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[发明专利]集成有结型场效应晶体管的器件及其制造方法-CN201610793753.1有效
发明人：顾炎;程诗康;张森 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成有结型场效应晶体管的器件及其制造方法，所述器件的JFET区包括：JFET源极，为第一导电类型；JFET源极的金属电极，形成于所述JFET源极上与所述JFET源极接触；复合阱区结构，为第二导电类型且设于第一导电类型区内，包括第一阱和位于第一阱内的第二阱，第二阱的离子浓度大于第一阱的离子浓度，复合阱区结构在JFET源极的两侧各形成有一个，且JFET源极横向延伸进入第一阱和第二阱内；JFET金属栅极，设于JFET源极两侧的复合阱区结构上本发明利用第一阱和第二阱组成的复合阱区形成复合沟道，增强了沟道耗尽能力，加强了夹断电压稳定性。同时可以通过调节复合沟道的距离，精确调节夹断电压大小，满足不同的电路应用场合。
集成有结型场效应晶体管器件及其制造方法

[发明专利]具有偏置阱的高压电阻器-CN201110412650.3有效
发明人：苏如意;杨富智;蔡俊琳;郑志昌;柳瑞兴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-12-12 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有偏置阱的高压电阻器。该器件包括位于衬底中的掺杂阱，该掺杂阱与该衬底的掺杂极性相反。半导体器件包括位于掺杂阱上的介电结构。掺杂阱邻近所述介电结构的部分的掺杂浓度高于所述掺杂阱的其余部分。半导体器件包括位于介电结构上的伸长的多晶硅结构。所述伸长的多晶硅结构具有长度L。掺杂阱邻近介电结构的部分电连接到伸长的多晶硅结构的部分，该伸长的多晶硅结构的部分与伸长的多晶硅结构的中点相距预定距离，该预定距离沿着伸长的多晶硅结构测量出。
具有偏置高压电阻器

[发明专利]一种基于标准CMOS工艺的单光子级分辨率传感器单元结构-CN201410051972.3无效
发明人：卜晓峰;朱小茅;吴俊辉 -专利权人：苏州超锐微电子有限公司
申请日： 2014-02-17 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：一种基于标准CMOS工艺的单光子级分辨率传感器单元结构，该传感器单元结构使用一种单光子雪崩二极管(SPAD)，其基本结构包括：P型硅衬底(4)上方设有深N阱(3)；P阱区域(2)形成于深N阱(3)上方并且被深N阱(3)包住；阳极接触(9)通过重掺杂的P型区域(1)连接到P阱区域(2)；阴极接触(10)通过重掺杂的N型区域(5)连接到N阱区域(6)以及深N阱(3)；浅沟道隔离区域(7)位于P阱区域(2)和N阱区域(6)之间，将P阱与N阱隔离开；浅沟道隔离区域(7)一周设有P型掺杂的保护环(8)，以遏制浅沟道隔离中由于缺陷产生的暗噪声；在P阱区域(2)的底部与深N阱(3)之间的PN结(11)，当在阴极与阳极之间施加适当偏置电压时PN结产生高压区，形成SPAD倍增区域，以此来探测光子，并且通过控制深N阱(3)的浓度梯度使得PN结的边缘击穿电压高于SPAD的平面倍增区域的击穿电压。
一种基于标准 cmos 工艺光子分辨率传感器单元结构

[发明专利]半导体结构与静电放电防护电路-CN201410129545.2有效
发明人：陈永初;陈信良 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-04-01 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及静电放电防护电路。半导体结构包括一装置结构，包括一第一阱区、一第二阱区、一源极、一漏极、一延伸掺杂区、与一栅极。第二阱区具有相反于第一阱区的导电型。源极与漏极分别形成在第一阱区与第二阱区中。延伸掺杂区邻接漏区并延伸至漏极的下方，且具有与漏极相同的导电型。栅极配置在第一阱区上。
半导体结构静电放电防护电路

[发明专利]半导体结构和形成集成电路的方法-CN201910755310.7有效
发明人：徐国修;林祐宽;张峰铭;苏信文;洪连嵘;王屏薇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-15 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了半导体结构的一个实施例。该半导体结构包括：半导体衬底，具有并排设置的n型掺杂阱(N阱)和p型掺杂阱(P阱)；第一鳍有源区，从半导体衬底的N阱突出；第二鳍有源区，从半导体衬底的P阱突出；第一隔离部件，形成在N阱和P阱上并且横向接触第一鳍有源区和第二鳍有源区，第一隔离部件具有第一宽度；以及第二隔离部件，插入在N阱和P阱之间，第二隔离部件具有小于第一宽度的第二宽度。
半导体结构形成集成电路方法

[发明专利]NLDMOS器件及其制造方法-CN201110369580.8无效
发明人：张帅;董科 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-11-18 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种NLDMOS器件，P型硅衬底上形成有深N阱，在与所述深N阱相邻的在P型硅衬底上形成有P阱，在所述深N阱中形成有浮置P型结构，在所述深N阱上形成有漏极，在所述P阱上形成有源极，在所述P阱同所述深N阱交界区域上方形成栅极，所述浮置P型结构所对应的上方的深N阱中的N型杂质浓度大于下方的深N阱中的N型杂质浓度。
nldmos 器件及其制造方法

[实用新型]冷阱及带有该冷阱的双层结构的冻干机-CN201420480105.7有效
发明人：李兴波;翁宽;苏九洲;康峰 -专利权人：楚天科技股份有限公司
申请日： 2014-08-25 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： F26B5/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种冷阱及带有该冷阱的双层结构的冻干机，冷阱包括冷阱壳体和装设于冷阱壳体内腔的冷凝盘管，冷阱壳体于顶部插设有一根导流管，冷凝盘管盘绕在导流管外围，导流管的底部设有用于对导流管底部管口进行启闭的阀体组件，冷阱壳体上装设有与冷阱壳体内腔连通的抽真空管。冻干机包括设置在上层的冻干机机箱和设置在下层的如上述的冷阱，冻干机机箱通过一连接管与冷阱的导流管顶部连接。具有结构简单、能耗低、可防止桥现象的优点。
带有双层结构冻干机

[发明专利]SCR静电保护结构及其形成方法-CN201910213723.2有效
发明人：陈光;陈捷 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种SCR静电保护结构及其形成方法，结构包括：P型基底；位于基底中的第一N型阱、第二N型阱和第三N型阱；位于第一N型阱中顶部边缘的第一P型掺杂区；位于第一N型阱沿第一方向侧部且位于第一N型阱与第二N型阱之间基底中第一N型掺杂区；位于部分第一N型掺杂区和部分第一P型掺杂区上的第一栅极结构；位于第一N型阱沿第二方向侧部的若干第二栅极结构组，第二栅极结构组位于第一N型阱和第二N型阱之间的基底上；分别位于第二栅极结构在第一方向两侧基底中的第二N型掺杂区；位于相邻的第二栅极结构组之间部分第二N型掺杂区中的第二P型掺杂区；位于基底中的第三P型掺杂区和阴极N型掺杂区。所述SCR静电保护结构的性能提高。
scr 静电保护结构及其形成方法

[发明专利]LDMOS晶体管、布局方法和制作方法-CN201010608460.4有效
发明人：曹国豪;陈德艳;郑大燮 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2010-12-27 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种LDMOS晶体管的结构、制作方法及其布局方法，所述结构包括：衬底；位于衬底内的第一掺杂阱和第二掺杂阱；栅极结构，位于所述第一掺杂阱和第二掺杂阱上方；包围所述第一掺杂阱和第二掺杂阱的第一隔离结构；第二隔离结构，所述第二隔离结构的一侧与所述栅极结构相邻，所述第二隔离结构有相对的两端与所述第一隔离结构相连接；源区，位于所述第一掺杂阱内，所述源区内形成有第三隔离结构，用于增大所述源区电阻；漏区，位于所述第一隔离结构与第二隔离结构之间的第二掺杂阱内
ldmos 晶体管布局方法制作方法

[发明专利]具有用于沉积光增强层的不同湿润性表面的OLED显示装置-CN202080090423.0在审
发明人：于刚;陈重嘉;林宛瑜;房贤圣;徐立松;郭秉圣;罗伯特·简·维瑟 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：一种有机发光二极管(OLED)结构，包括：基板；介电层，所述介电层位于基板上，所述介电层具有阱结构阵列，其中每个阱结构包括凹部，所述凹部具有侧壁和底部，并且所述阱结构由平台隔开；OLED层堆叠，所述OLED层堆叠至少覆盖阱的底部；光提取层(LEL)，LEL在OLED层堆叠上方的阱中；和涂层，涂层覆盖OLED层堆叠的一部分，使得平台的顶表面比阱中形成光提取层的表面更疏水。
具有用于沉积增强不同湿润表面 oled 显示装置

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010005588.5在审
发明人：林志鸿;李家豪 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种半导体结构及其形成方法。前述半导体结构包含基底；第一阱，设置于基底中；第二阱，设置于基底中且邻接于第一阱；隔离结构，设置于第一阱中；以及栅极结构，设置于基底上且包含第一栅极部及第二栅极部，其中第一栅极部与第一阱和第二阱重叠，且第一栅极部和第二栅极部之间具有开口露出隔离结构的一部分，可以有效地减少热载子注入测试所导致的半导体结构的损伤，而改善半导体结构的可靠度。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201510920864.X有效
发明人：仲纪者;吴智华 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-12-11 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L21/74 文献下载
摘要：一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括：形成具有掺杂离子的衬底，包括器件区域和围绕器件区域的保护环区域；在保护环区域的衬底内形成与衬底的掺杂离子类型不同的深阱埋层；在深阱埋层上方的保护环区域衬底内形成环绕保护环区域的第一阱区以及环绕第一阱区的第二阱区，第一阱区和第二阱区均与深阱埋层相连并延伸至衬底表面，且掺杂离子类型与衬底不同；在衬底表面形成保护环结构。本发明通过形成深阱埋层、第一阱区和第二阱区，构成封闭的抗干扰护栏，由于深阱埋层、第一阱区和第二阱区的掺杂离子类型与衬底不同，因此构成的抗干扰护栏可以隔绝保护环区域的衬底，从而防止干扰信号通过保护环结构进入衬底内而影响其他器件的电学性能
半导体器件及其制造方法

[发明专利]量子阱多结叠层柔性太阳电池及其制备方法-CN202310162749.5在审
发明人：龙军华;陆书龙;孙强健;李雪飞 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明揭示了一种量子阱多结叠层柔性太阳电池及其制备方法，所述太阳电池从下向上依次包括柔性衬底、InGaAs底电池、布拉格反射器、量子阱中间电池及GaInP顶电池，所述量子阱中间电池从下向上依次包括GaInP层、GaAs缓冲层、多个量子阱结构及GaAs发射层，所述量子阱结构为未掺杂的InGaAs/GaAsP量子阱结构。本发明的量子阱多结叠层柔性太阳电池通过改进子电池结构，巧妙利用量子阱和高通布拉格反射器拓展光谱范围，产生子带隙电流，大幅度提升了太阳电池的短路电流密度，从而提升了光电转换效率。
量子阱多结叠层柔性太阳电池及其制备方法

[发明专利]利用激光微区等离子体诱导量子阱混和的方法-CN201410031337.9有效
发明人：黄永光;朱洪亮;王宝军 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-01-23 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种利用激光微区等离子体诱导量子阱混和的方法，包括如下步骤：步骤A：在量子阱结构片上的量子阱层上沉积表面牺牲层；步骤B：激光通过具有送气功能的激光头，在表面牺牲层上聚焦，形成反应气的激光等离子体；步骤C：控制该激光等离子体轰击表面牺牲层，将部分表面牺牲层进行改性，形成改性区；步骤D：退火，通过热诱导作用将激光等离子体改性区的化学变性或结构缺陷传递到量子阱结构内，使量子阱层的阱／垒成分互混，实现量子阱结构的带隙波长蓝移本发明可以很好地进行选区量子阱混和。
利用激光等离子体诱导量子混和方法

[发明专利]GaAs衬底上实现1.3微米附近发光的量子阱结构及其制备方法-CN201310264489.9无效
发明人：王庶民;顾溢;张永刚;宋禹忻;叶虹 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明涉及一种GaAs衬底上实现1.3微米附近发光的量子阱结构及其制备方法，该量子阱结构采用InxGa1-xAs1-yBiy作为量子阱的阱层材料，采用AlzGa1-zAs作为量子阱的垒层材料；其制备方法包括GaAs缓冲层和AlGaAs势垒层；（2）生长InxGa1-xAs1-yBiy势阱层；（3）继续重复生长N-1个周期的AlGaAs势垒层和InGaAsBi势阱层；（4）最后再生长AlGaAs势垒层，完成量子阱结构的生长本发明的量子阱结构可获得比传统AlGaAs/InGaAs量子阱更长的发光波长，实现波长达1.3微米附近的发光；制备方法操作工艺简单，易控制。
gaas 衬底实现 1.3 微米附近发光量子结构及其制备方法

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