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[发明专利]一种单芯片集成用硅基复合增强型光电探测器的制作方法-CN201310128455.7有效
发明人：金湘亮;陈长平 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2013-04-13 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种单芯片集成用硅基复合增强型光电探测器的制作方法，其步骤是：在P衬底上注入形成N阱和P阱，在N阱内制作环形栅PMOS结构（P阱包围N阱），或在P阱内制作环形栅NMOS结构（N阱包围P阱），在N阱和P阱之间形成侧向环形PN结光电二极管结构。
一种芯片集成用硅基复合增强光电探测器制作方法

[发明专利]冷阱及冷阱的安装结构-CN201310664608.X有效
发明人：及川健 -专利权人：住友重机械工业株式会社
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： B01D8/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有较快的排气速度的冷阱及冷阱的安装结构。本发明的冷阱（110）具备用于将排气对象容积连接到真空泵的导管（124）及被导管（124）包围的冷板（120），导管（124）在被排气侧具备入口凸缘（126），在真空泵侧具备出口凸缘（128），出口凸缘
安装结构

[发明专利]用于CMOS静电放电保护的可控硅结构-CN200610117732.4有效
发明人：常欣;金锋 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2006-10-30 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于CMOS静电放电保护的可控硅结构，其可以双向导通，并具有双向回扫特性。本发明所提供的结构是在P型衬底上纵向设置深N阱，在深N阱上沿横向依次平行设置第二N阱、第二P阱、第一N阱、第一P阱、第二N阱，在第二P阱和第一P阱中沿横向分别平行设置P+区和N+区，其中，P+区靠近第二N阱，N+区靠近第一N阱，各P+区和N+区之间以场氧分隔。本发明不仅弥补了传统SCR结构只具有单向的回扫特性的缺点，而且同时满足了集成度的需求。
用于 cmos 静电放电保护可控硅结构

[发明专利]LDMOS器件及制造方法-CN201310542163.8在审
发明人：郭振强;陈瑜;邢超 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-11-05 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种LDMOS器件，包括第一导电类型深阱，形成于深阱中的第二导电类型阱，形成于第二导电类型阱部分区域中的第一导电类型阱，第一导电类型漂移层形成于第一导电类型阱表面并延伸到第一导电类型阱周侧的第二导电类型阱表面，栅极结构覆盖第二导电类型阱表面并延伸到第一导电类型漂移层上方，源区形成于第二导电类型阱表面并和栅极结构自对准，漏区形成于第一导电类型漂移层表面并和栅极结构相隔一段距离，漂移区中包括由第一导电类型漂移层、第二导电类型阱和第一导电类型深阱组成的横向超级结结构。
ldmos 器件制造方法

[发明专利]无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法-CN201711464508.7有效
发明人：朱天志 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法，该结构包括：半导体衬底(80)；生成于半导体衬底的N阱(60)和P阱(70)；高浓度P型掺杂(20)、高浓度N型掺杂(28)置于N阱(60)上部，高浓度P型掺杂(20)、N阱(60)及P阱(70)构成等效PNP三极管结构，高浓度N型掺杂(24)、高浓度P型掺杂(26)置于P阱(70)上部，N阱(60)、基体(80)/P阱(70)与高浓度N型掺杂(24)构成等效NPN三极管结构，高浓度N型掺杂(22)置于N阱(60)与P阱(70)分界处上方,所述高浓度P型掺杂(20)、高浓度N型掺杂(28)间为N阱(60)的一部分且间距为S，高浓度N型掺杂(28)与高浓度P型掺杂(22)之间为N阱(60)的一部分。
硅控整流器衬底半导体分界处

[发明专利]一种紫外LED外延片及其制备方法-CN201911066382.7有效
发明人：黄小辉;梁旭东;陈向东;徐孝灵;王小文 -专利权人：马鞍山杰生半导体有限公司
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种紫外LED外延片及其制备方法，涉及材料化学技术领域，包括以下步骤：1)在N型AlGaN层上生长Q个量子阱结构，每个所述量子阱结构包含量子垒层和量子阱层，2≤Q≤100；2)在第Q个所述量子阱结构上生长末端量子垒层；其中，至少一个所述量子阱结构中含有Mg原子且至多Q‑1个量子阱结构中含有Mg原子，所述末端量子垒层中含有Mg原子。通过本发明提供的LED外延片的制备方法，可有效提高量子阱结构中的空穴浓度，进而提高了量子阱结构中电子空穴复合效率，提高了紫外LED的发光效率。
一种紫外 led 外延及其制备方法

[发明专利]不含磷的基于氮化物的红和白发光二极管的制造-CN200780101059.8有效
发明人：苏周明;蔡树仁;刘伟;藤京华 -专利权人：新加坡科技研究局
申请日： 2007-10-12 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提供了一种用于发光二极管的多量子阱(MQW)结构以及用于制造用于发光二极管的MQW结构的方法。该MQW结构包括多个量子阱结构，每个量子阱结构包括：势垒层；以及形成于势垒层上的阱层，所述阱层中嵌有量子点纳米结构，势垒层和阱层包括第一基于金属氮化物的材料；其中，量子阱结构中的至少一个还包括形成于阱层上的盖层
不含磷基于氮化物白发二极管制造

[发明专利]一种FRD结构及其制作方法和应用-CN202111442017.9在审
发明人：李学会;喻双柏;和巍巍;汪之涵;傅俊寅;魏炜 -专利权人：深圳基本半导体有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本申请提供了一种FRD结构及其制作方法和应用。其中，FRD结构包括衬底、多个P‑阱区、多个P+阱区、多个场氧化层、阳极金属和阴极金属；多个P‑阱区均覆于衬底且相互间隔，多个P+阱区分别覆于多个P‑阱区，P+阱区嵌入相应P‑阱区，P+阱区相对的两侧均超出相应P‑阱区的外缘，多个场氧化层分别与各P‑阱区之间的间隔处对应，场氧化层相对的两侧分别覆于位于相应间隔处的相邻的两个P+阱区分别超出相应P‑阱区的外缘的部分，场氧化层相对的两侧分别与形成相应间隔处的相邻的两个P‑阱区具有间隙，阳极金属覆于多个场氧化层和多个P+阱区，且雪崩电流通过与间隙对应的P+阱区到达阳极金属进行外泄。本申请能够有效地提升FRD结构的雪崩耐量和可靠性。
一种 frd 结构及其制作方法应用

[发明专利]低功耗高可靠性的双向夹层隔离阱-CN201811542508.9在审
发明人：许剑;刘桂芝 -专利权人：无锡麟力科技有限公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种低功耗高可靠性的双向夹层隔离阱，包括衬底和分别设置在衬底上的纵向隔离阱区及第一隐埋层，第一隐埋层环绕纵向隔离阱区设置，纵向隔离阱区上设置有第一阱区和横向隔离阱区，横向隔离阱区环绕第一阱区设置，第二阱区设置在第一隐埋层上且环绕横向隔离阱区设置，第一阱区、横向隔离阱区和第二阱区共同构成两个横向的PNP结构，第一阱区、纵向隔离阱区和衬底共同构成两个纵向的PNP结构，当第一阱区遇到高电压时，由于横向隔离阱区的同电位设置
阱区横向隔离纵向隔离隐埋层衬底高可靠性环绕低功耗隔离阱夹层反向漏电泄漏电流横向PNP 纵向PNP 高电压隔离性同电位偏置放大削弱

[发明专利]具有RESURF结构的LDMOSFET及其制造方法-CN201510163925.2有效
发明人：祁树坤 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2015-04-08 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有RESURF结构的横向扩散金属氧化物半导体场效应管，包括衬底、源极、漏极、体区及衬底上的阱区，所述阱区包括：插入式阱，掺杂类型为P型，设于所述漏极的下方并与漏极相接；N阱，设于所述插入式阱的两侧；P阱，设于所述N阱的旁边并与N阱连接；所述源极和体区设于所述P阱内。本发明通过插入式阱形成triple RESURF结构，有助于提高N阱的掺杂浓度，并降低器件的导通电阻，并且有助于改善器件的击穿特性。
具有 resurf 结构 ldmosfet 及其制造方法

[实用新型]一种具有同层双量子阱结构的电吸收激光器-CN201720678138.6有效
发明人：卫思逸;李马惠;潘彦廷;刘拓;陈发涛;冯旭超;赵小亮;杨旗;韦盼;孙娟娟 -专利权人：陕西源杰半导体技术有限公司
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有同层双量子阱结构的电吸收激光器，包括衬底和设置在衬底底面的N面电极层，量子阱层包括端面对接的第一量子阱和第二量子阱；在同一结构层上具有相同厚度的两种量子阱结构，此结构的设计合理，能有效保证制造工艺的方便，前端工序仅需要生长一个单量子阱结构，在后端工序利用一系列常规工艺即可实现在同一结构层上由单量子阱结构变为双量子井结构；由于本实用新型的光吸收区为另外一种量子阱结构，因此发光区的光栅设计可以保持在最佳发光增值位置，达到最大出光强度，具有较低的阈值电流；另外由于发光区量子阱和光吸收区量子阱位于同一结构层，在界面出的光耦合损失非常低，光耦合效率近似100％，光开关状态间的明灭比较高，约为10dB左右。
一种具有量子结构吸收激光器

[发明专利]形成量子阱结构的方法和制造半导体发光元件的方法-CN200910134808.8无效
发明人：盐谷阳平;善积祐介;上野昌纪;中西文毅 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-04-09 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供了形成量子阱结构的方法以及制造半导体发光元件的方法，所述量子阱结构能够降低In组成在阱层厚度方向上的变化。在通过在GaN衬底主面上交替生长阻挡层和阱层而形成量子阱结构(有源层)的步骤中，通过生长InGaN而形成各个阱层，在第一温度下生长各个阻挡层，在低于所述第一温度的第二温度下生长各个阱层，且当形成各个阱层时
形成量子结构方法制造半导体发光元件

[发明专利]防静电保护结构及高压集成电路-CN202111244706.9在审
发明人：朱天志 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种防静电保护结构，其包括形成在衬底中的N阱及P阱；N阱及P阱上部及中部由STI隔断，下部邻接；N阱的上部贴STI注入P型重掺杂形成N阱P重掺杂区；N阱的上部远离STI处注入N型重掺杂形成N阱N重掺杂区；P阱的上部贴STI注入P型重掺杂形成P阱P重掺杂区；N阱P重掺杂区同N阱N重掺杂区短接构成该防静电保护结构的阳极；P阱P重掺杂区作为该防静电保护结构的阴极。本发明的防静电保护结构,能实现无回滞效应，且容易取得较高的触发电压和维持电压，具有较高的二次击穿电流，应用于高压端口防静电保护设计时，能节省多级串联所需的串联级数和单级保护单元的版图面积。
静电保护结构高压集成电路

[发明专利]应用于射频放大的多层阱区LDMOS器件及其制法-CN202011242839.8在审
发明人：莫海锋;彭虎;岳丹诚 -专利权人：苏州华太电子技术有限公司
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于射频放大的多层阱区LDMOS器件及其制法。所述多层阱区LDMOS器件包括衬底和外延层，所述外延层内分布有沟道区、漂移区、多层深阱区结构，所述漂移区内形成有漏区，所述多层深阱区结构包括沿器件纵向方向依次叠设的多个深阱区，且所述多层深阱区结构内形成有源区和掺杂区；以及，源极、漏极和栅极；其中，所述衬底、外延层、多层深阱区结构和掺杂区均为第一掺杂类型，所述沟道区、漂移区、源区、漏区均为第二掺杂类型。该应用于射频放大的多层阱区LDMOS器件，利用多层深阱区结构在沟道区下方形成场板效应，可以辅助N型沟道区的耗尽，降低漏电。
应用于射频放大多层 ldmos 器件及其制法

[发明专利]高电压MOS晶体管结构及其制造方法-CN201310049215.8无效
发明人：李名镇 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2013-02-07 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种高电压MOS晶体管结构及其制造方法。该高电压MOS晶体管结构包含：第一离子阱和第二离子阱，该第一离子阱和该第二离子阱形成于基底上，该第一离子阱具有第一导电型以及该第二离子阱具有与该第一导电型不同的第二导电型，且在该第一离子阱和该第二离子阱的交界面形成结；栅极，位于该第一离子阱和该第二离子阱上；漏极，具有该第一导电型，位于该第一离子阱中，并与该栅极的第一侧壁间隔有偏置距离；源极，具有该第一导电型，位于该第二离子阱中。本发明所提出的高电压MOS晶体管结构及其制造方法，可改善时间相关介质击穿。
电压 mos 晶体管结构及其制造方法