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[发明专利]磁场传感器-CN202310226557.6在审
发明人： V·B·奈克;H·M·迪克西特;山根一阳;卓荣发 -专利权人：格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：本公开涉及传感器，更具体地涉及磁场传感器。更具体地，一种结构包括具有环绕几何形状和不连续端部的封装，并且包括低磁导率磁性材料。
磁场传感器

[发明专利]片上电流传感器-CN202310156320.5在审
发明人： 卓荣发;孙永顺 -专利权人：格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G01R15/20 文献下载
摘要：本公开涉及半导体结构，更具体地涉及片上电流传感器及其制造方法。该片上电流传感器包括：竖直霍尔传感器；以及位于竖直霍尔传感器上方在第一布线层中的载流导体。
电流传感器

[发明专利]具有磁性随机存取存储器装置的集成电路及其制造方法-CN201811268076.7有效
发明人：刘斌;卓荣发;丁银洁;李康豪;郭克文 -专利权人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明提供具有磁性随机存取存储器(MRAM)装置的集成电路及其制造方法。在一例示实施例中，一种用于制造MRAM位单元的方法，包含：决定第一位单元与第二位单元之间的所需单元间间隔；以及对半导体衬底进行双重图案化而形成半导体鳍结构，其中，以群组的方式形成该半导体鳍结构，该群组具有已分组的半导体鳍结构之间的群组内间距以及不同于该群组内间距的相邻群组的半导体鳍结构之间的单元间间隔。该方法还包含：在该第一位单元中的该半导体鳍结构上方形成第一MRAM存储器结构；以及在该第二位单元中的该半导体鳍结构上方形成第二MRAM存储器结构。此外，该方法包含：在该第一MRAM存储器结构与该第二MRAM存储器结构之间形成该第一位单元的第一源极线。
具有磁性随机存取存储器装置集成电路及其制造方法

[发明专利]具有串联布置的MTJ元件的磁场传感器-CN202210819113.9在审
发明人： H·M·迪克西特;V·B·奈克;山根一阳;卓荣发 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本公开涉及一种具有串联布置的MTJ元件的磁场传感器。该磁场传感器可以包括多个MTJ元件。在没有外部磁场的情况下，每个MTJ元件具有相对于钉扎参考层的由感测层的磁矩方向所指示的状态。多个MTJ元件被布置成两个相同的组，该组由至少两个MTJ元件构成，其中每个相应组中的每个MTJ元件具有不同的状态。MTJ元件的状态以测量外部磁场的方式来布置，不考虑外部磁场的方向。MTJ元件包括相同的层并且被串联地电连接。
具有串联布置 mtj 元件磁场传感器

[发明专利]具有太阳能电池的集成电路及其生产方法-CN201810966466.5有效
发明人：刘斌;卓荣发 -专利权人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L27/142 文献下载
摘要：本发明涉及具有太阳能电池的集成电路及其生产方法，所提供的是集成电路及其生产方法。在一例示性具体实施例中，集成电路包括衬底，其具有握把层、上覆于该握把层的埋置型绝缘体层、及上覆于该埋置型绝缘体层的主动层。该握把层与该主动层包括单晶硅。晶体管上覆于该埋置型绝缘体层，并且太阳能电池位在该握把层内，使得该埋置型绝缘体层介于该太阳能电池与该晶体管之间。该太阳能电池包括与太阳能电池外层接触部电连通的太阳能电池外层、及与太阳能电池内层接触部电连通的太阳能电池内层。该等太阳能电池内层与外层为单晶硅。
具有太阳能电池集成电路及其生产方法

[发明专利]无沟槽单光子雪崩二极管-CN202210357449.8在审
发明人：郑萍;卓荣发;郭克文;K·S·D·崇;J·H·M·唐 -专利权人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明涉及无沟槽单光子雪崩二极管，涉及单光子雪崩二极管的结构以及形成单光子雪崩二极管的结构的方法。该结构包括具有顶部表面的半导体衬底，位于该半导体衬底的顶部表面上的半导体层，位于该半导体层的部分上的光吸收层，以及位于该半导体层的部分中的掺杂区。该掺杂区设置于邻近该光吸收层的该半导体层的部分中。
沟槽光子雪崩二极管

[发明专利]电阻式随机存取存储器器件-CN202111436085.4在审
发明人：黎佳俊;卓荣发 -专利权人：格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及电阻式随机存取存储器器件。本公开一般地涉及结构、存储器器件及其形成方法。该结构和存储器器件可以包括第一电极、设置在第一电极上的第一除氧层、设置在第一除氧层上的电阻层、设置在电阻层上的第二除氧层以及设置在第二除氧层上的第二电极。该结构和存储器器件可以降低用于电阻层的双向切换的切换电压或切换电流。
电阻随机存取存储器器件

[发明专利]半导体存储器器件-CN202111419999.X在审
发明人：黎佳俊;卓荣发;陈学深 -专利权人：格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本文的实施例涉及半导体存储器器件及其形成方法。提供了一种半导体存储器器件。该半导体存储器器件包括具有第一电极、第二电极、切换层和过孔结构的存储器基元。第二电极邻近第一电极的一侧，并且切换层覆盖第一电极和第二电极的最上表面。过孔结构位于第二电极的最上表面上方。
半导体存储器器件

[发明专利]具有存储器基元的半导体器件-CN202111271071.1在审
发明人：黎佳俊;章纬;卓荣发;陈学深 -专利权人：格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：本公开一般地涉及半导体器件，更具体地涉及具有用于多位编程的存储器基元的半导体器件及其形成方法。本公开还涉及形成这种半导体器件的方法。所公开的半导体器件与常规器件相比可以实现更小的基元尺寸，并因此增加了所公开的器件的封装密度。
具有存储器半导体器件

[发明专利]存储器器件以及形成存储器器件的方法-CN202111270469.3在审
发明人：黎佳俊;卓荣发;陈学深 -专利权人：格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及存储器器件以及形成存储器器件的方法。可以提供一种存储器器件，包括：第一电极；绝缘元件，其布置在第一电极上方；第二电极，其布置在绝缘元件上方；切换层；以及电耦接到第二电极的导电线。第一电极、绝缘元件和第二电极中的每一者可以包括第一侧表面和第二侧表面。第一电极、绝缘元件和第二电极的中心可以基本竖直对准。第二电极的第一侧表面和第二侧表面可以与绝缘元件和第一电极中的至少一者的第一侧表面和第二侧表面基本竖直对准。切换层可以与第二电极和绝缘元件的第一侧表面和第二侧表面共形。
存储器器件以及形成方法

[发明专利]存储器器件以及制造存储器器件的方法-CN202111265387.X在审
发明人：孙剑勋;陈元文;卓荣发 -专利权人：格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及存储器器件以及制造存储器器件的方法。提供了一种存储器器件。该存储器器件可以包括：第一电极，其包括第一侧表面和与第一侧表面相反的第二侧表面；钝化层，其在侧面横靠第一电极的第一侧表面布置；切换层，其在侧面横靠钝化层布置；以及第二电极，其沿着切换层布置。
存储器器件以及制造方法

[发明专利]半导体存储器器件-CN202111262267.4在审
发明人：陈学深;蔡新树;卓荣发 -专利权人：格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本文的实施例涉及半导体存储器器件及其形成方法。提供了一种半导体存储器器件。该半导体存储器器件包括双栅极晶体管和存储器基元。存储器基元与双栅极晶体管相邻，其中存储器基元与双栅极晶体管共用公共电极。
半导体存储器器件

[发明专利]磁场传感器和制造磁场传感器的方法-CN202111132926.2在审
发明人：郑萍;卓荣发;孙永顺 -专利权人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： G01R33/00 文献下载
摘要：本发明涉及磁场传感器和制造磁场传感器的方法，该磁场传感器可包含具有平坦表面的半导体结构以及第一、第二及第三感测装置。该半导体结构可包含其中具有二维电子气的半导体构件及设置在该半导体构件上的绝缘体构件。该第一感测装置可配置为感测沿平行于该平坦表面的第一轴的磁场。该第二感测装置可配置为感测沿着平行于该平坦表面且正交于该第一轴的第二轴的磁场。该第三感测装置可配置为感测沿与该平坦表面成直角的第三轴的磁场。该第一、第二及第三感测装置中的每个可形成于该半导体结构中，且可包含从该绝缘体构件延伸到该二维电子气的电极。
磁场传感器制造方法

[发明专利]部分硅化的非易失性存储器器件和集成方案-CN202111140754.3在审
发明人：王蓝翔;陈学深;蔡新树;卓荣发;孙永顺 -专利权人：格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及部分硅化的非易失性存储器器件和集成方案。提供了一种非易失性存储器器件。该非易失性存储器器件包括有源区、n阱区以及分隔有源区与n阱区的隔离区。可以设置浮置栅极。浮置栅极可以布置在有源区的一部分和n阱区的第一部分上方。有源区中的第一掺杂区可以在第一侧相对于浮置栅极横向移位，并且有源区中的第二掺杂区可以在与第一侧相反的第二侧相对于浮置栅极横向移位。接触可以布置在n阱区上方，其中接触可以相对于在n阱区的第一部分上方的浮置栅极的第一拐角横向移位。硅化物排斥层可以至少部分地布置在浮置栅极上方。
部分非易失性存储器器件集成方案

[发明专利]存储器结构以及形成存储器结构的方法-CN202111156738.3在审
发明人：蔡新树;孙永顺;王蓝翔;卓荣发;陈学深 -专利权人：格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及存储器结构以及形成存储器结构的方法。提供了一种存储器结构，包括：衬底；布置在衬底内的第一阱区、第二阱区和第三阱区，其中第一阱区和第三阱区可以具有第一导电类型，第二阱区可以具有不同于第一导电类型的第二导电类型，并且其中第二阱区可以横向布置在第一阱区与第三阱区之间。该存储器结构还包括布置在第二阱区上方的第一栅极结构和第二栅极结构。第一栅极结构可以在第三阱区上方延伸，第二栅极结构可以在第一阱区上方延伸。
存储器结构以及形成方法

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