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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置结构-CN201811063125.3在审
发明人：林祐宽;杨昌达;王屏薇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体装置结构，其包括一半导体基底，具有一阱拾取区及一主动区。阱拾取区及主动区各自包括具有不同导电型的一第一阱区及一第二阱区。第一阱区与第二阱区之间具有阱区边界。一第一鳍部结构位于阱拾取区的第一阱区内，而多个第二鳍部结构位于主动区的第一阱区内。阱区边界与第一鳍部结构之间的最小距离大于阱区边界与多个第二鳍部结构中最靠近阱区边界的一者之间的最小距离。
阱区鳍部结构阱拾取区主动区半导体装置结构最小距离半导体基底导电型

[发明专利]具有稳定静电放电保护能力的半导体器件-CN200610073830.2无效
发明人：清水映 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2006-03-31 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：所述半导体器件包括：第一导电类型的半导体衬底；形成在半导体衬底中的第二导电类型的阱区；形成在阱区中的晶体管；形成在阱区周边之内的半导体衬底的表面上并且在空间上与阱区的边界分开的第二导电类型的保护环区，保护环区具有比阱区更高的杂质浓度；形成在与阱区和半导体衬底接触的阱区的周边的第一导电类型的衬底拾取区，衬底拾取区具有比半导体衬底更高的杂质浓度；以及，形成在保护环区与衬底拾取区之间的半导体衬底表面上的厚氧化物膜。保护性二极管形成，其包括阱区、保护环区和衬底拾取区。
具有稳定静电放电保护能力半导体器件

[发明专利]具有可变电容的三端半导体器件-CN201480008732.3有效
发明人： R·杜塔 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2014-02-17 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：在各实施例中，彼此间隔开的垂直控制柱在具有与控制柱的极性相反的极性的阱中延伸。控制柱按平行于深沟槽栅极与阱拾取区但在深沟槽栅极与阱拾取区之间延伸的一行来安排。通过改变施加到控制柱的电压，柱周围耗尽区的大小可变化，从而造成沟槽栅极与连接到阱拾取区的拾取端之间的电容的变化。
控制柱阱拾取区深沟槽半导体制造步骤半导体器件方法和装置三端半导体垂直控制电容器件沟槽栅极极性相反可变电容允许使用垂直的耗尽区可调谐电容可变延伸拾取平行芯片施加制造

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200610172013.2无效
发明人：金昌男 -专利权人：东部电子股份有限公司
申请日： 2006-12-27 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该半导体器件包括：衬底，其具有阱区；至少一个阱拾取区，其形成于该阱区上；源区，其形成于该衬底上以包围所述阱拾取区；第一漏区，其形成于该衬底上，以定位于该源区的一侧上；以及第一栅电极，其形成于该衬底上，以定位于该源区与该第一漏区之间
半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有带单元的半导体器件-CN201910437872.7有效
发明人：罗国鸿;张峰铭;郭盈秀;王屏薇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：提供了具有带单元的半导体器件，半导体器件包括第一阱，具有第一导电类型并且沿着第一方向延伸；第二阱和第三阱，具有第二导电类型并且在第二方向上设置在第一阱的相对侧上；位单元的第一阵列和位单元的第二阵列，设置在第一阱至第三阱上方；带单元，设置在第一阱至第三阱上并且设置在第一阵列和第二阵列之间，包括第一阱拾取区域和第二阱拾取区域，具有第一带电类型，设置在第一阱上，在第一方向上彼此分隔开，以及第三阱拾取区域和第四阱拾取区域，具有第二导电类型并且分别设置在第二阱和第三阱上；第一导电图案和第二导电图案，分别电连接至第一阱拾取区域和第二阱拾取区域；以及第三导电图案，电连接至第三阱拾取区域和第四阱拾取区域。
具有单元半导体器件

[发明专利]三维半导体存储器器件-CN201410696386.4有效
发明人：申有哲;金泓秀;沈载星 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：三维半导体存储器器件包括堆叠结构、垂直半导体图案、公共源极区以及阱拾取区。堆叠结构设置在第一导电类型的半导体层上。每个堆叠结构包括垂直地堆叠在彼此上的电极并在第一方向上延伸。第二导电类型的公共源极区设置在半导体层中。至少一个公共源极区设置在两个相邻的堆叠结构之间。至少一个公共源极区在第一方向上延伸。第一导电类型的阱拾取区设置在半导体层中。至少一个阱拾取区邻近至少一个堆叠结构的两端。
三维半导体存储器器件

[发明专利]三维非易失性存储器件、存储系统及其制造方法-CN201210442592.3有效
发明人：卢侑炫;崔锺武;安泳洙 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：其公开了一种三维非易失性存储器件，所述三维非易失性存储器件包括沟道结构，每个沟道结构包括层叠在衬底之上的沟道层并沿第一方向延伸，其中，所述沟道层分别包括阱区；垂直栅，所述垂直栅位于沟道结构之间并且彼此间隔开；以及阱拾取线，所述阱拾取线与沟道层的阱区接触，并且沿着与沟道结构交叉的第二方向延伸。
三维非易失性存储器存储系统及其制造方法

[发明专利]一种基于镜像电荷信号检测的质谱分析器-CN202111024188.X在审
发明人：丁力;王伟民 -专利权人：宁波大学
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01J49/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于镜像电荷信号检测的质谱分析器，包括静电离子阱，所述静电离子阱包括用于定义边界电位生成静电场的电极组，所述电极组包括若干电极，所述电极组内至少两个电极作为镜像电荷拾取电极，所述镜像电荷拾取电极之间通过电容连接，所述其中一个镜像电荷拾取电极接有镜像电荷放大器，且所述每个镜像电荷拾取电极电连接有电阻后电连接有直流电源；本发明通过每个镜像电荷拾取电极连接直流电源给镜像电荷拾取电极加电以满足离子在离子阱内进行质谱分析的条件，并通过电容将镜像电荷拾取电极连接起来，达到将多个镜像电荷拾取电极拾取的镜像电荷信号合并送到一个镜像电荷放大器中放大检测，从而减少了镜像电荷放大器的数量，降低噪声信号。
一种基于电荷信号检测谱分析

[发明专利]集成电路、存储器和存储器阵列-CN202010006146.2有效
发明人：张峰铭;包家豪;洪连嵘;王屏薇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：公开了基于鳍的阱条以用于改进存储器阵列的性能，诸如静态随机存取存储器阵列。示例性的阱条单元设置在第一存储器单元和第二存储器单元之间。阱条单元包括设置在衬底中的p阱、第一n阱和第二n阱。p阱、第一n阱和第二n阱配置在阱条单元中，使得阱条单元的中间部分沿着栅极长度方向没有第一n阱和第二n阱。阱条单元还包括到p阱的p阱拾取区和到第一n阱、第二n阱或两者的n阱拾取区。p阱沿着栅极长度方向具有I形的顶视图。本发明的实施例还涉及集成电路、存储器和存储器阵列。
集成电路存储器阵列

[发明专利]半导体集成电路装置-CN201810058855.8有效
发明人：田中贵英 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2018-01-22 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：在p‑型的半导体基板(30)的正面的表面层设有被HVJT(23)分离，且构成高侧电路区(21)的多个n型阱区(33)。在n型阱区(33)的内部，沿着大致矩形的n型阱区(33)的三个边(33a、33d、33b)选择性地设置有p型分离区(35)，在n型阱区(33)的被p型分离区(35)包围的区域配置有高侧驱动电路(12)。另外，在n型阱区(33)的内部，沿着n型阱区33的配置有p型分离区(35)的边(33a、33d、33b)以外的边(33c)设有第一VB拾取区(36)。至少一组相邻的n型阱区(33)的配置有第一VB拾取区(36)的边(33c)彼此隔着相间区域(24)(p型扩散区34)对置。
半导体集成电路装置

[发明专利]固态图像拾取装置及其制造方法-CN200610067363.2有效
发明人：田谷圭司;阿部秀司;大桥正典;正垣敦;山本敦彦;古川雅一 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2006-02-05 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及固态图像拾取装置及其制造方法。该固态图像拾取装置包括：阱区表面上的电隔离像素的元件隔离绝缘膜；第一隔离扩散层，其在元件隔离绝缘膜下面电隔离像素；以及第二隔离扩散层，其在第一隔离扩散层下面电隔离像素，其中电荷积累区设置于由第一和第二隔离扩散层围绕的阱区中，第一隔离扩散层的内周部分形成突出区，具有第一隔离扩散层的导电类型的杂质和具有电荷积累区的导电类型的杂质在突出区中混合，并且电荷积累区的在电荷积累区和第二隔离扩散层之间的部分在突出区下邻接或邻近第二隔离扩散层
固态图像拾取装置及其制造方法

[发明专利]一种静电放电保护电路-CN201110337536.9有效
发明人：甘正浩;张莉菲 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-11-01 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种静电放电保护电路，其特征在于，包括：多个NMOS晶体管，相邻的所述NMOS晶体管共用源极扩散区或漏极扩散区；所述漏极扩散区下方形成有P阱；所述共用的源极扩散区的中央部分形成有拾取区；所述NMOS晶体管的栅极和源极接地；所述拾取区接地。
一种静电放电保护电路

[发明专利]壳状牙齿矫治器的拾取装置、拾取系统和拾取方法-CN202111599008.0在审
发明人：宗贵辉;沈晓炯;李帅;汤浩;蒲好学;朱凯群;孙正阳;姚峻峰 -专利权人：浙江隐齿丽医学技术有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： A61C7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种壳状牙齿矫治器的拾取装置，包括负压组件和拾取组件，所述负压组件与所述拾取组件连通，所述拾取组件通过所述负压组件产生的负压对一待拾取壳状牙齿矫治器进行拾取，所述拾取组件包括通过负压对所述待拾取的壳状牙齿矫治器的前牙区进行拾取的第一拾取部，及与所述第一拾取部配合对所述待拾取壳状牙齿矫治器进行拾取的拾取辅助部，所述拾取辅助部包括在拾取过程中对所述待拾取壳状牙齿矫治器的后牙区进行限位的限位部或通过负压对所述待拾取壳状牙齿矫治器的后牙区进行拾取的第二拾取部同时提供了一种壳状牙齿矫治器的拾取系统和拾取方法。
牙齿矫治拾取装置系统方法

[实用新型]壳状牙齿矫治器的拾取装置和拾取系统-CN202123283516.6有效
发明人：宗贵辉;沈晓炯;李帅;汤浩;蒲好学;朱凯群;孙正阳;姚峻峰 -专利权人：浙江隐齿丽医学技术有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： A61C7/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种壳状牙齿矫治器的拾取装置，包括负压组件和拾取组件，所述负压组件与所述拾取组件连通，所述拾取组件通过所述负压组件产生的负压对一待拾取壳状牙齿矫治器进行拾取，所述拾取组件包括通过负压对所述待拾取的壳状牙齿矫治器的前牙区进行拾取的第一拾取部，及与所述第一拾取部配合对所述待拾取壳状牙齿矫治器进行拾取的拾取辅助部，所述拾取辅助部包括在拾取过程中对所述待拾取壳状牙齿矫治器的后牙区进行限位的限位部或通过负压对所述待拾取壳状牙齿矫治器的后牙区进行拾取的第二拾取部同时提供了一种壳状牙齿矫治器的拾取系统。
牙齿矫治拾取装置系统

[发明专利]显示设备及颜色拾取方法-CN202110748425.0在审
发明人：董率;李乃金;王之奎;肖媛 -专利权人：海信视像科技股份有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H04N21/431 文献下载
摘要：本申请公开了显示设备及颜色拾取方法，在显示电子画板界面时，用户可以通过操作从绘画区上拾取颜色，作为画笔控件的输入颜色。其中，显示设备可以响应于输入的触发拾取操作，在绘画区上显示颜色拾取控件，由于颜色拾取控件至少指示出了颜色拾取点及拾取颜色，因此可以为用户提供可视反馈，以便用户从绘画区上拾取到期望的颜色；当接收到输入的确认拾取操作时，将根据当前颜色拾取控件指示的颜色拾取点确定的拾取颜色，设定为所述画笔控件的输入颜色。相对于从现有的从色板上拾取颜色的方式，本申请提供的颜色拾取方法，可以使用户更加准确、快速地拾取到期望的颜色。
显示设备颜色拾取方法

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