的阻值与其本身的设计阻值相当，从而显著改善电阻的线性度。
半导体装置

[发明专利]部分硅化的非易失性存储器器件和集成方案-CN202111140754.3在审
发明人： 王蓝翔;陈学深;蔡新树;卓荣发;孙永顺 -专利权人：格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及部分硅化的非易失性存储器器件和集成方案。提供了一种非易失性存储器器件。该非易失性存储器器件包括有源区、n阱区以及分隔有源区与n阱区的隔离区。可以设置浮置栅极。浮置栅极可以布置在有源区的一部分和n阱区的第一部分上方。有源区中的第一掺杂区可以在第一侧相对于浮置栅极横向移位，并且有源区中的第二掺杂区可以在与第一侧相反的第二侧相对于浮置栅极横向移位。接触可以布置在n阱区上方，其中接触可以相对于在n阱区的第一部分上方的浮置栅极的第一拐角横向移位。硅化物排斥层可以至少部分地布置在浮置栅极上方。
部分非易失性存储器器件集成方案

[发明专利]存储器结构以及形成存储器结构的方法-CN202111156738.3在审
发明人：蔡新树;孙永顺;王蓝翔;卓荣发;陈学深 -专利权人：格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及存储器结构以及形成存储器结构的方法。提供了一种存储器结构，包括：衬底；布置在衬底内的第一阱区、第二阱区和第三阱区，其中第一阱区和第三阱区可以具有第一导电类型，第二阱区可以具有不同于第一导电类型的第二导电类型，并且其中第二阱区可以横向布置在第一阱区与第三阱区之间。该存储器结构还包括布置在第二阱区上方的第一栅极结构和第二栅极结构。第一栅极结构可以在第三阱区上方延伸，第二栅极结构可以在第一阱区上方延伸。
存储器结构以及形成方法

[发明专利]具有多个输入端子的电阻式存储器元件-CN202111008771.1在审
发明人： 王蓝翔;陈学深;卓荣发 -专利权人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及具有多个输入端子的电阻式存储器元件，揭示了电阻式存储器元件的结构以及形成电阻式存储器元件的结构的方法。该电阻式存储器元件具有第一电极、第二电极、第三电极、以及开关层。该第一电极与该开关层耦接，该第二电极与该开关层的侧表面耦接，且该第三电极与该开关层耦接。
具有输入端子电阻存储器元件

[发明专利]多指栅极非易失性存储器基元-CN202110835771.2在审
发明人： 王蓝翔;卓荣发;陈学深;蔡新树;孙永顺 -专利权人：格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本公开涉及一种多指栅极非易失性存储器单元。提供了一种非易失性存储器器件。该器件包括具有第一指和第二指的浮置栅极以及位于浮置栅极指下方的有源区。第一掺杂区位于有源区中并在第一浮置栅极指的第一侧从第一浮置栅极指横向移位。第二掺杂区位于有源区中并在第一浮置栅极指的第二侧从第一浮置栅极指横向移位。第三掺杂区位于有源区中并从第二浮置栅极指和第二掺杂区横向移位。
栅极非易失性存储器

[发明专利]半导体非易失性存储器器件-CN202110572803.4在审
发明人：孙永顺;卓荣发;陈学深;蔡新树;王蓝翔 -专利权人：格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本公开涉及半导体非易失性存储器器件。提供一种存储器器件。该存储器器件包括在衬底中的有源区域、电隔离电极和电介质层。电隔离电极被设置在有源区域之上。电介质层被设置在电隔离电极与有源区域之间，并包括具有第一厚度的第一电介质部分和具有第二厚度的第二电介质部分。
半导体非易失性存储器器件

[发明专利]单晶体管双电容器非易失性存储器单元-CN202110600247.7在审
发明人：蔡新树;王蓝翔;孙永顺;卓荣发;陈学深 -专利权人：格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明涉及单晶体管双电容器非易失性存储器单元。提供了一种非易失性存储器器件。该器件包括存储器晶体管。第一电容器被耦接到存储器晶体管。第二电容器被耦接到存储器晶体管。第二电容器包括第一电极和第二电极。第一电容器和第二电容器连接到分隔开的输入端子。
晶体管电容器非易失性存储器单元

[发明专利]财务数据处理方法、装置及电子设备-CN202011255789.7在审
发明人：项唯伟;王蓝翔;谭浩;李琳 -专利权人：阿里巴巴集团控股有限公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： G06Q40/00 文献下载
摘要：本申请实施例公开了财务数据处理方法、装置及电子设备，所述方法包括：将财务数据划分为多个信息类别，并确定用于表征所述信息类别下的财务数据的健康程度的数据指标，其中，所述健康程度用于描述对应的信息类别下的财务数据在财务风险方面的结论性信息；获取目标组织机构关联的财务数据；根据所述目标组织机构的财务数据，确定所述数据指标的信息；根据所述数据指标的信息确定对应信息类别下财务数据的健康程度，以用于通过目标页面展示所述多个信息类别对应的健康程度信息。通过本申请实施例，可以将具体组织机构在各信息类别方面是否具有财务风险更直观的展示给用户。
财务数据处理方法装置电子设备

[发明专利]具有非矩形的浮置栅极的非易失性存储器位单元-CN202011155657.7在审
发明人： 王蓝翔;陈学深;郭克文;蔡新树;卓荣发 -专利权人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：本发明涉及具有非矩形的浮置栅极的非易失性存储器位单元，揭示非易失性存储器位单元的结构以及形成非易失性存储器位单元的结构的方法。场效应晶体管具有沟道区以及位于该沟道区上方的第一栅极电极。电容器包括第二栅极电极，该第二栅极电极与该第一栅极电极耦接，以定义浮置栅极。该第一栅极电极具有非矩形形状。
具有矩形栅极非易失性存储器单元

[发明专利]与面向受测装置侧的光源整合的晶片探针卡及制造方法-CN201910661520.X在审
发明人： 王蓝翔;佘胓靿;陈学深;林楚强 -专利权人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及与面向受测装置侧的光源整合的晶片探针卡及制造方法，提供一种具有光源面向受测装置(DUT)侧的整合型晶片探针卡以及启用方法。
面向装置光源整合晶片探针制造方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201410799048.3在审
发明人： 王蓝翔;廖鸿;蒋超;廖端泉;李叶超 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2014-12-19 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法。首先提供一基底，该基底上设有一栅极结构，然后形成一第一外延层、一第二外延层以及一硅化金属层于邻近该栅极结构的该基底中，其中该第一外延层、该第二外延层及该硅化金属层包含硅锗锡的合金。
半导体元件及其制作方法

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