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[发明专利]一种基于标准工艺的双PN结型单光子雪崩二极管结构-CN201610062186.2在审
发明人：卜晓峰;马浩文;沈寒冰;吴俊辉 -专利权人：苏州超锐微电子有限公司
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种基于标准工艺的双PN结型单光子雪崩二极管结构，该结构在纵向包含两个PN结，用于探测光子信号，其基本结构包括P型硅衬底（4）上方设有深N阱（3），p型衬底通过重掺杂P型区域（1）以及p阱区域（2）连接电极（11），形成欧姆接触，深N阱（3）和P型衬底（4）之间形成一个PN结（13）；深N阱（3）内包含一个P阱区域（2），P阱（3）通过重掺杂P型区域（1）连接到电极（9）；深N阱（3）通过N阱（6）以及重掺杂N型区域（5）连接到电极（10），形成欧姆接触；深N阱（3）和其内部包含的P阱（2）形成一个PN结（12）。
一种基于标准工艺 pn 结型单光子雪崩二极管结构

[发明专利]多波长发光的紫外LED外延结构及其制备方法-CN202310593267.5在审
发明人：王新强;李泰;罗巍;康俊杰;袁冶;王维昀;李永德;王后锦 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种多波长发光的紫外LED外延结构及其制备方法，其包括AlN模板、AlGaN缓冲层、N型AlGaN层、新型多量子阱结构、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层，新型多量子阱结构包括至少两个发光波长不同的量子阱组，各个量子阱组中的量子阱的厚度不同，从N型区至P型区方向依次减小分布，其中位于第二阱组位置及其之后位置的量子垒的厚度均≤5nm。本发明通过改变势阱层的厚度实现不同波长的发射,通过调节相同Al组分AlGaN量子阱的厚度而获得薄阱，利用增强的量子限制效应实现波长的有效蓝移，同时薄阱也有利于空穴向第一量子阱的迁移，从而可以实现波长在250
波长发光紫外 led 外延结构及其制备方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111155626.6在审
发明人：陈建 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：衬底，衬底内具有相邻的第一阱区和第二阱区，第一阱区内具有第一离子，第二阱区内具有第二离子，第一离子和第二离子的电学类型不同；位于第一阱区上的若干第一鳍部；位于第二阱区上的若干第二鳍部；位于衬底内的隔离开口，隔离开口位于第一阱区和第二阱区之间；位于衬底上和隔离开口内的隔离层，隔离层覆盖第一鳍部和第二鳍部的部分侧壁，且隔离层的顶部表面低于第一鳍部和第二鳍部的顶部表面通过位于隔离开口内的隔离层，能够有效对第一阱区和第二阱区进行隔离，进而能够减少后续形成的晶体管之间发生短接的问题，以此提升最终形成的半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种氮化物量子阱红外探测器及其制备方法-CN201510127695.4有效
发明人：王新强;荣新;沈波;陈广;郑显通;王平;许福军;秦志新 -专利权人：北京大学
申请日： 2015-03-23 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型氮化物量子阱红外探测器及其制备方法。本发明的量子阱红外探测器，在衬底上的掩膜层具有周期性排布的孔洞结构，纳米柱阵列从孔洞中生长出来，多量子阱生长在纳米柱阵列的顶部和侧面，分别对应为半极性面和非极性面多量子阱。其中，多量子阱生长于位错密度极低的纳米柱阵列上，可实现极高晶体质量的多量子阱结构；半极性面和非极性面多量子阱的极化场强度远低于传统极性面多量子阱的极化场强度，可实现高效光电流信号的提取；正面入射探测器表面即可有光电响应，省去传统量子阱红外探测器制备表面光栅结构或端面45°抛光的工艺；多量子阱材料采用第三代半导体材料，可实现全红外光谱窗口的光子探测，具有广阔的应用前景。
一种新型氮化物量子红外探测器及其制备方法

[发明专利]测试结构及测试方法-CN201410392190.6有效
发明人：钟强华;孙明圣;赖李龙 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-08-11 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请公开了一种测试结构及测试方法。其中，该测试结构包括半导体基体；深阱，设置于半导体基体中；第一阱，设置于深阱中；第一掺杂区和导电类型与第一掺杂区的导电类型相反的第二掺杂区，设置于深阱和第一阱之间，且第一掺杂区的导电类型与第一阱的导电类型相同；第三掺杂区和导电类型与第三掺杂区的导电类型相反的第四掺杂区，设置于第一阱中，且第三掺杂区的导电类型与第一掺杂区的导电类型相反；焊盘，分别与第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区和第四掺杂区形成电连接。通过该测试结构能够直接监测到阱漏电，并迅速找到阱漏电流的方向，从而省去了对芯片进行热点分析及芯片去层的处理过程，进而减少了监测阱漏电流所需的时间。
测试结构方法

[发明专利]一种氮化物发光器件及其制备方法-CN200910111571.1无效
发明人：张江勇;张保平;王启明;蔡丽娥;余金中 -专利权人：厦门大学
申请日： 2009-04-23 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提供一种非对称耦合多量子阱结构为有源区的氮化物发光器件及其制备方法。至少包括n-型电子注入层、p-型空穴注入层和多量子阱有源层，多量子阱有源层夹在n-型电子注入层和p-型空穴注入层之间。有源层由非对称耦合量子阱结构组成。量子阱的垒层较薄，易实现载流子隧穿，且量子阱中基态能级间的跃迁能量逐渐变化，跃迁能量大的量子阱接近p型注入层，跃迁能量小的量子阱接近n型注入层。用此有源区结构可增强空穴在量子阱有源区中的隧穿输运，同时阻挡电子在量子阱有源区中的隧穿输运，改善氮化物发光器件有源区中载流子分布不均现象，减小电子泄露和能带填充效应，实现高效发光。
一种氮化物发光器件及其制备方法

[实用新型]一种双向防静电ESD器件-CN201920816668.1有效
发明人：胡光亮;黄志诚 -专利权人：上海雷卯电子科技有限公司
申请日： 2019-06-02 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双向防静电ESD器件，包括一个P型衬底，在其上方设置BN，BN上方设置两个P阱，所述两个P阱由一个N阱隔开，两个P阱外侧亦设置有N阱，两个P阱内都设有P型重掺杂和N型重掺杂，一个P阱内的P型重掺杂和N型重掺杂连接一号端口，另一个P阱内的P型重掺杂和N型重掺杂连接二号端口，其特征在于，两个P阱和N阱之间也设置有P型重掺杂。上述结构使得保持SCR双向都可以通过PNPN结构泄放ESD的电流，且SCR开启电压较原结构降低；此外，上述设计使得本实用新型可以通过调整掺杂区域的大小和长度等参数来调整调整SCR的开启电压和保持电压。
一种双向静电 esd 器件

[发明专利]双向击穿硅控整流器-CN202010914009.9在审
发明人： S·米特拉;A·F·卢瓦索;R·J·戈希尔;李由;蔡东辰 -专利权人：格芯美国公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开涉及半导体结构，更具体地涉及双向硅控整流器(SCR)及制造方法。该结构包括：多个扩散区域；与扩散区域相邻的多个p型(P+)阱，其中P+阱直接连接；以及与P+阱相邻的多个n型(N+)阱。
双向击穿整流器

[发明专利]一种氮化镓功率器件结构及制备方法-CN202110650222.8在审
发明人：叶荣辉;黄进文;李俊峰;蔡文钦 -专利权人：四川美阔电子科技有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓功率器件结构及制备方法，解决了现有技术中器件温度易升温，且易存在电流崩塌现象的问题。本发明包括衬底、AlGaN势垒层、栅介质层，所述衬底上表面设有第一微阱结构，所述第一微阱结构平行设置多组；所述AlGaN势垒层上表面上设有第二微阱结构，所述第二微阱结构平行设置多组，所述栅介质层生长在所述AlGaN势垒层上，所述栅介质层的下表面平行设置多组凹槽且与所述AlGaN势垒层上表面的第二微阱结构相嵌合；所述衬底为Si衬底，所述Si衬底上表面被刻蚀形成所述第一微阱结构，所述第一微阱结构的横截面为倒梯形
一种氮化功率器件结构制备方法

[发明专利]波导结构和光学元件-CN200710136065.9有效
发明人：藤原弘康;山西正道;樋口彰;中嶋和利 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2007-07-13 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：本发明提供易于制造且使表面等离子体振子波的传播距离更长的波导结构和光学元件。波导结构具有在半导体基板(10)上层叠的量子阱结构(20)。量子阱结构内的量子阱层(22)具有，与相对于半导体基板(10)的量子阱结构的排列方向大致垂直相交的假想平面相交的交叉区域(22a)，量子阱结构的介电常数的实部相对于规定波长的THz波为负。此时，交叉区域(22a)内发生电子振荡时，通常存在上述排列方向上的分量，且量子阱结构的介电常数的实部相对于规定波长的THz波为负，因此可以利用交叉区域(22a)传播表面等离子体振子波。在量子阱结构中提高载流子的浓度的同时提高载流子迁移率，因此更长距离地传播表面等离子体振子波。
波导结构光学元件

[发明专利]多晶硅电阻结构及其制备方法-CN201910119045.3有效
发明人：汪广羊 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶硅电阻结构及其制备方法，该多晶硅电阻结构包括：P型半导体基底；N型阱区，形成于P型半导体基底上；隔离层，形成于N型阱区上；多晶硅层，形成于隔离层上；金属互连结构，分别与多晶硅层和N型阱区连接以使多晶硅层和N型阱区连接。通过在P型半导体基底上形成N型阱区，P型半导体基底和N型阱区形成二极管结构，通过金属互连结构将多晶硅层与N型阱区连接，对多晶硅层进行保护，且由于二极管结构形成于多晶硅层的正下方，在增加静电保护结构的同时，不会增加多晶硅电阻结构所占面积。
多晶电阻结构及其制备方法

[发明专利]一种InGaN/GaN量子阱界面中断生长结构及方法-CN201510249514.5有效
发明人：徐丽萍 -专利权人：上海世湖材料科技有限公司
申请日： 2015-05-14 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提出一种InGaN/GaN量子阱界面中断生长外延结构，所述外延结构依次包括蓝宝石衬底、低温GaN成核层、非故意掺杂高温GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层，所述外延结构的特征在于，所述多量子阱层中InGaN层依次包括InN层和InGaN层，所述InN层是在InGaN量子阱初期周期性地通入/停止TMIn进入反应室生长而成。所述外延结构有效提高InGaN量子阱初期In组分，使得InGaN量子阱中In组分更加均匀，界面更加陡峭，从而提高LED波长均匀性和发光效率。
一种 ingan gan 量子界面中断生长结构方法

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202310225047.7有效
发明人：刘晓梅 -专利权人：广东芯聚能半导体有限公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括：衬底；外延层，位于衬底之上；阱区，位于外延层内；第一导电区，位于阱区的顶部，其中，第一导电区与阱区的导电类型相同，且第一导电区的离子掺杂浓度大于阱区的离子掺杂浓度；源区，位于第一导电区的顶部，与第一导电区所在区域以外的阱区间隔设置；栅极结构，位于外延层之上，且覆盖阱区、第一导电区的表面以及覆盖源区的部分表面。采用本发明的半导体结构能够降低导通电阻。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]发光器件及其制造方法-CN201610154288.7在审
发明人：中村亮;坊山美乡 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2016-03-17 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：发光层具有MQW结构，在MQW结构中重复地沉积有依次沉积的阱层、盖层以及势垒层的层单元。在阱层中，仅第一阱层的In组成比与其他阱层的In组成比相比减小，并且其他阱层的In组成比彼此相同。第一阱层的In组成比被设计为使得第一阱层的发射波长等于其他阱层的发射波长。
发光器件及其制造方法

[发明专利]氮化物半导体发光元件-CN201910436698.4在审
发明人：吴永胜;张帆;林新 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2019-05-23 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化物半导体发光元件，包括：n‑型氮化物半导体层；p‑型氮化物半导体层；以及活性层，其设置于所述n‑型氮化物半导体层与所述p‑型氮化物半导体层之间，具有由多个势垒层和多个阱层交替层叠的多重量子阱结构；所述多重量子阱结构在中间部位的阱层中具有至少一个中间阱层，所述中间阱层的带隙大于邻接的其他阱层。该元件有利于使空穴注入下级阱层，提高电子和空穴的复合率，进而提高发光效率。
阱层氮化物半导体层氮化物半导体发光元件多重量子阱结构空穴发光效率交替层叠活性层势垒层邻接带隙复合下级