专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件-CN202110685525.3在审
  • 李依珊;潘钦寒;颜擎 - 新唐科技股份有限公司
  • 2021-06-21 - 2022-10-18 - H01L29/78
  • 本发明提供一种半导体器件,包括:衬底;第一深阱,设置于该衬底中;第一阱,设置于该第一深阱中;第二阱,设置于该衬底中,与该第一阱以非零距离相邻;第三阱,设置于该衬底中,该第二阱设置于该第一阱与该第三阱之间;第四阱,设置于该衬底中;源极区与漏极区,分别设置于该第四阱与该第一阱中;基体区,设置于该第三阱中;栅极结构,设置于该源极区与该漏极区之间的该衬底上;第一隔离结构,设置于该栅极结构与该漏极区之间的该第一深阱上;第二隔离结构,设置于该栅极结构与该源极区之间的该第四阱上;以及顶掺杂区,设置于该第一隔离结构下方的该第一深阱中。本发明可降低栅极结构的边缘与源极区之间的电场,提升击穿电压。
  • 半导体器件

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